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1、第三章第三章内部存储器内部存储器25 二月 20232目录目录3.1 存储器概述存储器概述（理解）（理解）3.2 SRAM存储器存储器（理解）（理解）3.3 DRAM存储器存储器（掌握）（掌握）3.4 只读存储器和闪速存储器只读存储器和闪速存储器（了解）（了解）3.5 并行存储器并行存储器（理解）（理解）3.6 Cache存储器存储器（掌握）（掌握）25 二月 202333.1 存储器概述存储器概述l3.1.1 存储器分类存储器分类 l3.1.2 存储器的分级结构存储器的分级结构l3.1.3 存储器的技术指标存储器的技术指标25 二月 202343.1.1存储器分类（存储器分类（1/3）l按存
2、储介质分按存储介质分半导体存储器：半导体存储器：用半导体器件用半导体器件(MOS管管)组成的存储器；组成的存储器；磁表面存储器：磁表面存储器：用磁性材料用磁性材料(磁化作用磁化作用)做成的存储器；做成的存储器；光盘存储器：光盘存储器：用光介质用光介质(光学性质光学性质)构成的存储器；构成的存储器；l按存取方式分按存取方式分随机存储器：随机存储器：存取时间和存储单元的物理位置无关；存取时间和存储单元的物理位置无关；顺序存储器：顺序存储器：存取时间和存储单元的物理位置有关；存取时间和存储单元的物理位置有关；半顺序存储器：半顺序存储器：存取时间部分地依赖于存储单元的物理位置；存取时间部分地依赖于存储
3、单元的物理位置；系统主存、系统主存、Cache软盘软盘硬盘硬盘磁带磁带光盘光盘半导体半导体存储器存储器磁带磁带磁盘存储器磁盘存储器25 二月 202353.1.1存储器分类（存储器分类（2/3）l按存储内容可变性分按存储内容可变性分只读存储器只读存储器(ROM)u只能读出而不能写入的半导体存储器；只能读出而不能写入的半导体存储器；随机读写存储器随机读写存储器(RAM)：u既能读出又能写入的半导体存储器；既能读出又能写入的半导体存储器；l按信息易失性分按信息易失性分易失性存储器易失性存储器u断电后信息即消失的存储器；断电后信息即消失的存储器；非易失性存储器非易失性存储器u断电后仍能保存信息的存储
4、器；断电后仍能保存信息的存储器；半导体半导体存储器存储器半导体存储器半导体存储器磁盘光盘磁盘光盘25 二月 202363.1.1存储器分类（存储器分类（3/3）l按在计算机系统中的作用分按在计算机系统中的作用分主存储器主存储器u能够被能够被CPU直接访问，速度较快，用于保存系统直接访问，速度较快，用于保存系统当前运行当前运行所需的所需的所有程序和数据；所有程序和数据；辅助存储器辅助存储器u不能不能被被CPU直接访问，速度较慢，用于保存直接访问，速度较慢，用于保存系统中所有的系统中所有的程序和数据；程序和数据；高速缓冲存储器（高速缓冲存储器（Cache）u能够被能够被CPU直接访问，速度快，用于
5、保存系统直接访问，速度快，用于保存系统当前运行中当前运行中频繁使用的频繁使用的程序和数据；程序和数据；控制存储器控制存储器uCPU内部的存储器。内部的存储器。半导体存储器半导体存储器磁盘、光盘存储器磁盘、光盘存储器半导体存储器半导体存储器半导体存储器半导体存储器25 二月 202373.1.2存储器的分级结构存储器的分级结构动画演示：动画演示：存储器的分级存储器的分级结构结构.swfl系统对存储器的要求：系统对存储器的要求：大容量、高速度、低成本大容量、高速度、低成本25 二月 20238CPU缓存缓存主存主存辅存辅存缓存主存层次缓存主存层次主存辅存层次主存辅存层次3.1.2存储器的分级结构（
6、存储器的分级结构（1/2）l三级存储系统结构三级存储系统结构（主板上的存储系统结构）（主板上的存储系统结构）在在CPUCPU看来，容量相当于辅存容量，速度相当于看来，容量相当于辅存容量，速度相当于CacheCache速度。速度。缓存主存层次提高了缓存主存层次提高了存储系统的速度存储系统的速度该层次降低了存储系统的成本，该层次降低了存储系统的成本，扩大了存储系统的容量扩大了存储系统的容量25 二月 202393.1.3主存储器的技术指标主存储器的技术指标存储容量存储容量l存储容量：指存储器能存放二进制代码的总数。存储容量：指存储器能存放二进制代码的总数。存储容量存储容量=存储单元个数存储单元个数
7、存储字长存储字长u用用ab表示表示存储容量存储容量=存储单元个数存储单元个数存储字长存储字长/8u单位为单位为B（字节）（字节）l要求：要求：已知存储容量，能计算出该存储器的地址线和数据线的根数。已知存储容量，能计算出该存储器的地址线和数据线的根数。l例如例如某机存储容量为某机存储容量为2K16，则该系统所需的地址线为，则该系统所需的地址线为根，根，数据线位数为数据线位数为根。根。111625 二月 2023103.1.3主存储器的技术指标主存储器的技术指标存储速度存储速度l存取时间存取时间(访问时间访问时间)从启动一次访问操作到完成该操作为止所经历的时间；从启动一次访问操作到完成该操作为止所
8、经历的时间；以以ns为单位，存取时间又分读出时间、写入时间两种。为单位，存取时间又分读出时间、写入时间两种。l存取周期存取周期存储器存储器连续启动两次独立的访问操作连续启动两次独立的访问操作所需的最小间隔时间。所需的最小间隔时间。以以ns为单位，为单位，存取周期存取周期=存取时间存取时间+复原时间复原时间。l存储器带宽存储器带宽每秒从存储器进出信息的最大数量；每秒从存储器进出信息的最大数量；单位为位单位为位/秒或者字节秒或者字节/秒。秒。25 二月 202311求存储器带宽的例子求存储器带宽的例子l设某存储系统的存取周期为设某存储系统的存取周期为500ns，每个存取周期可，每个存取周期可访问访
9、问16位，则该存储器的带宽是多少？位，则该存储器的带宽是多少？存储带宽存储带宽=每周期的信息量每周期的信息量/周期时长周期时长=16位位/(500 10-9)秒秒=3.2 107位位/秒秒=32 106位位/秒秒=32M位位/秒秒25 二月 2023123.2SRAM存储器存储器l3.2.0主存储器的构成主存储器的构成l3.2.1基本的静态存储元阵列基本的静态存储元阵列l3.2.2基本的基本的SRAM逻辑结构逻辑结构l3.2.3读读/写周期波形图写周期波形图25 二月 2023133.2.0主存储器的基本结构主存储器的基本结构存储体存储体读读写写电电路路MDR数据总线数据总线驱动器驱动器译码器
10、译码器MAR 地址总线地址总线 控制电路控制电路读读写写25 二月 202314主存和主存和CPU的联系的联系MDRMARCPU主存主存地址总线地址总线数据总线数据总线读读写写25 二月 2023153.2.0主存储器的构成主存储器的构成l静态静态RAM（SRAM）由由MOS电路构成的电路构成的双稳触发器双稳触发器保存二进制信息；保存二进制信息；优点：优点：访问速度快，只要不掉电可以永久保存信息；访问速度快，只要不掉电可以永久保存信息；缺点：缺点：集成度低，功耗大，价格高；集成度低，功耗大，价格高；l动态动态RAM（DRAM）由由MOS电路中的电路中的栅极电容栅极电容保存二进制信息；保存二进制
11、信息；优点：优点：集成度高，功耗约为集成度高，功耗约为SRAM的的1/6，价格低；，价格低；缺点：缺点：访问速度慢，电容的放电作用会使信息丢失，要长访问速度慢，电容的放电作用会使信息丢失，要长期保存数据必须期保存数据必须定期刷新定期刷新存储单元；存储单元；主要用于构成主要用于构成CacheCache主要用于构成系统主存主要用于构成系统主存25 二月 202316l基本存储元基本存储元6个个MOS管形成一位存储元管形成一位存储元；l644位的位的SRAM结构图结构图存储体排列成存储元阵列；存储体排列成存储元阵列；l芯片封装后，芯片封装后，3种外部信号线种外部信号线地址线地址线：2n个单元，对应有
12、个单元，对应有n根地址线；根地址线；u地址信号经过译码电路，产生每个单元的字线选通信号；地址信号经过译码电路，产生每个单元的字线选通信号；数据线数据线：每个单元：每个单元m位，对应有位，对应有m根数据线；根数据线；控制线控制线：读写控制信号：读写控制信号u=1，为读操作；，为读操作；=0，为写操作；，为写操作；3.2.1基本的静态存储元阵列基本的静态存储元阵列R/WR/WR/W25 二月 202317六六管管SRAM存存储储元元电电路路位线位线/D位线位线D动画演示：动画演示：SRAMSRAM存储元存储元.swf.swf10010025 二月 20231825 二月 2023193.2.2基本
13、基本SRAM存储器逻辑结构存储器逻辑结构存储体存储体读读写写电电路路MDR数据总线数据总线驱动器驱动器译码器译码器MAR 地址总线地址总线 控制电路控制电路读读写写25 二月 202320RAM的译码驱动方式的译码驱动方式l方法方法1：单译码：单译码被选单元由字线直接被选单元由字线直接选定；选定；适用容量较小的存储适用容量较小的存储芯片。芯片。l方法方法2：双译码：双译码被选单元由被选单元由X、Y两个两个方向的地址决定。方向的地址决定。动画演示：动画演示：双地址译码器双地址译码器.swf25 二月 20232125 二月 20232232K8位的位的SRAM逻辑结构图逻辑结构图动画演示：动画演
14、示：3-3.swfX X方向：方向：8 8根地址线根地址线输出选中输出选中256256行行Y Y方向：方向：7 7根地址线根地址线输出选中输出选中128128列列输入输出时输入输出时分别打开不分别打开不同的缓冲器同的缓冲器输入输出时输入输出时分别打开不分别打开不同的缓冲器同的缓冲器读写、读写、选通选通控制控制三维存储三维存储阵列结构阵列结构25 二月 202323SRAM存储器的组成存储器的组成l存储体存储体存储单元的集合，按位将各存储元组织成一个存储单元的集合，按位将各存储元组织成一个存储矩阵存储矩阵；大容量存储器中，通常用大容量存储器中，通常用双译码方式双译码方式来选择存储单元。来选择存储
15、单元。l地址译码器地址译码器将将CPU发出的地址信息转换成发出的地址信息转换成存储元选通信号存储元选通信号的电路。的电路。l译码驱动器译码驱动器用于增强译码输出选择线的驱动能力。用于增强译码输出选择线的驱动能力。lI/O控制电路控制电路一般包括读写电路和放大电路。一般包括读写电路和放大电路。25 二月 202324lIntel2114静态静态RAM芯片是芯片是1K4的存储器的存储器l外部结构外部结构地址总线地址总线10根（根（A0A9）数据总线数据总线4根（根（D0D3）片选信号片选信号/CS，写允许信号，写允许信号/WEu0写，写，1读读l内部存储矩阵结构内部存储矩阵结构6464方阵方阵，共
16、有，共有4096个六管存储元电路；个六管存储元电路；l采用采用双译码方式双译码方式A3A8（6根）用于行译码根）用于行译码64行选择线行选择线;A0A2,A9用于列译码用于列译码16条列选择线条列选择线;每条列选择线同时接每条列选择线同时接4个存储元（共个存储元（共164=64列）列）静态静态RAM芯片举例芯片举例Intel2114Intel2114ABA0A9DBD0D3CSWE25 二月 2023252114逻逻辑辑结结构构图图25 二月 2023263.2.3读、写周期波形图读、写周期波形图l存储器读存储器读/写的原则写的原则读读/写信号要在地址和片选均起作用，并经过一段时间写信号要在地
17、址和片选均起作用，并经过一段时间后有效；后有效；读写信号有效期间不允许地址、数据发生变化；读写信号有效期间不允许地址、数据发生变化；地址、数据要维持整个周期内有效；地址、数据要维持整个周期内有效；l读周期时间（读周期时间（tRC）、写周期时间（）、写周期时间（tWC）存储器进行两次连续的读存储器进行两次连续的读/写操作所必须的间隔时间；写操作所必须的间隔时间；大于实际的读出大于实际的读出/写入时间；写入时间；25 二月 202327SRAM存储器的读周期存储器的读周期l读周期操作过程读周期操作过程CPU发出有效的发出有效的地址信号地址信号译码电路延迟产生有效的译码电路延迟产生有效的片选信号片选
18、信号在在读信号读信号控制下，从存储单元中控制下，从存储单元中读出数据读出数据各控制信号撤销（地址信号稍晚），数据维持一段时间各控制信号撤销（地址信号稍晚），数据维持一段时间l读出时间（读出时间（tAQ）从从地址有效地址有效到外部数据总线上的到外部数据总线上的数据信息稳定数据信息稳定所经历的时间所经历的时间l片选有效时间（片选有效时间（tEQ）、读控制有效时间（）、读控制有效时间（tGQ）片选信号、读控制信号所需要维持的最短时间，二者相等；片选信号、读控制信号所需要维持的最短时间，二者相等；从地址译码后，到数据稳定的时间间隔；从地址译码后，到数据稳定的时间间隔；存储器的读周期时序存储器的读周期时
19、序25 二月 20232825 二月 202329SRAM存储器的写周期存储器的写周期l写周期操作过程写周期操作过程CPU发出有效的发出有效的地址信号地址信号，并提供所要写入的，并提供所要写入的数据数据译码电路延迟产生有效的译码电路延迟产生有效的片选信号片选信号在在写信号写信号控制下，将数据写入存储单元中控制下，将数据写入存储单元中各控制信号撤销（地址信号稍晚），数据维持一段时间各控制信号撤销（地址信号稍晚），数据维持一段时间l写入时间（写入时间（tWD）地址控制信号稳定后，到数据写入存储器所经历的时间；地址控制信号稳定后，到数据写入存储器所经历的时间；l维持时间（维持时间（thD）写控制信号
20、失效后的数据维持时间；写控制信号失效后的数据维持时间；存储器的写周期时序存储器的写周期时序25 二月 20233025 二月 202331课本课本P70【例【例1】下图是下图是SRAM的写入时序图。的写入时序图。R/W是读是读/写命令控制线，当写命令控制线，当R/W线线为低电平时，存储器按给定地址把数据线上的数据写入存储器。为低电平时，存储器按给定地址把数据线上的数据写入存储器。请指出下图写入时序中的错误，并画出正确的写入时序图。请指出下图写入时序中的错误，并画出正确的写入时序图。R/W#信号必须在地址信号必须在地址和数据稳定时有效和数据稳定时有效一个写周期一个写周期中地址不允中地址不允许改变
21、许改变一个写操作一个写操作中数据不允中数据不允许改变许改变25 二月 2023323.3DRAM存储器存储器lDRAM的存储元的存储元由由MOS晶体管和电容组成的记忆电路；晶体管和电容组成的记忆电路；u电容上的电量来表现存储的信息；电容上的电量来表现存储的信息；u充电充电1，放电，放电0。结构形式结构形式u四管存储元四管存储元u单管存储元单管存储元l动态动态RAM（DRAM）因为该存储器必须定时刷新，才能维持其中的信息不变；因为该存储器必须定时刷新，才能维持其中的信息不变；25 二月 2023333.3.1 DRAM存储元的记忆原理存储元的记忆原理1.读出时位线有电流读出时位线有电流 为为“1
22、”位线位线（数据线）（数据线）CsT行线（字线）行线（字线）0 12.写入时写入时CS 充电为充电为“1”放电放电 为为“0”T无电流无电流有电流有电流动画演示：动画演示：DRAM存储元操作存储元操作.swf25 二月 2023343.3.2DRAM芯片的逻辑结构芯片的逻辑结构l外部地址引脚比外部地址引脚比SRAM减少一半减少一半;存储芯片集成度高，体积小；存储芯片集成度高，体积小；送地址信息时，分行地址和列地址分别传送；送地址信息时，分行地址和列地址分别传送；l内部结构：比内部结构：比SRAM复杂复杂刷新电路刷新电路u用于存储元上的信息刷新，以行为单位；用于存储元上的信息刷新，以行为单位；u
23、刷新计数器的位数与刷新计数器的位数与行译码器的输出位数行译码器的输出位数相同；相同；行、列地址锁存器行、列地址锁存器u用于保存完整的地址信息；用于保存完整的地址信息；u使用使用行选通信号行选通信号和和列选通信号列选通信号 锁存地址；锁存地址；RASCAS动画演示：动画演示：DRAMDRAM逻辑结构逻辑结构.swf.swf25 二月 202335DRAM控制电路的构成控制电路的构成l地址多路开关地址多路开关刷新时需要提供刷新地址，非刷新时需提供读写地址；刷新时需要提供刷新地址，非刷新时需提供读写地址；l刷新定时器刷新定时器间隔固定的时间提供一次刷新请求；间隔固定的时间提供一次刷新请求；l刷新地址
24、计数器刷新地址计数器刷新按行进行，用于提供对所要刷新的行进行计数；刷新按行进行，用于提供对所要刷新的行进行计数；l仲裁电路仲裁电路对同时产生的来自对同时产生的来自CPU的访问存储器的请求和来自刷新定时的访问存储器的请求和来自刷新定时器的刷新请求的优先权进行裁定；器的刷新请求的优先权进行裁定；l定时发生器定时发生器提供行地址选通提供行地址选通/RAS、列地址选通、列地址选通/CAS和写信号和写信号/WE。25 二月 2023363.3.3读读/写周期写周期lDRAM的读写周期与的读写周期与SRAM相似，差别在于：相似，差别在于：行、列地址分开传送；行、列地址分开传送；u在同一个读写周期内地址会发
25、生变化；在同一个读写周期内地址会发生变化；列选通信号列选通信号要滞后于行选通信号要滞后于行选通信号一段时一段时间；间；lDRAM读周期读周期和和写周期写周期步骤步骤行选通信号有效，锁存行地址行选通信号有效，锁存行地址写入数据有效写入数据有效列选通信号有效，锁存列地址列选通信号有效，锁存列地址读写控制信号有效读写控制信号有效读出数据有效读出数据有效RASCAS读读/写周期二选一写周期二选一动画演示：动画演示：DRAM读写周期读写周期.swf25 二月 202337读出放大器读出放大器读出放大器读出放大器读出放大器读出放大器06364127128 根行线根行线CS01271128列列选选择择读读/
26、写线写线数据输入数据输入I/O缓冲缓冲输出驱动输出驱动DOUTDINCS4116(16K 1位位)芯片芯片 读读 过程过程630I/O缓冲缓冲输出驱动输出驱动OUTD读出放大器读出放大器读出放大器读出放大器读出放大器读出放大器25 二月 202338读出放大器读出放大器读出放大器读出放大器读出放大器读出放大器06364127128 根行线根行线CS01271128列列选选择择读读/写线写线数据输入数据输入I/O缓冲缓冲输出驱动输出驱动DOUTDINCS4116(16K 1位位)芯片芯片 写写 过程过程数据输入数据输入I/O缓冲缓冲I/O缓冲缓冲DIN读出放大器读出放大器读出放大器读出放大器63
27、025 二月 2023393.3.3刷新周期刷新周期l刷新的原因刷新的原因DRAM的基本存储元的基本存储元电容，会随着时间和温度而减少；电容，会随着时间和温度而减少；必须定期地对所有存储元刷新，以保持原来的信息。必须定期地对所有存储元刷新，以保持原来的信息。l刷新（刷新（再生再生）在固定时间内对所有存储单元，通过在固定时间内对所有存储单元，通过“读出读出(不输出不输出)写入写入”的方式恢复信息的操作过程；的方式恢复信息的操作过程；l刷新方式刷新方式以存储矩阵的行为单位刷新；以存储矩阵的行为单位刷新；l刷新周期刷新周期从上一次对整个从上一次对整个M刷新结束到下一次对整个刷新结束到下一次对整个M全
28、部刷新一遍全部刷新一遍为止的时间。为止的时间。刷新过程中存储刷新过程中存储器不能进行正常器不能进行正常的读写访问的读写访问25 二月 202340DRAM的刷新方式的刷新方式l集中式刷新集中式刷新在一个刷新周期内，利用一段在一个刷新周期内，利用一段固定时间固定时间，依次对存储矩阵的，依次对存储矩阵的所有行逐一刷新，在此期间停止对存储器的读所有行逐一刷新，在此期间停止对存储器的读/写操作；写操作；存在存在死区时间死区时间，会影响，会影响CPU的访存操作；的访存操作；l分散式刷新分散式刷新将每个系统工作周期分为两部分，前半部分用于将每个系统工作周期分为两部分，前半部分用于DRAM读读/写写/保持，
29、后半部分用于刷新存储器的一行；保持，后半部分用于刷新存储器的一行；系统存取时间延长一倍，导致系统变慢；系统存取时间延长一倍，导致系统变慢；l异步式刷新异步式刷新在一个刷新周期内，分散地刷新存储器的所有行；在一个刷新周期内，分散地刷新存储器的所有行；既不会产生明显的读写停顿，也不会延长系统的存取周期；既不会产生明显的读写停顿，也不会延长系统的存取周期；25 二月 202341【例】设某存储器的存储矩阵为【例】设某存储器的存储矩阵为128128，存取周期，存取周期为为0.5s，RAM刷新周期为刷新周期为2ms，若采用集中式，若采用集中式刷新方式，试分析其刷新过程。刷新方式，试分析其刷新过程。“死时
30、间率死时间率”为为 128/4000 100%=3.2%“死区死区”时间为时间为 0.5 s 128=64 s周期序号周期序号tc012387138720tctctctc399901127读读/写或维持写或维持刷新刷新3872个周期（个周期（1936s）刷新时间间隔刷新时间间隔（2m s）tctc 128个周期个周期(64s)25 二月 202342【例】设某存储器的存储矩阵为【例】设某存储器的存储矩阵为128128，存取周期，存取周期为为0.5s，RAM刷新周期为刷新周期为2ms，若采用分散式，若采用分散式刷新方式，试分析其刷新过程。刷新方式，试分析其刷新过程。l存取周期延长一倍，为存取周期
31、延长一倍，为1s；前前0.5s用于读写，后用于读写，后0.5s用于刷新一行用于刷新一行W/RREF0W/RtRtMtCREF126REF127REFW/RW/RW/RW/R刷新间隔刷新间隔 128 个读写周期个读写周期存取周期存取周期t tC C=t tM M+t tR R读写读写 刷新刷新无无“死区死区”时间时间刷新周期为刷新周期为1s128行行128s1 1行的刷行的刷新时间新时间存储体存储体的行数的行数远小于远小于2ms2ms，没有必要没有必要25 二月 202343【例】设某存储器的存储矩阵为【例】设某存储器的存储矩阵为128128，存取周期，存取周期为为0.5s，RAM刷新周期为刷新
32、周期为2ms，若采用异步，若采用异步式刷新方式，试分析其刷新过程。式刷新方式，试分析其刷新过程。l若每隔若每隔2ms/128=15.6s刷新一行刷新一行l每隔每隔15.6s产生一个刷新请求信号；产生一个刷新请求信号；每每31.2（31）个工作周期中做刷新一行存储器的操作。）个工作周期中做刷新一行存储器的操作。周期序号周期序号012 30tMtR 读读/写写3030周期，刷新周期，刷新1 1周期周期31个周期个周期（15.5s）tMtM 29012 30tMtR31个周期个周期（15.5s）tMtM 29 读读/写写3030周期，刷新周期，刷新1 1周期周期25 二月 202344DRAMSRA
33、M存储原理存储原理集成度集成度芯片引脚芯片引脚功耗功耗价格价格速度速度刷新刷新电容电容触发器触发器高高低低少少多多小小大大低低高高慢慢快快有有无无动态动态RAM和静态和静态RAM的比较的比较25 二月 2023453.3.4存储器容量的扩充存储器容量的扩充l单个存储芯片的容量有限，实际存储器由多个芯片扩展而成；单个存储芯片的容量有限，实际存储器由多个芯片扩展而成；l存储器（存储芯片）与存储器（存储芯片）与CPU的连接的连接数据、地址、控制三总线连接；数据、地址、控制三总线连接；多个存储芯片多个存储芯片CPUu不是一一对应连接不是一一对应连接l关注关注存储芯片与存储芯片与CPU的外部引脚的外部引
34、脚l存储器容量扩充方式存储器容量扩充方式位扩展、字扩展、字位扩展位扩展、字扩展、字位扩展MDRMARCPU主存主存 地址总线地址总线数据总线数据总线读读写写SRAM、DRAM、ROM均可进行容量扩展均可进行容量扩展25 二月 202346存储芯片与存储芯片与CPU的引脚的引脚l存储芯片的外部引脚存储芯片的外部引脚数据总线数据总线：位数与存储单元字长相同，用于传送数据信息；：位数与存储单元字长相同，用于传送数据信息；地址总线地址总线：位数与存储单元个数为：位数与存储单元个数为2n关系，用于选择存储单元；关系，用于选择存储单元；读写信号读写信号/WE：决定当前对芯片的访问类型；：决定当前对芯片的访
35、问类型；片选信号片选信号/CS：决定当前芯片是否正在被访问决定当前芯片是否正在被访问；lCPU与存储器连接的外部引脚与存储器连接的外部引脚数据总线数据总线：位数与机器字长相同，用于传送数据信息；：位数与机器字长相同，用于传送数据信息；地址总线地址总线：位数与系统中可访问单元个数为：位数与系统中可访问单元个数为2n的关系；的关系；读写信号读写信号/WE：决定当前：决定当前CPU的访问类型；的访问类型；访存允许信号访存允许信号/MREQ：决定是否允许：决定是否允许CPU访问存储器；访问存储器；25 二月 202347存储器容量的位扩展存储器容量的位扩展l存储单元数不变，每个单元的位数（字长）增加；
36、存储单元数不变，每个单元的位数（字长）增加；l例如：由例如：由1K4的存储芯片构成的存储芯片构成1K8的存储器的存储器l存储芯片与存储芯片与CPU的引脚的引脚连接方法连接方法：地址线地址线：各芯片的地址线：各芯片的地址线直接直接与与CPU地址线连接；地址线连接；数据线数据线：各芯片的数据线：各芯片的数据线分别与分别与CPU数据线的不同位连接数据线的不同位连接；片选及读写线片选及读写线：各芯片的片选及读写信号：各芯片的片选及读写信号直接直接与与CPU的访存的访存及读写信号连接；及读写信号连接；lCPU对该存储器的访问是对该存储器的访问是对各对各位扩展芯片位扩展芯片相同地址单元的同时相同地址单元的
37、同时访问访问。1K4存储芯片存储芯片A0A9D0D31K8存储器存储器A0A9D0D725 二月 202348D7D0CSWEA9A01K41K41010由由1K4的存储芯片构成的存储芯片构成1K8的存储器的存储器25 二月 202349由由8K1位的芯片构成位的芯片构成8K8位的存储器位的存储器25 二月 202350存储器容量的字扩展存储器容量的字扩展l字扩展：每个单元位数不变，总的单元个数增加。字扩展：每个单元位数不变，总的单元个数增加。l例如：用例如：用1K8的存储芯片构成的存储芯片构成2K8的存储器的存储器l存储芯片与存储芯片与CPU的引脚的引脚连接方法连接方法：地址线地址线：各芯片
38、的地址线与：各芯片的地址线与CPU的的低位地址线直接连接低位地址线直接连接；数据线数据线：各芯片的数据线：各芯片的数据线直接直接与与CPU数据线连接；数据线连接；读写线读写线：各芯片的读写信号：各芯片的读写信号直接直接与与CPU的读写信号连接；的读写信号连接；片选信号片选信号：各芯片的片选信号：各芯片的片选信号由由CPU的高位地址和访存信号的高位地址和访存信号产生产生；lCPU对该存储器的访问是对该存储器的访问是对某一对某一字扩展芯片字扩展芯片的一个单元访问的一个单元访问。1K8存储芯片存储芯片A0A9D0D72K8存储器存储器A0A10D0D725 二月 2023511K81K81D7D0A
39、0A9108A10l低位的地址线与各芯片的地址线并联；低位的地址线与各芯片的地址线并联；l多余的高位地址线用来产生相应的片选信号。多余的高位地址线用来产生相应的片选信号。WE由由1K8的存储芯片构成的存储芯片构成2K8的存储器的存储器CSCS25 二月 202352l16K8的存储芯片：的存储芯片：地址线地址线14根，数据线根，数据线8根，根，/CS，/WElCPU的引脚：的引脚：地址线地址线16根，数据线根，数据线8根，根，/MERQ，/WElCPU的最高的最高2位地址和位地址和/MREQ信号产生信号产生4个芯片的片选信号；个芯片的片选信号；l4个存储芯片构成存储器的地址分配：个存储芯片构成
40、存储器的地址分配：第第1片片00000000000000000011111111111111即即0000H3FFFH第第2片片01000000000000000111111111111111即即4000H7FFFH第第3片片10000000000000001011111111111111即即8000HBFFFH第第4片片11000000000000001111111111111111即即C000HFFFFH用用16K8的芯片构成的芯片构成64K8的存储器的存储器0000H3FFFH4000H7FFFH8000H0BFFFH0FFFFH0C000H25 二月 202353译译码码器器/MREQA
41、14A15/CS16K8 /WE/CS16K8 /WE/CS16K8 /WE/CS16K8 /WEA0A13/WED0D7D0D7D0D7D0D7D0D7存储芯片的字扩展连接图存储芯片的字扩展连接图作为译码器作为译码器的使能信号的使能信号作为译码器的作为译码器的地址输入信号地址输入信号25 二月 202354l字位扩展：每个单元位数和总的单元个数都增加。字位扩展：每个单元位数和总的单元个数都增加。l例如：用例如：用1K4的存储芯片构成的存储芯片构成2K8的存储器的存储器l扩展方法扩展方法先进行位扩展，形成满足位要求的存储芯片组；先进行位扩展，形成满足位要求的存储芯片组；再使用存储芯片组进行字扩
42、展。再使用存储芯片组进行字扩展。l要求：能够计算出字位扩展所需的存储芯片的数目。要求：能够计算出字位扩展所需的存储芯片的数目。例如：用例如：用LK的芯片构成的芯片构成MN的存储系统；的存储系统；u所需芯片总数为所需芯片总数为M/LN/K片。片。存储芯片的字位扩展存储芯片的字位扩展1K4存储芯片存储芯片A0A9D0D32K8存储器存储器A0A10D0D725 二月 2023551.共需要几块芯片，进行如何扩展？共需要几块芯片，进行如何扩展？8片片2M8的的SRAM芯片进行字扩展；芯片进行字扩展；2.数据线怎么连？数据线怎么连？各芯片的数据线均直接与各芯片的数据线均直接与CPU的的8位数据总线连接
43、；位数据总线连接；3.地址线怎么连？地址线怎么连？各芯片的地址线均直接与各芯片的地址线均直接与CPU的最低的最低21位地址线连接；位地址线连接；4.控制线怎么连？控制线怎么连？读写信号直接连接；读写信号直接连接；剩余的高剩余的高3位地址线和位地址线和/MREQ和译码产生各芯片的片选和译码产生各芯片的片选信号信号/CS；【练习】【练习】用用2M8的的SRAM芯片构成一个芯片构成一个16M8的存储器，请回答以下问题：的存储器，请回答以下问题：25 二月 202356存储器与存储器与CPU的连接补充例子的连接补充例子做题思路：做题思路：l审题确定所需扩展的类型，选择合适的存储芯片；审题确定所需扩展的
44、类型，选择合适的存储芯片；原则：尽量作简单的扩展（位扩展原则：尽量作简单的扩展（位扩展字扩展字扩展字位扩展）字位扩展）l分析存储芯片和分析存储芯片和CPU的引脚特性（地址范围、地址线数目、容的引脚特性（地址范围、地址线数目、容量要求等），确定引脚的连接；量要求等），确定引脚的连接；尤其是在进行字扩展时，特别注意片选信号的产生。尤其是在进行字扩展时，特别注意片选信号的产生。u3-8译码器译码器74LS138、双双2-4译码器译码器74LS139l画出逻辑连接图，作必要的分析说明。画出逻辑连接图，作必要的分析说明。25 二月 20235774LS138译码器译码器l用于地址译码的用于地址译码的3-
45、8译码器译码器；输入输入3位地址信号，译码产生位地址信号，译码产生8个不同的选通输出；个不同的选通输出；l外部的结构图外部的结构图l引脚作用：引脚作用：输入信号输入信号A、B、C引入所要译码的三位地址信号引入所要译码的三位地址信号输出信号输出信号/Y0/Y7对应每一个存储单元，低电平有效对应每一个存储单元，低电平有效使能信号使能信号G1、/G2A、/G2B：当且仅当当且仅当G11、/G2A0、/G2B0时，译码器正常工作时，译码器正常工作Y5Y6G2BG2AG1ABCY0Y1Y2Y3Y4Y7使能使能控制端控制端地址地址输入端输入端选选通通输输出出端端25 二月 20235874LS138译码器
46、逻辑功能表译码器逻辑功能表25 二月 20235974LS138译码器内部结构图译码器内部结构图25 二月 20236074LS139译码器译码器l用于地址译码的用于地址译码的2-4译码器译码器；输入输入2位地址信号，译码产生位地址信号，译码产生4个不同的选通输出；个不同的选通输出；l外部的结构图外部的结构图l引脚作用：引脚作用：输入信号输入信号A、B引入所要译码的两位地址信号；引入所要译码的两位地址信号；输出信号输出信号/Y0/Y3对应每一个存储单元，低电平有效；对应每一个存储单元，低电平有效；使能信号使能信号/G：当且仅当当且仅当/G0时，译码器正常工作；时，译码器正常工作；使能使能控制端
47、控制端地址地址输入端输入端选选通通输输出出端端2Y12Y2G1G21A1B1Y01Y11Y21Y32Y02Y32A2B25 二月 20236174LS139译码器的逻辑功能表译码器的逻辑功能表25 二月 202362l存储器地址段分析：存储器地址段分析：A15A11A10A9A00110000000000000011001111111111101101000000000000110101111111111l存储芯片选择存储芯片选择系统程序区：系统程序区：1片片2K8ROM用户程序区：用户程序区：2片片1K4RAM，做位扩展，做位扩展 例例1.设设CPU有有16根地址线，根地址线，8根数据线，用
48、根数据线，用/MREQ作访存控制作访存控制现有下列芯片：现有下列芯片：1K4RAM；4K8RAM；8K8RAM；2K8ROM；4K8ROM；8K8ROM及及74LS138等电路等电路要求：构成要求：构成地址为地址为600067FFH的系统程序区、地址为的系统程序区、地址为68006BFFH的用户程序区的用户程序区，选择芯片并画出逻辑连接图。，选择芯片并画出逻辑连接图。系统程序区系统程序区2K8位位用户程序区用户程序区1K8位位再做字扩展再做字扩展6000H67FFH6800H6BFFH25 二月 202363芯片及引脚分析芯片及引脚分析l2K8ROM地址线：地址线：A0A10数据线：数据线：D
49、0D7控制线：控制线：/CSl1K4RAM地址线：地址线：A0A9数据线：数据线：D0D3控制线：控制线：/CS、/WElCPU地址线：地址线：A0A15数据线：数据线：D0D7控制线：控制线：/WE、/MREQ2K8ROMA0A10D0D7/CS/CS1K4RAMA0A9D0D3/WEA15A11 0110 0 A15A10 0110 10 A15A12 0110应使用应使用A15A11作为地作为地址译码信号，产生各址译码信号，产生各存储芯片的存储芯片的/CS25 二月 202364逻辑连接图逻辑连接图1K4RAMA9A0D3D0/WE/CS1K4RAMA9A0D3D0/WE/CS2K8RO
50、MA10A0D7 D0/CS74LS138G1/G2A/G2BCBA/Y4/Y5&CPU A14A15/MREQA10A13A12A11A9A0D3D0D7D4/WE100100110 0000110 125 二月 202365译码设计方案译码设计方案2&A15A14A13A12A1111选通选通ROM区区A10选通选通RAM区区25 二月 202366l可选存储芯片：可选存储芯片：1K4RAM；4K8RAM；8K8RAM；2K8ROM；4K8ROM；8K8ROM；l存储器地址分析：存储器地址分析：最小最小8K系统程序区系统程序区00000000000000000001111111111111