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1、4.1 4.1 晶体三极管一、晶体管的结构和符号一、晶体管的结构和符号二、晶体管的放大原理二、晶体管的放大原理三、晶体管的共射输入特性和输出特性三、晶体管的共射输入特性和输出特性四、温度对晶体管特性的影响四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数五、主要参数 一、晶体管的结构和符号多子浓度高多子浓度高多子浓度很多子浓度很低，且很薄低，且很薄面积大面积大晶体管有三个极、三个区、两个晶体管有三个极、三个区、两个PN结。结。小功率管小功率管中功率管中功率管大功率管大功率管为什么有孔？为什么有孔？二、晶体管的电流放大作用共射极放大电路PNP接法？扩散运动形成发射极电流扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形
2、成基极电，复合运动形成基极电流流IB，漂移运动形成集电极电流，漂移运动形成集电极电流IC。少数载流少数载流子的运动子的运动因发射区多子浓度高使大量因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区电子从发射区扩散到基区因基区薄且多子浓度低，使极少因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合数扩散到基区的电子与空穴复合因集电区面积大，在外电场作用下大因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区部分扩散到基区的电子漂移到集电区基区空穴基区空穴的扩散的扩散1.内部载流子运动内部载流子运动2 2、电流分配：、电流分配：I IE EI IB BI IC C I IE E扩散运
3、动形成的电流扩散运动形成的电流 I IB B复合运动形成的电流复合运动形成的电流 I IC C漂移运动形成的电流漂移运动形成的电流穿透电流穿透电流集电结反向电流集电结反向电流共射直流电共射直流电流放大系数流放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数类似：共基电流放大系数类似：共基电流放大系数等等三、晶体管的共射输入特性和输出特性为什么为什么UCE增大曲线右移？增大曲线右移？对于小功率晶体管，对于小功率晶体管，UCE大于大于1V的一条输入特性曲线的一条输入特性曲线可以取代可以取代UCE大于大于1V的所有输入特性曲线。的所有输入特性曲线。为什么像为什么像PN结的伏安特性？结的伏安特性？为什么为什么U
4、CE增大到一定值曲线右增大到一定值曲线右移就不明显了？移就不明显了？1.输入特性2.输出特性对应于一个对应于一个IB就有一条就有一条iC随随uCE变化的曲线。变化的曲线。为什么为什么uCE较小时较小时iC随随uCE变化很大？为什么进变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？横轴的平行线？饱和区饱和区放大区放大区截止区截止区晶体管的三个工作区域 晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入几乎仅仅决定于输入回路的电流回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源控制的电
5、流源iC。状态状态uBEiCuCE截止截止UonICEOVCC放大放大 UoniB uBE饱和饱和 UoniB uBE四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数 直流参数直流参数：共射直流电流放大系数共基直流电流放大系数极间反向电流集基极反向饱和电流ICBO：发射极开路，C、B极间加一反向电压时的反向电流。集射极反向饱和电流ICEO（穿透电流）：基极开路，C、E间加一反向电压时的反向电流，又称穿透电流。ICEOICBO（1）二者都是衡量BJT质量的重要参数。交流参数：交流参数：特征频率（截止频率）fT：使1的信号频率共射交流电流放大系数共基交流电流放大系数通常取 极限参数极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO集电极最大允许电流ICM：下降到额定值的2/3时的集电极电流集电极最大允许耗散功率PCM：集电结上允许损耗功率的最大值。PCICUCE 安全工作区安全工作区反向击穿电压：三极管的各个电极所允许加的最大反向电压。U（BR）CEO：集射极反向击穿电压U（BR）CBO：集基极反向击穿电压U（BR）EBO：射基极反向击穿电压讨论一由图示特性求出由图示特性求出PCM、ICM、U（BR）CEO、。2.7uCE=1V时的时的iC就是就是ICMU（BR）CEO