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1、第10章半导体电化学与光电化学基础现在学习的是第1页，共54页图图10.1价带、导带和禁带价带、导带和禁带能带能带价带价带导带导带禁带禁带能带能带半导体中的能带结构半导体中的能带结构现在学习的是第2页，共54页图图10.2价带中的电子被激发到导带价带中的电子被激发到导带现在学习的是第3页，共54页半导体中的载流子半导体中的载流子空穴空穴电子电子现在学习的是第4页，共54页2、本征半导体、施主能级、受主能级、本征半导体、施主能级、受主能级、N型和型和P型半导体型半导体不含任何杂质，没有缺陷的半导体称为本征半导体不含任何杂质，没有缺陷的半导体称为本征半导体能够向半导体导带中提供电子的杂质原子称为施
2、主能级能够向半导体导带中提供电子的杂质原子称为施主能级能够接受或捕获半导体价带中电子的杂质原子称为受主能级能够接受或捕获半导体价带中电子的杂质原子称为受主能级现在学习的是第5页，共54页图图10.3施主能级和受主能级施主能级和受主能级（a）施主与）施主与N型半导体的能带型半导体的能带（b）受主与）受主与P型半导体的能带型半导体的能带+现在学习的是第6页，共54页10.1.2半导体中的状态密度与载流子的分布半导体中的状态密度与载流子的分布 半导体中起主要作用的是靠近半导体中起主要作用的是靠近EC的电子和靠近的电子和靠近EV的空穴。通常，的空穴。通常，导带底和价带顶的状态密度函数导带底和价带顶的状
3、态密度函数Z(E)随电子能量随电子能量E关关系为：系为：现在学习的是第7页，共54页 半导体在热平衡状态下，电子按半导体在热平衡状态下，电子按Fermi-Direc分分布规律分布在不同量子布规律分布在不同量子态上，即某一量子态被电子或空穴占据的几率分别为：态上，即某一量子态被电子或空穴占据的几率分别为：现在学习的是第8页，共54页导带中电子浓度为：导带中电子浓度为：导带中的有效状态密度导带中的有效状态密度现在学习的是第9页，共54页半导体载流子的浓度积为：半导体载流子的浓度积为：价带中空穴浓度为：价带中空穴浓度为：价带中的有效状态密度价带中的有效状态密度现在学习的是第10页，共54页1、本征半
4、导体的费米能级与载流子浓度、本征半导体的费米能级与载流子浓度本征半导体的电子浓度与空穴浓度相等，即满足本征半导体的电子浓度与空穴浓度相等，即满足本征半导体的费米能级本征半导体的费米能级（a）本征半导体能带结构）本征半导体能带结构现在学习的是第11页，共54页本征半导体的载流子浓度本征半导体的载流子浓度现在学习的是第12页，共54页2、掺杂半导体的费米能级与载流子浓度、掺杂半导体的费米能级与载流子浓度载流子浓度载流子浓度N型半导体型半导体（b）N型半导体能带结构型半导体能带结构施主浓度施主浓度掺杂后半导体的费米能级掺杂后半导体的费米能级空穴浓度空穴浓度现在学习的是第13页，共54页P型半导体型半
5、导体（c）P型半导体能带结构型半导体能带结构载流子浓度载流子浓度少子（电子）浓度少子（电子）浓度掺杂后半导体的费米能级掺杂后半导体的费米能级现在学习的是第14页，共54页10.2半导体半导体/溶液界面的结构与性质溶液界面的结构与性质10.2.1半导体半导体/溶液界面的结构与性质溶液界面的结构与性质1、半导体、半导体/溶液界面接触时的能带结构溶液界面接触时的能带结构动态平衡动态平衡现在学习的是第15页，共54页图图10.5N型半导体与溶液接触前后能带的变化型半导体与溶液接触前后能带的变化E电子能量电子能量N型半导体型半导体溶液溶液(a)溶液接触前溶液接触前E电子能量电子能量N型半导体型半导体溶液
6、溶液(b)溶液接触后溶液接触后现在学习的是第16页，共54页 N型半导体能带从本体到表面向上弯曲。同理，型半导体能带从本体到表面向上弯曲。同理，P型半导体能带一般从型半导体能带一般从本体到表面向下弯曲。本体到表面向下弯曲。现在学习的是第17页，共54页2、半导体中的空间电荷层、电位分布与能带弯曲、半导体中的空间电荷层、电位分布与能带弯曲（a）空间电荷层）空间电荷层N型半导体型半导体溶液溶液0 x-+-OHP界面界面空间电荷层空间电荷层空间电荷层空间电荷层现在学习的是第18页，共54页电位分布与能带弯曲的方向和程度电位分布与能带弯曲的方向和程度电位分布与能带弯曲的方向取决于初始电位分布与能带弯曲
7、的方向取决于初始的相对位置。的相对位置。由于标度不同，电位标的正方向与电子能级标的正方向恰恰相反。由于标度不同，电位标的正方向与电子能级标的正方向恰恰相反。实际上界面还有吸附离子，表面态等形成剩余电荷，作为半导体实际上界面还有吸附离子，表面态等形成剩余电荷，作为半导体/溶溶液界面双电层的其他来源。液界面双电层的其他来源。现在学习的是第19页，共54页（b）界面电位分布）界面电位分布N型半导体型半导体溶液溶液0 xOHP空间电荷层空间电荷层现在学习的是第20页，共54页EN型半导体型半导体溶液溶液(c)能带弯曲能带弯曲空间电荷层空间电荷层0 “自发自发”形成的双电层结构，同金属电极一样，也可以由
8、外电源充形成的双电层结构，同金属电极一样，也可以由外电源充电形成界面双电层。此时界面结构与能带弯曲取决于充电形成的电极电位。电形成界面双电层。此时界面结构与能带弯曲取决于充电形成的电极电位。现在学习的是第21页，共54页10.2.2空间电荷层的不同表现形式空间电荷层的不同表现形式1、积累层（富集层）及其特点、积累层（富集层）及其特点 空间电荷层的存在是半导体电极界面结构的一个最基本特征。通过对半空间电荷层的存在是半导体电极界面结构的一个最基本特征。通过对半导体电极施加外电势，可以对其导体电极施加外电势，可以对其空间电荷层进行调节。不同电极电位及其空间电荷层进行调节。不同电极电位及其引起的能带弯
9、曲不同，可以导致三种形式的空间电荷层。引起的能带弯曲不同，可以导致三种形式的空间电荷层。现在学习的是第22页，共54页0 x空间电荷层空间电荷层(a)积累层积累层x空间电荷层空间电荷层电位和能带弯曲电位和能带弯曲现在学习的是第23页，共54页空间电荷层载流子分布服从空间电荷层载流子分布服从Boltzmann统计规律统计规律积累层中，负的空间电荷是由于过剩的导带电子组成，故此层载流子类型与积累层中，负的空间电荷是由于过剩的导带电子组成，故此层载流子类型与本体相同，但浓度更高，因此其导电性明显增加。本体相同，但浓度更高，因此其导电性明显增加。现在学习的是第24页，共54页2、耗尽层的特点、耗尽层的
10、特点(c)耗尽层耗尽层0 x空间电荷层空间电荷层x空间电荷层空间电荷层N型半导体与溶液接触时，当不施加外电场时通常形成耗尽层。型半导体与溶液接触时，当不施加外电场时通常形成耗尽层。现在学习的是第25页，共54页3、反型层、反型层(d)反型层反型层0 x空间电荷层空间电荷层x空间电荷层空间电荷层 N N型半导体和表面能量差进一步增加时，电极型半导体和表面能量差进一步增加时，电极/溶液界面处的能带弯溶液界面处的能带弯曲进一步加大，形成所谓的反型层。曲进一步加大，形成所谓的反型层。现在学习的是第26页，共54页4、平带、平带(b)平带平带0 xx现在学习的是第27页，共54页10.2.3半导体半导体
11、/溶液界面的电位分布溶液界面的电位分布1.半导体半导体/溶液界面半导体一侧空间电荷层的电位分布溶液界面半导体一侧空间电荷层的电位分布现在学习的是第28页，共54页现在学习的是第29页，共54页图图10.8半导体半导体/溶液界面的电位分布溶液界面的电位分布半导体半导体溶液溶液x现在学习的是第30页，共54页2.半导体半导体/溶液界面电容溶液界面电容现在学习的是第31页，共54页现在学习的是第32页，共54页图图10.9P型半导体型半导体/溶液界面的费米能级钉扎溶液界面的费米能级钉扎xx3.费米能级的费米能级的“钉扎钉扎”现在学习的是第33页，共54页4.表面态的来源与类型表面态的来源与类型本征表
12、面态本征表面态非本征表面态非本征表面态现在学习的是第34页，共54页10.3半导体半导体/溶液界面上的电荷传递溶液界面上的电荷传递10.3.1平衡电位下的电荷传递平衡电位下的电荷传递1.半导体半导体/溶液界非平衡条件下面两种载流子对平衡电流的贡献溶液界非平衡条件下面两种载流子对平衡电流的贡献现在学习的是第35页，共54页图图10.10平衡电位下平衡电位下N型半导体型半导体/溶液界面的电子跃迁溶液界面的电子跃迁（a）能带结构）能带结构（b）正逆反应的电流密度）正逆反应的电流密度现在学习的是第36页，共54页2.交换电流密度交换电流密度j0现在学习的是第37页，共54页3.平衡电位下的电荷传递特点
13、平衡电位下的电荷传递特点现在学习的是第38页，共54页10.3.2非平衡条件下（极化时）的电荷传递非平衡条件下（极化时）的电荷传递1.非平衡条件下半导体非平衡条件下半导体/溶液界面的能带结构溶液界面的能带结构现在学习的是第39页，共54页图图10.11阴极极化时阴极极化时N型半导体型半导体/溶液界面的电子跃迁溶液界面的电子跃迁（a）能带结构）能带结构（b）正逆反应的电流密度）正逆反应的电流密度现在学习的是第40页，共54页2.非平衡条件下半导体非平衡条件下半导体/溶液界面的净电流溶液界面的净电流现在学习的是第41页，共54页10.4半导体半导体/溶液界面上的光电化学溶液界面上的光电化学10.4
14、.1半导体半导体/溶液界面的光电效应溶液界面的光电效应1.光照条件下半导体光照条件下半导体/溶液界面的能带结构溶液界面的能带结构现在学习的是第42页，共54页+图图10.12光照对光照对N型半导体能带结构的影响型半导体能带结构的影响（a）N型半导体型半导体/溶液界面光生电子溶液界面光生电子-空穴对的分离空穴对的分离（b）光照后半导体一侧）光照后半导体一侧/能带结构的变化能带结构的变化现在学习的是第43页，共54页2.光电压与光电流光电压与光电流现在学习的是第44页，共54页10.4.2光电化学电池光电化学电池1.光电化学伏打电池光电化学伏打电池现在学习的是第45页，共54页图图10.13由由N型半导体电极构成的光伏达电池工作原理图型半导体电极构成的光伏达电池工作原理图-N型半导体型半导体溶液溶液惰性金属惰性金属现在学习的是第46页，共54页2.光电化学合成电池光电化学合成电池现在学习的是第47页，共54页图图10.14由由N型半导体电极构成的光电化学合成的工作原理图型半导体电极构成的光电化学合成的工作原理图-N型半导体型半导体溶液溶液辅助电极辅助电极现在学习的是第48页，共54页现在学习的是第49页，共54页现在学习的是第50页，共54页现在学习的是第51页，共54页现在学习的是第52页，共54页现在学习的是第53页，共54页现在学习的是第54页，共54页