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2、毕业论文指导老师无关。4.本人所呈交的毕业论文，是在指导老师的指导下独立进行研究所取得的成果。论文中凡引用他人已经发布或未发表的成果、数据、观点等，均已明确注明出处。论文中已经注明引用的内容外，不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究成果做出重要贡献的个人和集体，均已在论文中已明确的方式标明。学位论文作者（签名）：年 月 关于毕业论文使用授权的声明 本人在指导老师的指导下所完成的论文及相关的资料（包括图纸、实验记录、原始数据、实物照片、图片、录音带、设计手稿等），知识产权归属华北电力大学。本人完全了解大学有关保存，使用毕业论文的规定。同意学校保存或向国家有关部门或机构送
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4、家有关部门或者机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入学校有关数据库和收录到中国学位论文全文数据库进行信息服务。在不以赢利为目的的前提下，学校可以适当复制论文的部分或全部内容用于学术活动。论文作者签名：日期：指导教师签名：日期：第一章 绪论 1.1 电源技术的发展概况 电力电子技术就是利用半导体功率开关器件、电力电子技术和控制技术，对电气设备的电功率进行变换和控制的一门技术。上个世纪 80 年代以来，由于半导体器件，电子技术等的不断推陈出新，电力电子技术有了突飞猛进的发展，其对工业发展所产生的巨大作用，被各国的专家学者称为人类社会继计
5、算机之后的第二次的电子革命，它在世界各国工业文明的发展中所起的关键作用可能仅次于计算机。电源是电力电子技术的主要应用领域之一，随着新的电子元器件、新电磁材料、新变换技术、新的控制技术的出现与应用，逆变电源技术得到越来越广泛的应用。电源技术的发展，大体经历了几个阶段：由磁放大式到硅二极管整流式，再到可控硅（晶闸管）整流式，直到发展到逆变式(开关式)。采用逆变技术，可使所设计的电源具有许多方面的优越性：1.可灵活地调节输出电压或电流的幅度和频率通过控制回路，我们可以控制逆变电路的工作频率和输出时间的比例，从而使输出电压或电流的频率和幅值按照人们的意愿或设备工作的要求来灵活地变化。2.可将蓄电池中的
6、直流电转换成交流电或其他形式的直流电，这样就不会因为交流电网停电或剧烈变化而影响工作。3.可明显地减小用电设备的体积和重量，节省材料在很多用电设备中，变压器和电抗器在很大程度上决定了其体积和重量，如果我们将变压器绕组中所加电压的频率大幅度提高，则变压器绕组匝数与有效面积之积就会明显减小，变压器的体积和重量明显地减小了。4采用逆变技术的电源还具有高效节能的优越性，表现在如下几个方面：1)在许多应用交流电动机的场合，在其负载变化时，传统的方法是调节电动机的通电时间所占比例，这样电动机就会频繁地制动、起动。而电动机的起动、制动消耗的能量往往很大，如使用变频电源来调节电动机做功的量，则可节约很大一部分
7、能量。2)采用逆变技术的电源，其变压器的体积和重量大大减小了，也即减小了铁心横面积和线圈匝数。变压器本身的损耗主要包括原、副边铜耗和铁芯损耗，铁 芯横面积和线圈匝数的大幅度减小也就大大降低了铜耗和铁耗。因此，采用逆变技术大大提高变压器的工作频率，使得变压器的损耗变得比工频工作时小得多，从而达到节能的目的。3)传统的、采用工频变压器的整流式电源设备的功率因数一般在 0.5-0.8之间，这是因为其电流谐波成分和相移角都比较大。在逆变电源中，如果用功率因数校正技术，能使输入电流的谐波成分变得很小，从而使功率因数约为 1，节能的效果非常明显。5.动态响应快、控制性能好、电气性能指标好由于逆变电路的工作
8、频率高，调节周期短，使得电源设备的动态响应或者说动态特性好，表现为：对电网波动的适应能力强、负载效应好、启动冲击电流小、超调量小、恢复时间快、，输出稳定、纹波小。6.电源故障保护快由于逆变器工作频率高、控制速度快，对保护信号反应快，从而增加了系统的可靠性。另外，现代越来越复杂的电子设备对电源提出了各种各样的负载要求，一个特定用途的电源，应当具有特定的负载性能要求和外特性，同时还应当具备安全可靠、高效、高功率因数、低噪音的特点，另外，无电磁干扰、无电网污染、省电节能也是我们应当认真考虑的设计要求。电源技术发展到今天，已融汇了电子、功率集成、自动控制、材料、传感、计算机、电磁兼容、热工等诸多技术领
9、域的精华，已从多学科交叉的边缘学科成长为独树一帜的功率电子学。1.2 电力系统仿真工具箱 SimPower 的应用及其意义 为了大幅度地提高效率，在研制新型电源系统的过程中，往往采用如下程序：首先提出一个新的设想，然后对其进行仿真以验证该设想的可行性，并验证其性能参数，在达到了预期的效果后，再进行硬件实现，这种方法已逐渐成为科研工作的一种主要模式。目前，计算机仿真技术在现代工业产品的设计和开发中发挥了越来越重要的作用，其主要作用有：(1)取代人工解析分析，减轻设计劳动强度和重复性劳动。(2)提高分析速度、分析精度和分析广度。比真实电路实验可扩大研究范围，测得更多的数据，如元器件中的数值和波形，
10、研究系统性能受其变化的影响。(3)设计任务确定后立即做仿真，进行充分可行性论证后再订购贵重、特殊器件，既节省资金又缩短开发过程，提高产品的质量。用 PC 机仿真系统代替实验可大大减小元器件损坏引起的损失，更重要的是某些无法进行实地实验、艰苦和危险场合（如太空），只有通过仿真，才能进行全面的考察，故障的模拟，实基于单片机控制新型高效率正弦波逆变电路的设计与仿真际存在的非线性因素允许到什么程度。(4)减小初投资，一套仿真设备就是规模很大的实验室，可以做许多电路与系统产品的研究。常 用 的 仿 真 软 件 有PSPICE程 序(Personal Simulation Program WithInte
11、grated Circuit Emphasis)和 MATLAB 语言，PSPICE 程序是 Microsim公司出版的，是电子 CAD 中的电子模拟软件，其目的是在所设计的电路硬件实现之前，先对电路进行模拟运行，从而对硬件电路进行可行性论证分析。PSPICE可提供时域仿真，又可提供频域仿真，能对电路的动态工作过程进行细致的仿真分析，可它缺乏控制系统的设计工具和分析手段，难于进行机电控制系统的仿真。MATLAB 语言是一种功能强大的控制系统计算机辅助设计和仿真语言，易于实现很多控制系统的仿真，可以避免大量的时间用于编制仿真程序，随着 MATLAB软件推出电力系统仿真工具箱 SimPower，可
12、同时涉及控制和电路的混合系统的仿真，为电源的运行性能分析提供了强有力的工具。可以说，利用 MATLAB 语言对所设计的电力电子设备进行仿真，不仅提高了产品的可靠性，而且也缩短了产品的开发周期，对电力电子产品的开发具有很大的帮助作用。1.3 本课题完成的主要任务 本课题的主要任务是了解并掌握电力电子器件 IGBT 的原理和使用，并用电源的逆变技术设计出一台基于单片机控制的新型高效率正弦波逆变电路，先用MATLAB语言的电力仿真工具箱SimPower对所设计的系统进行仿真，分析其可行性，在此基础上，对所设计的电源系统进行调试，故本课题的名字为：基于单片机控制新型高效率正弦波逆变电路的设计与仿真。本
13、课题所设计逆变电源的参数要求：(1)输入电压：市电三相电源 380VAC10；(2)输出电压：输出为单相 220VAC(有效值)、频率为 50Hz 的稳压电源；(3)输出功率：3KW，允许过载 10；(4)整机效率：设计目标为 90；(5)稳压精度：小于2。第二章 基本原理 2.1 IGBT 管的基本原理与特性 绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor）简称 IGBT，因为它的等效结构具有晶体管模式，所以称为绝缘栅双极型晶体管。IGBT 于 1982年开始研制，1986 年投产，是发展很快而且很有前途的一种混合型器件。IGBT综合了 MOS 和 G
14、TR 的优点，其导通电阻是同一耐压规格的功率MOS 的 1/10，开关时间是同容量 GTR 的 1/10。在电机控制、中频电源、各种开关电源以及其他高速低损耗的中小功率领域，IGBT 有取代 GTR 和 VDMOS 的趋势。2.1.1 IGBT 的工作原理 1.IGBT 的结构 就 IGBT 的结构而言，是在 N 沟道 MOSFET 的漏极 N 层上又附加上一层 P 层的P N PN的四层结构。图 2-1(a)为 N 沟道 VDMOSFET 与 GTR 组合的 N 沟道 IGBT（N-IGBT）。IGBT 比 VDMOSFET 多一层P注入区，形成了一个大面积的P N结1J，使 IGBT 导通
15、时由P注入区向 N 基区发射少子，从而对漂移区电导率进行调制，使得 IGBT 具有很强的通流能力。简化等效电路表明，IGBT 是 GTR 与 MOSFET 组成的达林顿结构，是一个由 MOSFET 驱动的厚基区PNP晶体管，ffR为晶体管基区内的调制电阻。2.IGBT 的工作原理 N 沟道 IGBT 通过在栅极发射极间加阈值电压THU以上的（正）电压，在栅极电极正下方的P层上形成反型层（沟道），开始从发射极电极下的N层注入电子。该电子为P N P晶体管的少数载流子，从集电极衬底P层开始注入空穴，进行电导率调制（双极工作），所以可以降低集电极发射极间饱和电压。工作时的等效电路如图 2-1(b)所
16、示，在发射极电极侧形成N PN寄生晶体管。若寄生晶体管工作，又变成P N PN晶闸管。电流继续流动，直到输出侧停止供给电流。通过输出信号已不能进行控制。这种状态称为闭锁状态。为了抑制寄生晶体管的工作，IGBT 采用尽量缩小P N P晶体管的电流放大系数作为解决闭锁的措施。具体来说，P N P的电流放大系数设计在 0.5 以下 IGBT 的闭锁电流 IL为额定电流（直流）的 3 倍以上。IGBT 的驱动原理与功率 MOSFE 基本相同，为场控器件，通断由栅射极电压GEU决定。17 导通：GEU大于开启电压时，MOSFET 内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT 导通。导通压降：电导调制效应使
17、电阻onR减小，使通态压降减小。关断：栅、射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。2.1.2 IGBT 的特性与参数特点 1.IGBT 的伏安特性和转移特性 IGBT 的伏安特性如图 2-2(a)所示，它反映在一定的栅极发射极电压GEU与cI的关系。GEU越高，cI越大。值得注意的是，IGBT 的反向电压承受能力很差，从曲线中可知，其反向阻断电压BMU只有几十伏，因此限制了它在需要承受高反压场所的使用。图 2-2(b)是 IGBT 的转移特性曲线。当GEGE(TH)UU(开启电压，一般为36 伏)时，IGBT开通，其输出电流CI与驱动电压GE
18、U基本呈线性关系。当GEGE(TH)UU时，IGBT 关断。2.IGBT 的参数特点(1)IGBT 的开关特性好，开关速度快，其开关时间是同容量 GTR 的 1/10。IGBT 的开通过程是从正向阻断状态转换到正向导通的过程。开通时间ont定义为从驱动电压GEU 的脉冲前沿上升到最大值GEMU的 10%所对应的时间起至集电极电流CI上升到最大值CMI的 90止所对需要的时间.ont又可分为开通延迟时间()d ont和电流上升时间rt两部分。()d ont定义为从 10CEMU到 10CMI所需的时间，rt定义为CIcI从 10CMI上升至90CMI所需要的时间，如图2-3所示。图 2-3 IG
19、BT 的开关特性 IGBT 的关断过程是从正向导通状态转换到正向阻断状态的过程。关断时间offt定义为从驱动电压GEU的脉冲后沿下降到 90CEMU处起至集电极电流下降到 10CMI处所经过的时间。offT又可分为关断延迟时间()d offt和电流下降时间ft两部分。()d offT是从 90CEMU至 90CMI所需的时间；ft是指 90CMI下降至10CMI所需的时间，ft由1fit(由IGBT中的MOS管决定)和2fiT(由IGBT中的PNP晶体管决定)两部分组成。IGBT 的开关时间与集电极电流、栅极电阻以及结温等参数有关。随着集电极电流CI和栅极电阻GR的增加，其中GR对开关时间影响
20、较大。(2)IGBT 的通态压降低。在大电流段是同一耐压规格的 VDMOS 的 1/10 左右。在小电流段的 1/2 额定电流以下通态压降有负温度系数，因此 IGBT 在并联使用是具有电流自动调节能力。(3)IGBT 的集电极电流最大值CMI。在 IGBT 管中由GEU来控制CI的大小，当CI大到一定的程度时，IGBT 中寄生的 NPN 和 PNP 晶体管处于饱和状态，栅极 G失去对集电极电流 Ic 的控制作用，这叫擎住效应。IGBT 发生擎住效应后，CI大、功耗大，最后使器件损坏。为此，器件出厂时必须规定集电极电流的最大值CMI，以及与此相应的栅极发射极最大电压CEMU。集电极电流值超过CM
21、I时，IGBT 产生擎住效应。另外器件在关断时电压上升率CEdUdt太大也会产生擎住效应。(4)IGBT 的安全工作区比 GTR 宽，而且还具有耐脉冲电流冲击的能力。IGBT在开通时为正向偏置，其安全工作区称为正偏安全工作区 FBSOA，如图 2-4(a)所示，IGBT 的导通时间越长，发热越严重，安全工作区越小。IGBT 在关断时为反向偏置，其安全工作区称为反偏安全工作区 RBSOA，如图 2-4(b)所示，RBSOA与电压上升率CEdUdt有关，CEdUdt越大，RBSOA 越小。在使用中一般通过选择适当的 UCE 和栅极驱动电阻控制CEdUdt，避免 IGBT 因CEdUdt过高而产生擎
22、住效应。图 2-4IGBT 的安全工作区(5)IGBT 的输入阻抗高，可达 1091011 欧姆数量级，呈纯电容性，驱动功率小，这些与 VDMOS 相似。(6)与 VDMOS 和 GTR 相比，IGBT 的耐压可以做得更高，最大允许电压 UCEM可达到 4500 伏以上。(7)IGBT 的最高允许结温为150。VDMOS 的通态压降随结温升高而显著增加，而 IGBT 的通态压降在室温和最高结温之间变化很小，具有良好的温度特性。2.1.3 IGBT 的保护 IGBT 与电力 MOSFET 管一样具有极高的输入阻抗，容易造成静电击穿，故在存放和测试时应采取防静电措施。IGBT 作为一种大功率电力电
23、子器件常用于大电流、高电压的场合，对其采取保护措施，以防器件损坏显得非常重要。(1)过电流保护 IGBT 应用于电力系统中，对于正常过载（如电机起动、滤波电容的合闸冲击以及负载的突变等）系统能自动调节和控制，不至于损坏 IGBT。对于非正常的短路故障要实行过流保护。通常的做法是：切断栅极驱动信号。只要检测出过流信号，就在 2us 内迅速撤除栅极信号。当检测到过流故障信号时，立即将栅压降到某一电平，同时启动定时器，在定时器到达设定值之前，若故障消失，则栅压又恢复到正常工作值；若定时器到达设定值时故障仍未消除，则把栅压降低到零。这种保护方案要求保护电路在12 s内响应。(2)过电压保护 利用缓冲电
24、路能对 IGBT 实行过电压抑制并抑制过量的电压变化率 dU dt。但由于 IGBT 的安全工作区宽，因此，改变栅极电阻的大小，可减弱 IGBT 对缓冲电路的要求。然而，由于 IGBT 控制峰值电流能力比 VDMOS 强，因此在有些应用中可不用缓冲电路。(3)过热保护 利用温度传感器检测 IGBT 的壳温，当超过允许温度时主电路跳闸以实现过热保护。2.2 逆变技术及其原理 通常，把交流电变成直流电的过程叫做整流；完成整流功能的电路叫做整流电路。与之相对应，把直流电变成交流电的过程叫做逆变，完成逆变功能的电路则称为逆变电路，而实现逆变过程的装置叫做逆变设备或逆变器。现代逆变技术就是研究现代逆变电
25、路的理论和应用设计方法的一门科学。这们学科是建立在工业电子技术、半导体器件技术、现代控制技术、现代电力电子技术、半导体变流技术、脉宽调制（PWM）技术、磁性材料等学科基础之上的一门实用技术。2.2.1 现代逆变技术的分类 现代逆变技术种类很多，其主要的分类方式如下：1.按逆变器输出交流的频率，可分为工频逆变（5060Hz）、中频逆变(400Hz到十几 KHz)、高频逆变(十几 KHz 到 MHz)。2.按逆变器输出的相数，可分为单相逆变、三相逆变和多相逆变。3.按输出能量的去向，可分为有源逆变和无源逆变。4.按逆变主电路的形式，可分为单端式、推挽式、半桥式和全桥式逆变。5.按逆变主开关器件的类
26、型，可分为晶闸管逆变、晶体管逆变、场效应管逆变、IGBT 逆变等等。6.按输出稳定的参量，可分为电压型逆变和电流型逆变。7.按输出电压或电流的波形，可分为正弦波输出逆变和非正弦波输出逆变。8.按控制方式，可分为调频式（PFM）逆变和调脉宽式（PWM）逆变.9.按逆变开关电路的工作方式，可分为谐振式逆变、定频硬开关式逆变和定频软开关式逆变。13 2.2.2 逆变电路的基本工作原理 图 2-5(a)为单相桥式逆变电路，S1-S4 是桥式电路的 4 个臂，它们由电力电子器件及其辅助电路组成。当开关 S1、S4 闭合，S2、S3 断开时，负载电压ou为正；当开关 S1、S4 断开，S2、S3 闭合时，
27、ou为负，其波形如图 2-5(b)所示。这样，就把直流电变成交流电，改变两组开关的切换频率，即可改变输出交流电的频率。这就是逆变电路的最基本的工作原理。图 2-5 逆变电路及其波形举例 当负载为电阻时，负载电流oi和电压ou的波形形状相同，相位也相同。当负载为阻感时，oi相位滞后于ou，两者波形的形状也不同，图 2-5(b)给出的就是阻感负载时oi波形。设1t时刻以前 S1、S4 导通，ou和oi均为正。在1t时刻断 开 S1、S4，同时合上 S2、S3，则ou的极性立刻变为负。但是，因为负载中有电感，其电流极性不能立刻改变而仍维持原方向。这时负载电流从直流电源负极流出，经 S2、负载和 S3
28、 流回正极，负载电感中储存的能量向直流电源反馈，负载电流逐渐减小，到2t时刻降为零，之后oi才反向并逐渐增大。S2、S3 断开，S1、S4 闭合时的情况类似。上面是 S1-S4 均为理想开关时的分析，实际电路的工作过程要复杂一些。2.2.3 电力器件的换流方式 图 2-6 中，S1、S2 表示由两个电力半导体器件组成的导电臂，电流从一个臂向另一个臂转移的过程称为换流（或换相）。在换流过程中，有的臂从导通到关断，有的臂从关断到导通。要使某一臂导通，只要给组成该导电臂的器件的控制极施加适当的信号，但要使某一臂关断，情况就复杂多了。全控型器件可以用适当的控制极信号使其关断，而半控型晶闸管，必须利用外
29、部条件或采取一定的措施才能使其关断。晶闸管要在电流过零以后再施加一定时间的反向电压，才能使其关断。一般来说，换流方式可分为以下几种：(1)器件换流。利用全控型电力电子器件自身具有的关断能力进行换流，称为器件换流。(2)电网换流。由电网提供换流电压称为电网换流。整流电路的换流方式就是电网换流。(3)负载换流。由负载提供换流电压，凡是负载电流的相位超前电压的场合，都可实现负载换流。(4)脉冲换流。设置附加的换流电路，由换流电路内的电容提供换流电压，称为脉冲换流，有时也称为强迫换流或电容换流。脉冲换流有脉冲电压换流和脉冲电流换流两种。在上述四种换流方式中，器件换流只适应于全控型器件，其余三种方式主要
30、是针对晶闸管而言。2.2.4 单相电压型逆变电路 逆变电路根据直流侧电源的性质的不同可分为两种：直流侧是电压源的称为 电压型逆变电路；直流侧是电流源的称为电流型逆变电路。在本文中，我们主要讨论单相电压型逆变电路的基本构成、工作原理和特性，图 2-7 为其电路。电压型逆变电路有以下一些特点：1.直流侧为电压源，或并联有大电容，相当于电压源。直流侧电压基本无脉动，直流回路呈现低阻抗。2.由于直流电压源的钳位作用，交流侧输出电压波形为矩形波，并且与负载阻抗角无关。而交流侧输出电流波形和相位因负载阻抗情况的不同而不同。3.当交流侧为阻感负载是需要提供无功功率，直流侧电容起缓冲无功能量的作用。为了给交流
31、侧向直流侧反馈的无功能量提供通道，逆变桥各臂都并联了反馈二极管。下面，我们讨论一下单相全桥电压型逆变电路。单相全桥电压型逆变电路的原理图如图 2-7 所示，它共有 4 个桥臂，桥臂 1和 4 作为一对，桥臂 2 和 3 作为另一对，成对的两个桥臂同时导通，两对交替各导通o180。其输出电压ou的波形如同 2-5(b)所示，是矩形波，下面我们对其电压波形作定量分析。把幅值为dU的矩形波ou展开成傅里叶级数得:411(sinsin3sin5)35LdoUUt+t+t+其中基波得幅值o1mU和基波有效值o1U分别为 141.27=do mdUUU 12 20.9=dodUUU 2.3 SPWM 控制
32、技术及其原理 2.3.1 SPWM 控制的基本原理 如图 2-8(a)所示，我们将一个正弦波半波电压分成 N 等分，并把正弦曲线每一等份所包围的面积都用一个与其面积相等的等幅矩形脉冲来代替，且矩形脉冲的中点与相应正弦等份的中点重合，得到如图 2-8(b)所示得脉冲列，这就是SPWM 波形。正弦波得另外半波可以用相同得办法来等效。可以看出，该 PWM 波形的脉冲宽度是按正弦规律变化，称为 SPWM 波形。图 2-8SPWM 波形 根据采样控制理论，脉冲频率越高，SPWM 波形便越接近正弦波。逆变器的输出电压为 SPWM 波形时，其低次谐波得到很好地抑制和消除，高次谐波又能很容易滤去，从而可得到崎
33、变率极低的正弦波输出电压。SPWM 控制方式就是对逆变电路开关器件的通断进行控制，使输出端得到一系列幅值相等而宽度不相等的脉冲，用这些脉冲来代替正弦波或者其他所需要的波形。从理论上讲，在给出了正弦半波频率、幅值和半个周期内的脉冲数后，脉冲波形的宽度和间隔便可以准确计算出来。然后按照计算的结果控制电路中各开关器件的通断，就可以得到所需要的波形。但在实际应用中，人们常采用正弦波与等腰三角波相交的办法来确定各矩形脉冲的宽度。等腰三角波上下宽度与高度成线性关系且左右对称，当它与任何一个光滑曲线相交时，即得到一组等幅而脉冲宽度正比该曲线函数值的矩形脉冲，这种方法 称为调制方法。希望输出的信号为调制信号，
34、把接受调制的三角波称为载波。当调制信号是正弦波时，所得到的便是 SPWM 波形。当调制信号不是正弦波时，也能得到与调制信号等效的 PWM 波形。2.3.2 单极性和双极性 SPWM 控制方式 图 2-9 给出了电压型单相桥式 PWM 逆变电路原理图。如图 2-10 所示，载波信号CU在信号正半周为正极性的三角波，在负半周为性的三角波，调制信号rU和载波CU的交点时刻控制逆变器电力晶体管T3、T4的通断。各晶体管的控制规律如下：在rU的正半周期，T1 保持导通，T4 交替通断。当rCUU时，使 T4 导通，负载电压odUU；当rCUU时，使 T4 关断，由于电感负载中电流不能突变，负载电流将通过
35、 D3 续流，负载电压OU0。在rU的负半周，保持 T2 导通，使T3 交替通断。当rCUU时，使 T3 导通，OdUU；当rCUU时，使 T3 关断，负载电流将通过 D4 续流，负载电压OU0。这样，便得到 u0 的 SPWM 波形，如图 2-10 所示。图中ofU表示OU中的基波分量。象这种在rU的半周期内三角波只在一个方向变化，所得到的PWM 波形也只在一个方向变化的控制方式称为单极性PWM 控制方式。调节调制信号rU的幅值可以使输出调制脉冲宽度作相应的变化，这能改变逆变器输出电压的基波幅值，从而可实现对输出电压的平滑调节；改变调制信号rU的频率则可改变输出电压的频率。与单极性SPWM控
36、制方式对应，另外一种SPWM控制方式称为双极性SPWM控制方式。单相桥式逆变电路采用双极性控制方式时的SPWM波形如图2-11所示。各晶体管的控制规律如下：在rU的正负半周内，对各晶体管控制规律相同，同样在调制信号rU和载波信号CU的交点时刻控制各开关器件的通断。当rCUU时，使晶体管 T1、T4 导通，T2、T3 关断，此时，OdUU；当rCUU时，使晶体管 T2、T3 导通，T1、T4 关断，此时，OdUU。在双极性控制方式中，三角载波是正负两个方向变化，所得到的 SPWM 波形也是在正负两个方向变化。在rU的一个周期内，SPWM 输出只有Ud 两种电平。逆变电路同一相上下两臂的驱动信号是
37、互补的。在实际应用时，为了防止上下两个桥臂同时导通而造成短路，在给一个臂施加关断信号后，再延迟t 时间，然后给另一个臂施加导通信号。延迟时间的长短取决于功率开关器件的关断时间。需要指出的是，这个延迟时间将会给输出的 SPWM 波形带来不利的影响，使其偏离正弦波。第三章系统硬件设计 3.1 系统总体介绍 本次设计的目的是研制一种输入为市电三相380V，输出为 220V，50Hz 的交流稳定电压，输出功率为 3KW 的单相稳压电源。考虑到所设计的系统为大功率电源，所以我们在这考虑使用 SPWM 逆变技术，图 3-1 为所设计的系统框图。该系统的工作原理是三相电源 380V 经整流滤波变成直流电压，
38、然后经 SPWM全桥逆变，变成 220V 的 SPWM 电压，再经输出滤波电路滤波为 220V、50Hz 正弦波交流电压输出，另外，系统中 CPU 根据输出采样电压值来控制 SPWM 波发生器输出的 SPWM 波形参数，SPWM 发生器产生的 SPWM 波经四个驱动隔离电路去驱动逆变电路，从而把整流滤波后得到的直流电逆变成稳定交流电。该系统 CPU 采用AT89C51，SPWM 波发生器采用 SA4828 三相 SPWM 波发生器，这里我们只使用其一相输出波形，驱动隔离电路采用富士公司生产的 EXB841，主电路采用高压整流模块和 IGBT 模块，输出采样模块使用 ADC0809。由于本系统的
39、控制核心器件是AT89C51，所以我们在此对该器件作一下介绍：AT89C51 是美国 ATMEL 公司生产的，该单片机采用高密度，非易失存储技术，将闪烁存储器（即 flash memory 或 PEROM）和 MCS-51 系列单片机相结合。该单片机不但和 MCS-51 系列单片机完全兼容，更以其便利的电擦写功能和低廉的价格而拥有很高的性能价格比。适用于各种需要较高灵活性的嵌入式控制应用领域。AT89C51 单片机芯片有 40 个引脚，是用 CMOS 工艺制造的芯片，采用双列直插封装（DIP）和方形封装方式。图 3-2 为它的引脚图，说明如下：1.主电源引脚 Vcc 和 Vss Vcc：接5V
40、 电压。Vss:接地。2.外接晶振引脚 XTAL1：接外部晶振的一个引脚。在单片机内部，它是构成片内振荡器的反相放大器的输入端。当采用外部振荡器时，该引脚接收振荡器的信号，即把信号直接接到内部时钟发生器的输入端。XTAL2：片内反相放大器输出端。外接晶振时，XTAL2 和 XTAL1 各接晶振的一端，借外接晶振与片内反相放大器构成振荡器。3输入/输出引脚 P0.0-P0.7：双向三态 I/O 口。在访问外部存储器时，分别输出低 8 位地址线和 8 位数据线。在对内部 EPROM 编程时，用于数据的输入和输出。P1.0-P1.7：8 位双向 I/O 口。对 EPROM 编程时，用于接受低 8 位
41、地址。P2.0-P2.7：8 位双向I/O 口。在访问外部存储器时，输出高 8 位地址。在对内部 EPROM 编程时，用于接受高 8 位地址。P3.0-P3.7：8 位双向 I/O 口。每个引脚都有各自图 3-2 AT89C51 引脚的第二功能：P3.0 为 RXD（串行输入口）；P3.1 为 TXD（串行输出口）；P3.2 为 INT0（外部中断请求输入端 0）；P3.3 为 INT1（外部中断请求输入端 1）；P3.4 为 T0（定时器/计数器 0 计数脉冲输入端）；P3.5 为 T1（定时器/计数器 1 计数脉冲输入端）；P3.6、P3.7 为WR、RD（片外数据存储器写/读选通信号输出
42、端）。4控制引脚 ALE/PROG：地址锁存有效信号输出端。PSEN：片外程序存储器读取选通信号输出端。RST/Vpd：复位端。当 Vcc 掉电期间，Vpd 如接备用电源 V 可用于保存片内RAM 中的数据。EA/Vpp：片外程序存储器选用端。3.2 系统主电路设计 图 3-3 是本系统主电路的电路图，下面我们分别来介绍主电路的各个部分：3.2.1 输入 EMI 滤波器的设计 一、高频电源中的噪声问题 电源中，噪声是指直流基础电源输出电压中的脉动成分以及其他的交流分量。有些噪声来自设备外部，如大负荷用电设备起动造成电网电压瞬时跌落、工频波形失真等。有些噪声来自设备自身，如在功率转换电路中开关管
43、从导通到截止或从截止到导通的瞬态过程中，高速脉冲波形的电流、电压，尤其是脉冲上升、下降沿，其中包含丰富的高次谐波分量易产生噪声，另外，在开关管高速工作时，非线性元件、传输导线分布电感、电容容易发生寄生振荡，加上器件本身高频特性的差异均有可能产生噪声。电源中的噪声，按传导与辐射两种方式传播，按对负载的影响，可分为共模噪声、差模噪声和辐射噪声。这里共模噪声是指主回路与机壳间传导的噪声；差模噪声是指回路中的常态噪声；辐射噪声既包括外界通过空间向电源辐射的噪声，又包括电源对外辐射的噪声。二、EMI 滤波器在本系统中，为了抑制交流电网和电源之间的相互干扰，在交流电网和电源输入端之间加上 EMI（电磁干扰
44、）滤波器，一方面，加上 EMI 滤波器后，可以消除来自电网的各种干扰对系统的影响，如电动机的启动，电器开 关的合闸和关断，雷击等产生的尖峰干扰；另一方面，该滤波器也可以防止系统产生的高频噪声向电网扩散而污染电网。EMI 滤波器主要由工频低通滤波器和共模抑制元件组成，在本系统设计中我们选用北京克普锐特电子技术有限公司生产的 KT-3H4-20 型三相三线滤波器，其原理图如图 34 所示。Lc 为滤波扼流线圈，当电源输入电流流过 Lc 时，所产生的磁场可以互相抵消，相当于没有电感效应，Lc 对共模噪声来说，相当于一个电感量很大的电感，故它能有效地抑制共模传导噪声，电容 Cy 对共模噪声起旁路作用，
45、Cx 对共模噪声起抑制作用，R 为 Cx 的放电电容，其特性如下：滤波器采用新型软磁材料。最大泄漏电流：相地（250VAC、50Hz）200M500VDC EMI 滤波器的安装和布线对滤波器的性能发挥是极为重要的，在其安 中应注意以下几点：滤波器应安装在机柜底部离设备电源入口尽量近的地方，并加以板，不要让未经过滤波器的电源线在机柜内迂回。如果交流电源进入机壳波器有较长的距离，则这段线应加以屏蔽。滤波器的外壳必须用截面积大的导线以最短的距离与机壳连为一尽量使滤波器的接地点与外壳接地点保持最短的距离，输入、输出应靠近部布线以减少耦合，并将输入、输出线严格分开，绝不允许将滤波器的输输出线捆在一起或靠
46、得很近。机壳内的其他用电器（照明灯、信号灯等）或电磁开关等应从滤端引线接到负载，或为这些干扰源单独加装滤波器。3.2.2 输入整流滤波电路的设计 本课题设计的电源在额定状态下的技术要求为：输出电压 220VAC，率 3000W，属于大功率电源，为了保持三相交流电源的对称性和减小电源滤波电容等原因，大功率电源一般采用三相电源作为供电电源。因此，本采用三相桥式整流，滤波电感和滤波电容组成输入整流滤波电路。一、三相桥式整流电路的设计 1、整流桥的耐压：整流二极管的峰值反向电压为:dc.maxU3802591V1.1 取 50的裕量 dc.maxUU(1+50%)=591 1.5=886.5V 2、整
47、流桥的额定电流 电源的输出功率为3KW，是确定值，所以电源的输入功率就随着电源的效率变化而变化，计算时取电源效率最差时的值，设 80%min 此时电源的输入功率 in.maxPP/80%3750W出 最大输入线电流 in.maxin.max37503750I6.33AU380 30.9 3 根据以上计算我们选用取富士公司生产的 2RI60G-120（60A/1200V/2 单元串联）型号整流模块三个连接而成桥式整流回路。二、输入滤波电容的设计 输入滤波电容的值决定于输出保持时间和直流输入电压的纹波电压的大小，且要在计算流入电容器的纹波电流是否完全达到电容器的容许值的基础上进设计。三相电源经过整
48、流后，输出直流电压，此时通过直流回路的平均电流最大值 dc.maxI为 in.maxdc.maxdc.minP3750I8.12AU462 Udc 为三相电源电压最低时整流输出的直流电压的平均值 dc.minU1.35 380(1-10%)=462V 计算单相全波整流电路滤波电容的经验公式是 d.max600IC=400c 因为三相全波整流电路的基波频率为单相整流电路的 3 倍，所以计算三相整电路的滤波电容公式为：d.max00IC=1332c 所以 C=2008.12=1626uFC2008.121626 F 因为三相整流的纹波较单相整流要小许多，所以本系统中输入滤波电容取00uF，在实际电
49、路中，我们选用 2 个 2200uF/450VDC 电容和 2 个 1000uF/450VDC容两两串联再并联组成，经仿真和实验证明，所选电容能满足设计要求。基于单片机控制新型高效率正弦波逆变电路的设计与仿真 三、输入滤波电感的设计 我们可以根据保持负载电流连续的要求来选择滤波电感 L 设最小负载功率 P2000Wmin 则in2000P2500W0.8 dmin25002500I4.43A1.35 380 1.1564.3 所以d.min0.0130.013L3.9mHI314in.max1U 3801.14.43 取 4mH。3.2.3 逆变器和输出滤波电路的设计 一、IGBT 的选择 1
50、、耐压 当输入电网电压为最高输入电压时，经整流滤波后输出的最高直流电压为 dc.maxU3802591V1.1 考虑各种因素的影响取 50的裕量，则 IGBT 的最低耐压为 dc.maxUU(1+50%)=591 1.5=886.5V 2、IGBT的电流 在一些参数未知的情况下，我们需要估算 IGBT的电流，以便选择IGBT管。输入电网电压经输入整流滤波后，直流母线上的最大直流电流为Id.max=.min.maxdcin in.maxdc.minP37508.12AU462d.maxI 其中dc.minU1.35380(1-10%)=462V 所以可选择IGBT的额定电流为25A。综上所述，在