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1、第一章 半导体根底知识自测题 一、（1） （2） （3） （4） （5） （6） 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、UO11.3V UO20 UO31.3V UO42V UO52.3V UO62V四、UO16V UO25V五、依照PCM200mW可得：UCE40V时IC5mA，UCE30V时IC6.67mA，UCE20V时IC10mA，UCE10V时IC20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。六、1、 UOUCE2V。2、临界饱和时UCESUBE0.7V，因而 七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。习题1.1（1）A C （2）A （3）C （
2、4）A1.2不能。由于二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 ui和uo的波形如下图。 1.4 ui和uo的波形如下图。 1.5 uo的波形如下图。 1.6 ID（VUD）/R2.6mA，rDUT/ID10，IdUi/rD1mA。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。 1.8 IZMPZM/UZ25mA，RUZ/IDZ0.241.2k。 1.9 （1）当UI10V时，假设UOUZ6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，因而稳压管未
3、击穿。故 当UI15V时，由于上述同样的缘故，UO5V。 当UI35V时，UOUZ5V。 （2）29mAIZM25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S闭合。 （2） 1.11 波形如下图。 1.12 60时ICBO32A。 1.13 选用100、ICBO10A的管子，其温度稳定性好。 1.14 1.15 晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如表管号T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe 1.16 当VBB0时，T截止，uO12V。当VBB1V时，T处于放大状态。由于当VBB3V时，
4、T处于饱和状态。由于1.17 取UCESUBE，假设管子饱和，则 1.18 当uI0时，晶体管截止，稳压管击穿，uOUZ5V。 当uI5V时，晶体管饱和，uO0.1V。由于 1.19（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T会损坏。 （e）可能1.20 依照方程 逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中，将各条曲线上uGDUGS（off）的点连接起来，便为予夹断线。 1.21 1.22 过uDS为某一确定值（如15V）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的iD值；建立iDf（uGS）坐标系，依照前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性。 1.23 uI4V时
5、T夹断，uI8V时T工作在恒流区，uI12V时T工作在可变电阻区。1.24 （a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能第二章 根本放大电路自测题 一、（1） （2） （3） （4） （5） （6） （7） 二、（a）不能。由于输入信号被VBB短路。 （b）可能 （c）不能。由于输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必定失真。 （d）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。（e）不能。由于输入信号被C2短路。 （f）不能。由于输出信号被VCC短路，恒为零。 （g）可能。 （h）不合理。由于G-S间电压将大于零。 （i）不能。由于T截止。 三、（1） （2） 四、（1）A （2）C
6、 （3）B （4）B 五、（1）C，D E （2）B （3）A C D （4）A B D E （5）C （6）B C E，A D 六、习题 2.1 e b c 大 大 中 大 c b c 小 大 大 小 b e c 大 小 小 大 2.2（a）将VCC改为VCC 。 （b）在VCC 与基极之间加Rb。 （c）将VBB反接，且加输入耦合电容。 （d）在VBB支路加Rb，在VCC与集电极之间加Rc。 2.3 图P2.3所示各电路的交流通路；将电容开路即为直流通路，图略。 2.4空载时：IBQ20A，ICQ2mA，UCEQ6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V。 带载时：IBQ20A，ICQ2mA
7、，UCEQ3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V。 2.5（1） （2） （3） （4） （5） （6） （7） （8） （9） （10） （11） （12）2.6 （1）6.4V （2）12V （3）0.5V （4）12V （5）12V2.7 2.8（a）饱和失真，增大Rb，减小Rc。 （b）截止失真，减小Rb 。 （c）同时出现饱和失真和截止失真，增大VCC。2.9 （a）截止失真 （b）饱和失真 （c）同时出现饱和失真和截止失真2.10 （1） （2） 2.11 空载时，2.12 2.13（1）静态及动态分析： (2) Ri增大，Ri4.1k；减小，1.92。 2.14 2.15 Q点
8、： 动态： 2.16 2.17 图略。2.18 （1）求解Q点： （2）求解电压放大倍数和输入电阻： （3） 求解输出电阻： 2.19 (1) (2) 2.20（a）源极加电阻RS。 （b）输入端加耦合电容，漏极加电阻RD。 （c）输入端加耦合电容 （d）在Rg支路加VGG，VDD改为VDD 2.21 （1）在转移特性中作直线uGSiDRS，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ1mA，UGSQ2V。 在输出特性中作直流负载线uDSVDDiD（RDRS），与UGSQ2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，UDSQ3V。 （2） 2.22 （1）求Q点：UGSQVGG3V 从转移特性查得，
9、当UGSQ3V时，IDQ1mA，UDSQVDDIDQRD5V （2）求电压放大倍数： 2.23 2.24 （a） （b） （c）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。 （d） （e） （f）PNP型管，上-发射极，中-基极，下-集电极。 （g）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。第三章 多级放大电路自测题 一、（1） （2） （3） （4） （5） 二、（1）A A （2）D A （3）B A （4）D B （5）C B 三、（1）B D （2）C （3）A （4）A C （5）B （6）C 四、（1）IC3（UZUBEQ3）/ Re30.3mA IE1IE20.15mA（2
10、）减小RC2。当uI0时uO0，ICQ4VEE / RC40.6mA。 习题3.1 （a）共射，共基 （b）共射，共射 （c）共射，共射 （d）共集，共基（e）共源，共集 （f）共基，共集 3.2 图（a） 图（b） 图（c） 图（d） 3.3 （1）（d）（e） （2）（c）（e） （3）（e） 3.4 图（a） 图（b） 3.5 图（c） 图（e） 3.6 3.7 3.8 3.9 （1） （2） uOuOUCQ11.23V 3.10 3.11 AdgmRD40 Ri3.12 Ri 3.13 3.14 （1） （2） 假设Ui10mV，则Uo1V（有效值）。假设R3开路，则uo0V。假设R3
11、短路，则uo11.3V（直流）。第四章 集成运算放大电路自测题 一、（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A 二、（1） （2） （3） （4） （5） 三、 四、（1）三级放大电路，第一级为共集-共基双端输入单端输出差分放大电路，第二级是共射放大电路，第三级是互补输出级。 （2）第一级：采纳共集-共基方式，增大输入电阻，改善高频特性；利用有源负载（T5、T6）增大差模放大倍数，使单端输出电路的差模放大倍数近似等于双端输出电路的差模放大倍数，同时减小共模放大倍数。 第二级共射放大电路以T7、T8构成的复合管为放大管、以恒流源作集电极负载，增大放大倍数。 第三级加偏置电路，利用D1、D2
12、消除交越失真。 五、（1） （2） （3） （4） （5） （6） （7）习题 4.1 输入级、中间级、输出级和偏置电路。 输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为互补电路，偏置电路为电流源电路。 对输入级的要求：输入电阻大，温漂小，放大倍数即可能大。 对中间级的要求：放大倍数大。 对输出级的要求：带负载才能强，最大不失真输出电压即可能大。 4.2 uO 1V 10V 14V 14V -1V -10V -14V -14V 4.3 A1通用型，A2高精度型，A3高阻型，A4高速型。 4.4 4.5 4.6 4.7 在图（a）（b）所示电路中 图（a）中： 图（b）中： 4.8（1）T
13、1和T2、组成的复合管为放大管，T5和T6为有源负载，双端输入、单端输出的差分放大电路。 （2）4.9 同题4.8。 4.10（1） （2）当有共模输入电压时，uO=0。Rc1rD，uC1uC2，因而uBE30，故uO=0。4.11 （1）C （2）C （3）B （4）A 4.12 由于UBE3UCE12UD ，UBE1UD ，UCE1UD，因而UCB0，反向电路为零，因而ICBO对输入电流妨碍特别小。 4.13（1）由于2，因而iC2iC1iI2 。 （2） iB3iI1iC2iI1iI2 （3） 4.14 图（a）所示电路中，D1、D2使T2、T3微导通，可消除交越失真。R为电流采样电阻，
14、D2对T2起过流保护。当T2导通时，uD3uBE2iOR uD1，未过流时iOR较小， uD3因小于开启电压而截止；过流时uD3因大于开启电压而导通，为T2基极分流。D4对T4起过流保护，缘故与上述一样。 图（b）所示电路中，T4、T5使T2、T3微导通，可消除交越失真。 R2为电流采样电阻，T6对T2起过流保护。当T2导通时，uBE6uBE2iOR uBE4，未过流时iOR较小，因uBE6小于开启电压T6截止；过流时6因大于开启电压T6导通，为T2基极分流。T7对T3起过流保护，缘故与上述一样。4.15 （1）为T1提供静态集电极电流、为T2提供基极电流，并为T1的有源负载。（2）T4截止。
15、由于uB4uC1uOuRuB2uB3，uE4uO，uB4uE4。（3）T3的射极电流，在交流等效电路中等效为阻值特别大的电阻。 （4）保护电路。uBE5iOR，未过流时T5电流特别小；过流时使iE550A，T5更多地为T5的基极分流。4.16 T1共射电流的放大管，T2和T3互补输出级，T4、T5、R2消除交越失失真。 4.17 （1）u11为反相输入端，u12为同相输入端。 （2）为T1和T2管的有源负载，将T1管集电极电路变化量转换到输出，使单端输出的放大倍数近似等于双端输出时的放大倍数。 （3）为T6设置静态电流，且为T6的集电极有源负载。 （4）消除交越失真。 4.18 （1）由T10
16、、T11、T9、T8、T12、T13、R5构成。 （2）三级放大电路： T1T4共集-共基差分放大电路，T14T16共集-共射-共集电路，T23、T24互补输出级。 （3）消除交越失真。UBE23UBE24UBE20UBE19第五章 放大电路的频率响应自测题 一、（1）A （2）B A （3）B A （4）C C二、（1）静态及动态分析估算： （2）估算： （3） （4），频率特性曲线略。 三、（1）60 103 （2）10 10 （3）习题 5.1（1） （2） 5.2 5.3 5.4 （1）直截了当耦合； （2）三级； （3）当f104Hz时，135o；当f105Hz时，270o 。 5.
17、5 5.6 （1） （2）图略。 5.7 图略。5.8 （1）（a） （2）（c） （3）（c）5.9 5.10（1）C1（RsRi）C2（RcRL），C1 : C25 : 1。 （2） 5.11 减小，由于在同样幅值的作用下，将减小，随之减小，必定减小。 fL减小，由于少了一个妨碍低频特性的电容。 fH减小，由于会因电压放大倍数数值的减小而减小。 5.12 5.13 （1） （2） 图略。5.14 5.15 图略。 5.16 （3）折线画法，低频段有两个拐点，f4Hz时幅频特性的斜率为40dB/十倍频，4Hzf50Hz时幅频特性的斜率为20dB/十倍频；高频段有一个拐点，f105Hz时幅频特
18、性的斜率为40dB/十倍频。图略。 5.17 （1）Ce （2）所在回路的大于所在回路的，第二级的上限频率低。 5.18 。在折线化幅频特性中，频率小于10Hz时斜率为40dB/十倍频，频率大于105Hz时斜率为40dB/十倍频。在折线化相频特性中，f10Hz时相移为90o，f105Hz时相移为90o。第六章 放大电路中的反应自测题 一、（1） （2） （3） （4） 二、（1）B （2）C （3）A （4）D 三、（a）电流串联负反应。 （b）电压并联负反应。 （c）电压串联负反应。 （d）正反应。 四、（1）应引入电压串联负反应。 （2）五、由于f105Hz时，为使如今，则需 习题 6.1
19、 （1）B B （2）D （3）C （4）C （5）A B B A B6.2 （1）A （2）B （3）C （4）D （5）B （6）A6.3 （1） （2） （3） （4） 6.4 （a）直流负反应 （b）交、直流正反应 （c）直流负反应 （d）、（e）、（f）、（g）、（h）均引入交、直流负反应 6.5 （a）交、直流负反应 （b）交、直流负反应 （c）RS引入交、直流负反应，C2引入交流正反应。 （d）、（e）、（f）均引入交、直流负反应。 （g）R3和R7引入直流负反应，R4引入交、直流负反应。 6.6 （d）电流并联负反应 （e）电压串联负反应 （f）电压串联负反应 （g）电压串联负
20、反应 （h）电压串联负反应 6.7 （a）电压并联负反应 （b）电压并联负反应 （e）电流并联负反应 （f）电压串联负反应 （g）电流串联负反应 6.8 6.9 6.10（d）输入电阻减小，输出电阻增大。（e）（h）输入电阻增大，输出电阻减小。 6.11（a）输入电阻减小，输出电阻增大。 （b）输入电阻减小，输出电阻减小。（c）输入电阻增大，输出电阻增大。 （e）输入电阻减小，输出电阻增大。 （f）输入电阻增大，输出电阻减小。 （g）输入电阻增大，输出电阻增大。 6.12 电压串联负反应 无穷大 11 11 1 14 14 16.13 假设uB1= uB2增大，则产生以下过程： uB1= uB
21、2uC1= uC2(uB4= uB5)iE4=iE5uR5(uB3)iC3uR1 uC1= uC2 6.14 （1）Af1/F500 （2）Af相对变化率为A的相对变化率的，约为0.1。6.15 6.16 UO的调理范围约为 6.17 反应系数的上限值为60dB，即的上限值为103。 6.18 6.19 （1）引入电流串联负反应，通过电阻Rf将三极管的发射极与T2管的栅极连接起来。（2） Rf18.5k 6.20（1）一定会产生自激振荡。由于在f103Hz时附加相移为45o，在f104Hz时附加相移约为135o，在f105Hz时附加相移约为225o，因而附加相移为180o的频 率在104Hz1
22、05Hz之间，如今，故一定会产生自激振荡。 （2）加消振电容，在晶体管T2的基极与地之间。 （3）可在晶体管T2基极和集电极之间加消振电容。由于依照密勒定理，等效在基极与地之间的电容比实际电容大得多。 6.21 （a）C2到R3，提高输入电阻，改善跟随特性。 （b）C2到R3，提高第二级跟随范围，增大放大倍数，使输出的正方向电压有可能高于电源电压。 6.22 （1） （2） （由于ro特别小） （参阅P297P298） 6.23 （a）反应放大电路的根本放大电路如以下图所示，因而 整个电路的输入电阻约为（RRf /Aod）。 （b）反应放大电路的根本放大电路如以下图所示，因而 第七章 信号的运
23、算和处理自测题 一、（1） （2） （3） （4） 二、（1）C （2）F （3）E （4）A （5）C （6）D 三、（1）带阻 （2）带通 （3）低通 （4）有源 四、 习题 7.1 （1）反相 同相 （2）同相 反相 （3）同相 反相 （4）同相 反相 7.2 （1）同相比例 （2）反相比例 （3）微分 （4）同相求和 （5）反相求和 （6）乘方 7.3 uO1(Rf /R) uI10 uI uO2(1+Rf /R ) uI11 uI uI/V0.10.511.5uO1151014uO21.15.51114 7.4 可采纳反相比例运算电路，电路方式如图P7.3(a)所示。R20k，Rf2
24、M。 7.5 由图可知Ri50k，uM2uI。 7.6 （1）uO2 uI4V （2）uO2 uI4V （3）电路无反应，uO14V 。 （4）uO4 uI8V 7.7 （1）1 0.4 （2）10 7.8 （a）uO2 uI12 uI25 uI3 （b）uO10 uI110 uI2uI3 （c）uO8（ uI2uI1） （d）uO20 uI120 uI240 uI3uI4 7.9 由于均有共模输入信号，因而均要求器具有高共模抑制比的集成运放。 7.10 （a）uICuI3 （b） （c） （d） 7.11 ILUZ / R20.6mA 7.12 （1）uO2uP210（ uI2uI1） uO
25、10（1R2 /R1）（ uI2uI1）或uO10（RW /R1）（ uI2uI1） （2）uO100mV （3）uO10（10 /R1min）（ uI2maxuI1min）V=14V，R1min71k R2maxRWR1min（100.071）k9.93 k 7.13 （c） uO10（uI1uI2uI3） 7.14 当uI为常量时 假设t0时uO0，则t5ms时uO10055103V2.5V。 当t15mS时，uO-100(-5)10103（2.5）V2.5V。因而输出波形为 7.15输出电压与输入电压的运算关系为uO100uI（t2t1） uIuC（t1），波形如图下所示。 7.16 （
26、a） （b） （c） （d） 7.17 （1）uO1uOuI，uCuO， （2）uO10uIt110（1）t1V6V，故t10.6S。即经0.6秒输出电压到达6V。 7.18 7.19（1）UA7V，UB4V，UC1V，UD2V，uO2 UD 4V。（2）uO2 UDuO3 7.20 7.21 （1）上为“”，下为“” （2），因而 7.22 7.23 方框图如图7.3.9所示，N5时为5次方电路；N0.2时为5次幂电路。 7.24 （1）带阻滤波器 （2）带通滤波器 （3）低通滤波器 （4）低通滤波器 7.25 （a）高通滤波器 （b）高通滤波器 （c）带通滤波器 （d）带阻滤波器 7.26
27、 将两个滤波器串联，图略。 7.27 7.28 uO1：高通。uO2：带通。uO2：低通。 7.29 参阅P362P363。7.30 7.31 参阅7.5节。 7.32 略。第八章 波形的发生和信号的转换自测题 一、（1） （2） （3） （4） 二、（a）加集电极电阻Rc及放大电路输入端的耦合电容。 （b）变压器副边与放大电路之间加耦合电容，改同铭端。 三、与相连，与相连，与相连，与相连。四、（1）正弦波振荡电路 （2）同相输入过零比拟器 （3）反相输入积分运算电路 （4）同相输入滞回比拟器 五、图（b）中UT0.5 UZ。六、（1）A1：滞回比拟器；A2：积分运算电路。 （2） （3）（4
28、） （5）减小R4、C、R1，增大R2。习题 8.1 （1） （2） （3） （4） （5） （6） 8.2 （1） （2） （3） （4） （5） （6）8.3 （1）A （2）B （3）C 8.4 （1）B A C （2）B C A （3）B 8.5 （a）可能产生正弦波振荡。由于共射放大电路输出电压和输入电压反相（A180o），而三级移相电路为超前网络，最大相移为270o，因而存在使相移为180o（F180o）的频率，即存在满足正弦波振荡相位条件的频率f0（如今AF0o）；且在ff0时有可能满足起振条件1，故可能产生正弦波振荡。（b）可能产生正弦波振荡。由于共射放大电路输出电压和输入电压
29、反相（A180o），而三级移相电路为滞后网络，最大相移为270o，因而存在使相移为180o（F180o）的频率，即存在满足正弦波振荡相位条件的频率f0（如今AF360o）；且在ff0时有可能满足起振条件1，故可能产生正弦波振荡。8.6 （1）不能，由于不存在满足相位条件的频率。（2）可能，由于存在满足相位条件的频率，且有可能满足幅值条件。 8.7 （1）依照起振条件。 （2）求解振荡频率的范围。 8.8 （1）（2） 8.9 （1）上“”下“” （2）输出严峻失真，几乎为方波。 （3）输出为零。输出为零。 （5）输出严峻失真，几乎为方波。 8.10（1）在特定频率下，由A2组成的积分运算电路的
30、输出电压超前输入电压90o，而由A1组成的电路的输出电压滞后输入电压90o，因而和互为依存条件，即存在f0满足相位条件。在参数选择适宜时也满足幅值条件，故电路在两个集成运放的输出同时产生正弦和余弦信号。（2）解方程组： 可得正实根，求出。（3） UO2maxUZ6V对方程组中的第三式取模，并将代入可得，故。假设uO1为正弦波，则uO2为余弦波。图略。 8.11 （a）原边线圈上端和副边线圈上端为同铭端。 （b）原边线圈上端和副边线圈下端为同铭端。 （c）原边线圈下端和副边线圈下端为同铭端。 （d）原边线圈左端和副边线圈右端为同铭端。 图略。8.12 （a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可
31、能 8.13 （b）加耦合电容。 （c）加耦合电容，改同铭端。 8.14（a）选频网络：C和L；正反应网络：C2和RW；负反应网络：C和L。满足相位条件。 （b）选频网络：C2和L；正反应网络：C2和L；负反应网络：R8 。满足相位条件。 8.15 8.16 8.17 （1）A1工作在线性区（电路引入了负反应）；A2工作在非线性区（电路仅引入了负反应）。 （2）uO1iIR1100iI 8.18 8.19 （1）T（R1R2）C ln33.3mS （2） 8.20 三处错误：（1）集成运放“”“”接反；（2）R、C位置接反；（3）输出限幅电路无限流电阻。 8.21 ，；，；，；。 8.22 R
32、W2滑动端在最上端 RW2滑动端在最下端8.23 （1）在A1组成的滞回比拟器中： 在A2组成的积分运算电路中： 求解T1： 求解占空比： （2）波形：8.24 8.25 8.26 （1）波形 （2）求解振荡频率：首先求出电压比拟器的阈值电压，然后依照振荡周期近似等于积分电路正向积分时间求出振荡周期，振荡频率是其倒数。 8.27 （1）T导通时，uN1uI /3。 T截止时， （2） （3） （4） 8.28 8.29 参照图P8.26、P8.27。8.30 参阅P451P452。8.31 参阅P448、P452P454。第九章 功率放大电路自测题 一、（1）A （2）B （3）C （4）B
33、D E （5）C 二、（1）消除交越失真。（2）最大输出功率和效率分别为 （3）R11k，故R5至少应取10.3 k。习题9.1 （1） （2） （3） （4） （5） （6） 9.2 （1）C （2）B （3）C （4）C （5）A 9.3 （1）最大输出功率和效率分别为 （2）最大功耗 （3）输入电压 9.4 （1）UB11.4V UB30.7V UB517.3V （2） （3）假设静态时iB1iB2，则应增大R3。 （4）采纳如下图两只二极管加一个小阻值电阻适宜，也可只用三只二极管。 9.5 最大输出功率和效率分别为 9.6 应引入电压并联负反应，由输出端经反应电阻Rf接T5管基极，图略。Rf 10 k。 9.7 功放管的最大集电极电流、最大管压降、最大功耗分别为 9.8 （1）最大不失真输出电压有效值 （2）负载电流最大值