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1、会计学1模拟模拟(mn)CMOS集成电路设计拉扎维带隙集成电路设计拉扎维带隙基准基准第一页,共29页。西电微电子:模拟(mn)集成电路原理 Bandgap RefCh.11#2本讲内容本讲内容(nirng)n n概述(i sh)n n与电源无关的偏置n n与温度无关的基准n nPTAT电流的产生n n恒定Gm偏置n n实例分析第1页/共29页第二页,共29页。西电微电子:模拟集成电路(jchng-dinl)原理 Bandgap RefCh.11#3概述概述(i sh)基准是直流量,与电源和工艺参数(cnsh)的关系小,与温度的关系是确定的。目的:建立与电源和工艺无关,具有确定温度特性的直流电压
2、和电流。形式:与绝对温度成正比(PTAT)常数Gm特性 与温度无关第2页/共29页第三页,共29页。西电微电子:模拟集成电路(jchng-dinl)原理 Bandgap RefCh.11#4概述概述(i sh)第3页/共29页第四页,共29页。西电微电子:模拟(mn)集成电路原理 Bandgap RefCh.11#5本讲内容本讲内容(nirng)n n概述n n与电源无关的偏置n n与温度无关的基准n nPTAT电流的产生(chnshng)n n恒定Gm偏置n n实例分析第4页/共29页第五页,共29页。西电微电子:模拟集成电路(jchng-dinl)原理 Bandgap RefCh.11#6
3、与电源无关与电源无关(wgun)的偏置的偏置如何(rh)产生IREF?第5页/共29页第六页,共29页。西电微电子:模拟(mn)集成电路原理 Bandgap RefCh.11#7与电源无关与电源无关(wgun)的偏置的偏置第6页/共29页第七页,共29页。西电微电子:模拟(mn)集成电路原理 Bandgap RefCh.11#8与电源与电源(dinyun)无关的偏置无关的偏置第7页/共29页第八页,共29页。西电微电子:模拟集成电路(jchng-dinl)原理 Bandgap RefCh.11#9本讲内容本讲内容(nirng)n n概述(i sh)n n与电源无关的偏置n n与温度无关的基准n
4、 nPTAT电流的产生n n恒定Gm偏置n n实例分析第8页/共29页第九页,共29页。西电微电子:模拟集成电路(jchng-dinl)原理 Bandgap RefCh.11#10与温度与温度(wnd)无关的偏置无关的偏置负温度系数(xsh)电压当VBE750mV,T300K,为1.5mV/K第9页/共29页第十页,共29页。西电微电子:模拟(mn)集成电路原理 Bandgap RefCh.11#11与温度无关与温度无关(wgun)的偏置的偏置正温度(wnd)系数电压第10页/共29页第十一页,共29页。西电微电子:模拟(mn)集成电路原理 Bandgap RefCh.11#12与温度与温度(
5、wnd)无关的偏置无关的偏置VREF=1VBE+2(VTln n)1=1 根据室温时温度根据室温时温度(wnd)系数之和为零,系数之和为零,得到:得到:2 ln n17.2 VREFVBE+17.2VT=1.25第11页/共29页第十二页,共29页。西电微电子:模拟集成电路(jchng-dinl)原理 Bandgap RefCh.11#13与温度与温度(wnd)无关的偏置无关的偏置第12页/共29页第十三页,共29页。西电微电子:模拟(mn)集成电路原理 Bandgap RefCh.11#14与温度无关与温度无关(wgun)的偏置的偏置第13页/共29页第十四页,共29页。西电微电子:模拟(m
6、n)集成电路原理 Bandgap RefCh.11#15与温度与温度(wnd)无关的偏置无关的偏置第14页/共29页第十五页,共29页。西电微电子:模拟(mn)集成电路原理 Bandgap RefCh.11#16与温度无关与温度无关(wgun)的偏置的偏置第15页/共29页第十六页,共29页。西电微电子:模拟集成电路(jchng-dinl)原理 Bandgap RefCh.11#17与温度与温度(wnd)无关的偏置无关的偏置第16页/共29页第十七页,共29页。西电微电子:模拟集成电路(jchng-dinl)原理 Bandgap RefCh.11#18与温度与温度(wnd)无关的偏置无关的偏置
7、第17页/共29页第十八页,共29页。西电微电子:模拟集成电路(jchng-dinl)原理 Bandgap RefCh.11#19本讲内容本讲内容(nirng)n n概述n n与电源无关(wgun)的偏置n n与温度无关(wgun)的基准n nPTAT电流的产生n n恒定Gm偏置n n实例分析第18页/共29页第十九页,共29页。西电微电子:模拟集成电路(jchng-dinl)原理 Bandgap RefCh.11#20PTAT电流电流(dinli)的产生的产生第19页/共29页第二十页,共29页。西电微电子:模拟集成电路(jchng-dinl)原理 Bandgap RefCh.11#21PT
8、AT电流电流(dinli)的产生的产生第20页/共29页第二十一页,共29页。西电微电子:模拟(mn)集成电路原理 Bandgap RefCh.11#22本讲内容本讲内容(nirng)n n概述n n与电源无关的偏置n n与温度无关的基准n nPTAT电流的产生(chnshng)n n恒定Gm偏置n n实例分析第21页/共29页第二十二页,共29页。西电微电子:模拟(mn)集成电路原理 Bandgap RefCh.11#23恒定恒定(hngdng)Gm偏置偏置第22页/共29页第二十三页,共29页。西电微电子:模拟(mn)集成电路原理 Bandgap RefCh.11#24本讲内容本讲内容(n
9、irng)n n概述n n与电源无关的偏置n n与温度无关的基准n nPTAT电流的产生n n恒定(hngdng)Gm偏置n n实例分析第23页/共29页第二十四页,共29页。西电微电子:模拟集成电路(jchng-dinl)原理 Bandgap RefCh.11#25实例实例(shl)分析分析PMOS PMOS 电流电流(dinli)(dinli)镜保镜保证证Q1Q1Q4Q4的集电极电流的集电极电流(dinli)(dinli)相等相等第24页/共29页第二十五页,共29页。西电微电子:模拟集成电路(jchng-dinl)原理 Bandgap RefCh.11#26实例实例(shl)分析分析第25页/共29页第二十六页,共29页。西电微电子:模拟(mn)集成电路原理 Bandgap RefCh.11#27实例实例(shl)分析分析第26页/共29页第二十七页,共29页。西电微电子:模拟集成电路(jchng-dinl)原理 Bandgap RefCh.11#28实例实例(shl)分析分析第27页/共29页第二十八页,共29页。西电微电子:模拟(mn)集成电路原理 Bandgap RefCh.11#29实例实例(shl)分析分析第28页/共29页第二十九页,共29页。