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1、 一般术语真空镀膜vacuum coating在处于真空下的基片上制取膜层的一种方法。基片substrate膜层承受体。试验基片testing substrate在镀膜开场、镀膜过程中或镀膜完毕后用作测量和（或）试验的基片。镀膜材料coating material用来制取膜层的原材料。蒸发材料evaporation material在真空蒸发中用来蒸发的镀膜材料。溅射材料sputtering material在真空溅射中用来溅射的镀膜材料。膜层材料(膜层材质)film material组成膜层的材料。蒸发速率evaporation rate在给定时间间隔内,蒸发出来的材料量,除以该时间间隔。溅
2、射速率sputtering rate在给定时间间隔内,溅射出来的材料量,除以该时间间隔。堆积速率deposition rate在给定时间间隔内,堆积在基片上的材料量,除以该时间间隔和基片外表积。镀膜角度coating angle入射到基片上的粒子方向与被镀外表法线之间的夹角。 真空蒸镀vacuum evaporation coating同时蒸发simultaneous evaporation用数个蒸发器把各种蒸发材料同时蒸镀到基片上的真空蒸发。蒸发场蒸发evaporation field evaporation由蒸发场同时蒸发的材料到基片上进展蒸镀的真空蒸发(此工艺应用于大面积蒸发以获得到理想
3、的膜厚分布)。反响性真空蒸发reactive vacuum evaporation通过与气体反响获得理想化学成分的膜层材料的真空蒸发。蒸发器中的反响性真空蒸发reactive vacuum evaporation in evaporator与蒸发器中各种蒸发材料反响,而获得理想化学成分膜层材料的真空蒸发。直截了当加热的蒸发direct heating evaporation蒸发材料蒸发所必须的热量是对蒸发材料(在坩埚中或不用坩埚)本身加热的蒸发。感应加热蒸发induced heating evaporation蒸发材料通过感应涡流加热的蒸发。电子束蒸发electron beam evapora
4、tion通过电子轰击使蒸发材料加热的蒸发。激光束蒸发laser beam evaporation通过激光束加热蒸发材料的蒸发。间接加热的蒸发indirect heating evaporation在加热装置(例如小舟形蒸发器,坩埚,灯丝,加热板,加热棒,螺旋线圈等)中使蒸发材料获得蒸发所必须的热量并通过热传导或热辐射方式传递给蒸发材料的蒸发。闪蒸flash evaportion将极少量的蒸发材料连续地做瞬时的蒸发。 真空溅射vacuum sputtering反响性真空溅射 reactive vacuum sputtering通过与气体的反响获得理想化学成分的膜层材料的真空溅射。偏压溅射bias
5、 sputtering在溅射过程中，将偏压施加于基片以及膜层的溅射。直流二级溅射direct current diode sputtering通过二个电极间的直流电压，使气体自持放电并把靶作为阴极的溅射。非对称性交流溅射asymmtric alternate current sputtering通过二个电极间的非对称性交流电压，使气体自持放电并把靶作为吸收较大正离子流的电极。高频二极溅射high frequency diode sputtering通过二个电极间的高频电压获得高频放电而使靶极获得负电位的溅射。热阴极直流溅射（三极型溅射）hot cathode direct current sp
6、uttering借助于热阴极和阳极获得非自持气体放电，气体放电所产生的离子，由在阳极和阴极（靶）之间所施加的电压加速而轰击靶的溅射。热阴极高频溅射（三极型溅射）hot cathode high frequency sputtering借助于热阴极和阳极获得非自持气体放电，气体放电产生的离子，在靶外表负电位的作用下加速而轰击靶的溅射。离子束溅射ion beam sputtering利用特别的离子源获得的离子束使靶的溅射。辉光放电清洗glow discharge cleaning利用辉光放电原理，使基片以及膜层外表经受气体放电轰击的清洗过程。物理气相堆积；PVD physical vapor de
7、position在真空状态下，镀膜材料经蒸发或溅射等物理方法气化，堆积到基片上的一种制取膜层的方法。化学气相堆积；CVD chemical vapor deposition一定化学配比的反响气体，在特定激活条件下（通常是一定高的温度），通过气相化学反响生成新的膜层材料堆积到基片上制取膜层的一种方法。磁控溅射magnetron sputtering借助于靶外表上构成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶外表特定区域，来加强电离效率，增加离子密度和能量，因而可在低电压，大电流下获得非常高溅射速率。等离子体化学气相堆积；PCVD plasma chemistry vapor deposition通过放电产
8、生的等离子体促进气相化学反响，在低温下，在基片上制取膜层的一种方法。空心阴极离子镀HCD hollow cathode discharge deposition利用空心阴极发射大量的电子束，使坩埚内镀膜材料蒸发并电离，在基片上的负偏压作用下，离子具有较大能量，堆积在基片外表上的一种镀膜方法。电弧离子镀arc discharge deposition以镀膜材料作为靶极，借助于触发装置，使靶外表产生弧光放电，镀膜材料在电弧作用下，产生无熔池蒸发并堆积在基片上的一种镀膜方法。 专用部件镀膜室coating chamber真空镀膜设备中施行实际镀膜过程的部件。蒸发器装置evaporator devic
9、e真空镀膜设备中包括蒸发器和全部为其工作所需要的装置(例如电能供应、供料和冷却装置等)在内的部件。蒸发器evaporator蒸发直截了当在其内进展蒸发的装置,例如小舟形蒸发器,坩埚,灯丝,加热板,加热棒,螺旋线圈等等,必要时还包括蒸发材料本身。直截了当加热式蒸发器evaporator by direct heat蒸发材料本身被加热的蒸发器。间接加热式蒸发器evaporator by indirect heat蒸发材料通过热传导或热辐射被加热的蒸发器。蒸发场evaporation field由数个陈列的蒸发器加热一样蒸发材料构成的场。溅射装置sputtering device包括靶和溅射所必要的
10、辅助装置(例如供电装置,气体导入装置等)在内的真空溅射设备的部件。靶target用粒子轰击的面。本标准中靶的意义确实是溅射装置中由溅射材料所组成的电极。挡板shutter用来在时间上和(或)空间上限制镀膜并借此能到达一定膜厚分布的装置。挡板能够是固定的也能够是活动的。时控挡板timing shutter在时间上能用来限制镀膜,因而从镀膜的开场、中断到完毕都能按规定时刻进展的装置。掩膜mask用来遮盖部分基片,在空间上能限制镀膜的装置。基片支架substrate holder可直截了当夹持基片的装置,例如夹持装置,框架和类似的夹持器具。夹紧装置clamp在镀膜设备中用或不用基片支架支承一个基片或
11、几个基片的装置,例如夹盘,夹鼓,球形夹罩,夹篮等。夹紧装置能够是固定的或活动的(旋转架,行星齿轮系等)。换向装置reversing device在真空镀膜设备中,不打开设备能将基片、试验玻璃或掩膜放到理想位置上的装置(基片换向器,试验玻璃换向器,掩膜换向器)。基片加热装置substrate heating device在真空镀膜设备中,通过加热能使一个基片或几个基片到达理想温度的装置。基片冷却装置substrate colding device在真空镀膜设备中,通过冷却能使一个基片或几个基片到达理想温度的装置。 真空镀膜设备真空蒸发镀膜设备vacuum evaporation coating plant借助于蒸发进展真空镀膜的设备。真空溅射镀膜设备vacuum sputtering coating plant借助于真空溅射进展真空镀膜的设备。连续镀膜设备continuous coating plant被镀膜物件（单件或带材）连续地从大气压通过压力梯段进入到一个或数个镀膜室，再通过相应的压力梯段，接着离开设备的连续式镀膜设备。半连续镀膜设备semi- continuous coating plant被镀物件通过闸门送进镀膜室并从镀膜室取出的真空镀膜设备。