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1、基本放大电路基本放大电路2.1 在括号内用“”或“”表明下列说法是否正确。(1)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;()(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;()(3)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;()(4)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;()(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;()(6)由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;()(7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。()(8)晶体 管的输入电阻 rbe是一个 动态电阻,故 它与静态工 作点无关。()(9)在基本共射放大电路
2、中,若晶体管的增大一倍,则电压放大倍数相应地增大一倍。()(10)共集放大电路的电压放大倍数总是小于 1,故不能用来实现功率放大。()(11)只有当两个晶体管的类型相同(都为 NPN 管或都为 PNP 管)时才能组成复合管。()(12)复合管的类型(NPN 或 PNP)与组成它的最前面的管子类型相同。()(13)只 要 把 两 个 晶 体 管 的 复 合 管,一 定 可 以 提 高 管 子 的 输 入 电 阻。()(14)复 合 管 的 值 近 似 等 于 组 成 它 的 各 晶 体 管 值 的 乘 积。()(15)复 合 管 的 空 透 电 流 等 于 组 成 它 的 各 晶 体 管 的 空
3、 透 电 流 之 和。()(16)两个同类晶体管(例如都是 NPN 管)复合,由于两管的 UBE 叠加,受 温 度 的 影 响 增 大,所 以 它 产 生 的 漂 移 电 压 比 单 管 大。()(17)由于场效应管的栅极几乎不取电流,所以两个场效应管不能组成复合管。()(18)通常的 BJT 管在集电极和发射极互换使用时,仍有较大的电流放大作用。()(19)通常的 JFET 管在漏极和源极互换使用时,仍有正常的放大作用。()(20)有人测得某晶体管的 UBE=0.7V,IB=20A,因此推算出 rbe=UBE/IB=0.7V/20A=35k。()(21)有人测得晶体管在 UBE=0.6V,I
4、B=5A,因此认为在此工作点上的 rbe大约为26mV/IB=5.2k。()(22)有人测得当 UBE=0.6V,IB=10A。考虑到当 UBE=0V 时 IB=0 因此推算得到0.6060()100BEbeBUrkI()2.2 试分析图 2.2 所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。图 2.22.3 在图 2.3 所示电路中,已知 VCC12V,晶体管的100,bR100k。填空:要求先填文字表达式后填得数。(1)当iU0V 时,测得 UBEQ0.7V,若要基极电 流 IBQ 20 A,则bR和 RW之 和 Rbk ;而 若 测 得 UCEQ 6
5、V,则 Rck。(2)若测得输入电压有效值iU=5mV 时,输出电压有效值oU0.6V,则电压放大倍图 2.3数uA。若负载电阻 RL值与 RC相等,则带上负载后输出电压有效值oUV。2.4 已知图 2.3 所示电路中 VCC12V,RC3k,静态管压降 UCEQ6V;并在输出端加负载电阻 RL,其阻值为 3k。选择一个合适的答案填入空内。(1)该电路的最大不失真输出电压有效值 Uom;A.2VB.3VC.6V(2)当iU1mV 时,若在不失真的条件下,减小 RW,则输出电压的幅值将;A.减小B.不变C.增大(3)在iU1mV 时,将 Rw调到输出电压最大且刚好不失真,若此时增大输入电压,则输
6、出电压波形将;A.顶部失真B.底部失真C.为正弦波(4)若发现电路出现饱和失真,则为消除失真,可将。A.RW减小B.Rc减小C.VCC减小2.5 现有直接耦合基本放大电路如下:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路选择正确答案填入空内,只需填 A、B、(1)输入电阻最小的电路是,最大的是;(2)输出电阻最小的电路是;(3)有电压放大作用的电路是;(4)有电流放大作用的电路是;(5)高频特性最好的电路是;(6)输入电压与输出电压同相的电路是;反相的电路是。2.6 选择正确答案填入扩号内(1)在基本放大电路的三种组态中,输入电阻最大的放大电路是()A.共射放大电路B.共基放大
7、电路C.共集放大电路D.不能确定(2)在基本共射放大电路中,负载电阻 RL减小时,输出电阻 RO将()A.增大B.减少C.不变D.不能确定(3)在三种基本放大电路中,输入电阻最小的放大电路是()A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定(4)在电路中我们可以利用()实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。A共射电路B 共基电路C 共集电路D共射-共基电路(5)在基本放大电路的三种组态中,输出电阻最小的是()A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定(6)在由 NPN 晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为 1kHz,5mV 的正弦电压时,输出电压波形
8、出现了底部削平的失真,这种失真是()A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真(7)以下电路中,可用作电压跟随器的是()A差分放大电路B共基电路C共射电路D共集电路(8)晶体三极管的关系式 iE=f(uEB)|uCB代表三极管的A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性(9)在由 PNP 晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为 1kHz,5mV 的正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真,这种失真是()A 和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真(10)对于基本共射放大电路,Rb减小时,输入电阻 Ri将()A.增大B.减少C.不变D.不能确定(1
9、1)在基本共射放大电路中,信号源内阻 RS减小时,输入电阻 Ri将()A.增大B.减少C.不变D.不能确定(12)在三种基本放大电路中,电压增益最小的放大电路是()A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定(13)在三种基本放大电路中,电流增益最小的放大电路是()A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定(14)在晶体管放大电路中,测得晶体管的各个电极的电位如图 1.6(14)所示,该晶体管的类型是()A.NPN 型硅管B.PNP 型硅管C.NPN 型锗管2V 1.3V 6VD.PNP 型锗管图 2.6(14)(15)某三极管各个电极的对地电位如图 2.6(
10、15)所示,可判断其工作状态是()A.饱和B.放大C.截止D.已损坏图 2.6(15)(16)对于同一个晶体管而言,反向电流最小的是()A.ICBOB.ICESC.ICERD.ICEO(17)温度升高时,晶体管的反向饱和电流 ICBO将()A.增大B.减少C.不变D.不能确定(18)下列选项中,不属三极管的参数是()A.电流放大系数B.最大整流电流 IFC.集电极最大允许电流 ICMD.集电极最大允许耗散功率 PCM(19)温度升高时,三极管的值将()A.增大B.减少C.不变D.不能确定(20)下列对场效应管的描述中,不正确的是()A场效应管具有输入电阻高,热稳定性好等优点;B场效应管的两种主
11、要类型是 MOSFET 和 JFET;C场效应管工作时多子、少子均参与导电;D场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。(21)在放大电路中,场效应管应工作在漏极特性的()A.可变电阻区B.截止区C.饱和区D.击穿区(22)表征场效应管放大作用的重要参数是()A.电流放大系数B.跨导 gm=ID/UGSC.开启电压 UTD.直流输入电阻 RGS(23)下列选项中,不属场效应管直流参数的是()A.饱和漏极电流 IDSSB.低频跨导 gmC.开启电压 UTD.夹断电压 UP(24)双极型晶体三极管工作时参与导电的是()A多子B少子C多子和少子D多子或少子(25)双极型晶体三极管在放大
12、状态工作时的外部条件是()A发射结正偏,集电结正偏B发射结正偏,集电结反偏C发射结反偏,集电结反偏D发射结反偏,集电结正偏(26)温度升高时,晶体管的电流放大系数,反向饱和电流 ICBO,正向结电压 UBE。(a.变大,d.变小,c.不变)(27)温度升高时,晶体管的共射输入特性曲线将,输出特性曲线将,而且输出特性曲线之间的间隔将。(a.上移,b.下移,c.左移,d.右移,e.增大,f.减小,g.不变)(28)用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型(指 NPN 型还是 PNP 型)与三个电极时以测出最为方便。a.中极间电阻b.各极对地电位c.各极电流2.7填空:(1)场效应管从结
13、构上分成和两大类型。它们的导电过程仅仅取决于载流子。(2)场效应管属于控制型器件。(3)双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型,它们工作时有和两种载流子参于导电。(4)双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型,它们工作时有和两种载流子参与导电。场效应管从结构上分成和两大类型,它们的导电过程仅仅取决于载流子的流动。(5)场效应管属于控制型器件,而晶体管若用简化的 h 参数等效电路来分析则可以认为是控制型器件。(6)晶体三极管用来放大时,应使发射结处于偏置,集电结处于偏置。(7)晶体管穿透电流 ICEO是集-基反向饱和电流 ICBO的倍。在选用管子时,一般希望 ICEO尽量。(8)某晶体管的极限
14、参数 PCM=150mW,ICM=100mA,U(BR)CED=30V。若它的工作电压 UCE=10V,则工作电流 IC不得超过mA;若工作电压 UCE=1V,则工作电流不得超过mA;若工作电流 IC=1mA,则工作电压不得超过V。(9)已知某晶体管的 fT=150MHz,050,则当其工作频率为 50MHz 时|。(10)写出晶体管在共基接法下的电流分配关系式 ic=f(iE):。写出晶体管在共射接法下的电流分配关系式 ic=f(iB):。(11)NPN 型晶体管在什么情况下 IB=-Ic?设电流正方向为流向电极。(12)下列四组晶体三极管的关系式分别代表三极管的什么特性曲线?1、()|EE
15、BCBif uU(共极输特性);2、()|CCBEif uI(共极输特性);3、()|BBECEif uU(共极输特性);4、()|CCEBif uI(共极输特性);(13)某放大电路的负载开路时的输出电压为 4V,接入 3K的负载电阻后输出电压降为 3V,这说明放大电路的输出电阻为。(14)双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结、集电结。(15)对于基本共射放大电路,试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况(a.增大,b.减小,c.不变),选择正确的答案填入空格。Rb减小时,输入电阻 Ri;Rb增大时,输出电阻 Ro;信号源内阻 Rs增大时,输入电阻 Ri;信号源内阻 Rs减小时,
16、电压放大倍数|oussUAU;负载电阻RL增大时,电压放大倍数|oussUAU;负载电阻RL减小时,输出电阻Ro。2.8在表 2.8 中,比较晶体管和场效应管两种器件的性能,在你认为正确的栏中画:表 2.8性能晶体管场效应管静态输入电流哪个小些?放大作用哪个大些(静态电流相同时)?受温度影响哪个小些?2.9在某放大电路中,晶体管三个电极的电流如图 2.9 所示。已量出 I1=-1.2mA,I2=-0.03mA,I3=1.23mA。由此可知:1、电极是极,电级是极,电极是极。2、此晶体管的电流放大系数约为。3、此晶体管的类型是型(PNP 或 NPN)。1.10 测得工作在放大电路中两个晶体管的三
17、个电极电流如下图所示(1)判断它们各是 NPN 管还是 PNP 管,在图中标出 e,b,c 极;(2)估算(b)图晶体管的和值。1.11 已知晶体管工作在放大区,并测得各电极对地电位如图 1.11 所示。试在图中画出各晶体管的电路符号,并说明是锗管还是硅管。I1I2I3T图 2.92.12 有两只晶体管,一只的200,ICEO200A;另一只的100,ICEO10A,其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子?为什么?2.13 已知两只晶体管的电流放大系数分别为 50 和 100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图 2.13 所示。分别求另一电极的电流,标出其实际方向,并在圆圈中画出管子
18、。图 2.132.14 测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图 2.14 所示。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。图 2.142.15 电路如图 2.15 所示,晶体管导通时 UBE0.7V,=50。试分析 VBB为 0V、1V、1.5V 三种情况下 T 的工作状态及输出电压 uO的值。图 2.11图 2.15图 2.162.16 电路如图 2.16 所示,试问大于多少时晶体管饱和?2.17 分别判断图 2.17 所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。图 2.172.18 按要求填写下表。电路名称连接方式(e、c、b)性能比较(大、中、小)公共极输入极输出极uAiA RiR
19、o其它共射电路共集电路共基电路2.19 分别改正图 2.19 所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。图 2.192.20 画出图 2.20 所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。图 2.202.21 电路如图 2.21(a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时 UBEQ0.7V。利用图解法分别求出 RL和 RL3k时的静态工作点和最大不失真输出电压 Uom(有效值)。图 2.212.22 在图 2.22 所示电路中,已知晶体管的80,rbe1k,iU20mV;静态时 UBEQ0.7V,UCEQ4V,IBQ20A。判
20、断下列结论是否正确,凡对的在括号内打“”,否则打“”。图 2.22(1)200102043uA()(2)71.57.04uA()(3)4001580uA()(4)20015.280uA()(5)k1k)2020(iR()(6)k35k)02.07.0(iR()(7)k3iR()(8)k1iR()(9)k5oR()(10)k5.2oR()(11)sU20mV()(12)sU60mV()2.23 电路如图 2.23 所示,已知晶体管50,在下列情况下,用直流电压表测晶体管的集电极电位,应分别为多少?设 VCC12V,晶体管饱和管压降 UCES0.5V。(1)正常情况(2)Rb1短路(3)Rb1开路
21、(4)Rb2开路(5)RC短路图 2.232.24 电路如图 2.24 所示,晶体管的80,bbr=100。分别计算 RL和RL3k时的 Q 点、uA、Ri和 Ro。图 2.242.25 在图 2.24 所示电路中,由于电路参数不同,在信号源电压为正弦波时,测得输出波形如图 2.25(a)、(b)、(c)所示,试说明电路分别产生了什么失真,如何消除。图 2.252.26 若由 PNP 型管组成的共射电路中,输出电压波形如图 2.25(a)、(b)、(c)所示,则分别产生了什么失真?2.27 已知图 2.27 所示电路中晶体管的100,rbe=1k。(1)现已测得静态管压降 UCEQ6V,估算
22、Rb约为多少千欧;(2)若测得iU和oU的有效值分别为 1mV 和 100mV,则负载电阻 RL为多少千欧?图 2.272.28 在图 2.28 所示电路中,设静态时 ICQ2mA,晶体管饱和管压降 UCES0.6V。试问:当负载电阻 RL和 RL3k时电路的最大不失真输出电压各为多少伏?2.29 在图 2.29 所示电路中,设某一参数变化时其余参数不变,在表中填入增大减小或基本不变。参数变化IBQUCEQuARiRoRb增大Rc增大RL增大2.30 电路如图 2.30 所示,晶体管的100,bbr=100。(1)求电路的 Q 点、uA、Ri和 Ro;(2)若电容 Ce开路,则将引起电路的哪些
23、动态参数发生变化?如何变化?图 2.302.31 试求出图 2.20(a)所示电路 Q 点、uA、Ri和 Ro的表达式。2.32 设图 2.32 所示电路所加输入电压为正弦波。试问:(1)1uA=o1U/iU?2uA=o2U/iU?(2)画出输入电压和输出电压 ui、uo1、uo2的波形;图 2.322.33 电路如图 2.33 所示,晶体管的80,rbe=1k。图 2.33(1)求出 Q 点;(2)分别求出 RL和 RL3k时电路的uA和 Ri;(3)求出 Ro。2.34 电路如图 2.34 所示,晶体管的60,bbr=100。设sU10mV(有效值)(1)求解 Q 点、uA、Ri和 Ro;
24、(2),问iU?oU?若 C3开路,则iU?oU?图 2.342.35 改正图 2.35 所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。图 2.352.36 已 知 图 2.36(a)所 示 电 路 中 场 效 应 管 的 转 移 特 性 和 输 出 特 性 分 别 如 图(b)(c)所示。(1)利用图解法求解 Q 点;(2)利用等效电路法求解uA、Ri和 Ro。图 2.362.37 已知图 2.37(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示。求解电路的 Q 点和uA。图 2.372.38 电 路 如图 2.38 所示,已知场效应管的低频跨导为 gm,试写出uA
25、、Ri和 Ro的表达式。图 2.382.39 设图 2.39 所示电路中各电容对交流信号可视为短路,晶体管的=50,rbb=200,UBEQ=0.6V,求:1)静态工作点 ICQ、UCEQ各为多少?2)输入电阻 Ri,输出电阻 Ro 各为多少?3)电压放大倍数 Au 为多少?2.40 在图 2.40 的电路中,T1、T2 特性相同,且很大,求 IC2和 UCE2的值。设 UBE=0.6V。2.41 判断如图 2.41a、b 所示电路是否可能对正弦信号实现放大,不能放大的说明原因。图 2.412.42 设图 2.42 所示电路中各电容对交流信号可视为短路,晶体管的=50,rbb=200,UBEQ
26、=0.6,求:.求静态工作点 ICQ=?.该电路的输入电阻 Ri 输出电阻 Ro 各为多少?.该电路的电压放大倍数 Au 为多少?图 2.39图 2.40ab2.43 在右图 2.43 所示电路中,设 Vcc=12V,Rc=5.1K,R1=R2=150K,Rs=300,RL=,晶体管的=49,rbb=300,UBE=0.7v,设各电容对交流信号均可视为短路。(1)估算静态工作点 ICQ和 UCEQ;(2)画出该电路的简化 h 参数微变等效电路;(3)计算出 AU=UO/Ui、AUS=UO/US、Ri和 RO的值;(4)若将 C3开路,试问对该电路的 Q 点、AUS、Ri和 Ro有何影响?2.44 指出并改正图 2.44 电路中的错误使电路能够正常放大信号。图 2.42图 2.43图 2.44