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1、单晶拉制（单晶拉制（1 1）第1页/共59页单晶拉制（单晶拉制（2 2）第2页/共59页单晶拉制（单晶拉制（3 3）第3页/共59页单晶拉制（单晶拉制（4 4）第4页/共59页单晶拉制（单晶拉制（5 5）第5页/共59页环境和着装环境和着装第6页/共59页单项工艺单项工艺-扩散扩散(1)(1)卧式4炉管扩散/氧化炉扩散/氧化进炉实景图第7页/共59页单项工艺单项工艺-扩散扩散(2)(2)立式扩散/氧化炉扩散/氧化进炉实景图第8页/共59页单项工艺单项工艺-扩散扩散(3)(3)扩散工序作业现场第9页/共59页单项工艺单项工艺-光刻光刻(1)(1)先进光刻曝光设备第10页/共59页单项工艺单项工艺
2、-光刻光刻(2)(2)现场用光刻曝光设备第11页/共59页单项工艺单项工艺-光刻光刻(3)(3)检查用显微镜第12页/共59页单项工艺单项工艺-光刻光刻(4)(4)清 洗淀积/生长隔离层匀 胶（SiO2 Si3N4 金属）-HMDS喷淋（增加Si的粘性）-匀光刻胶第13页/共59页单项工艺单项工艺-光刻光刻(5)(5)前 烘对 版匀 胶-对每个圆片必须按要求对版-用弧光灯将光刻版上的图案转 移到光刻胶上。-增加黏附作用 -促进有机溶剂挥发第14页/共59页单项工艺单项工艺-光刻光刻(6)(6)显影/漂洗坚 膜腐 蚀-硬化光刻胶。-增加与硅片的附着性。-将圆片进行显影/漂洗，不需要的的光刻胶溶解
3、到有机溶剂。去 胶-干法腐蚀/湿法腐蚀第15页/共59页单项工艺单项工艺-光刻光刻(7)(7)光刻工艺过程第16页/共59页单项工艺单项工艺-CVD（1 1）第17页/共59页单项工艺单项工艺-CVD（2 2）初级离子气体被吸收到硅片表面第18页/共59页单项工艺单项工艺-CVD（3 3）初级离子气体在硅片表面分解第19页/共59页单项工艺单项工艺-CVD（4 4）玻 璃 的 解 吸第20页/共59页单项工艺单项工艺-CVD（5 5）第21页/共59页单相工艺单相工艺-离子注入离子注入（1 1）第22页/共59页单相工艺单相工艺-离子注入离子注入（2 2）第23页/共59页单相工艺单相工艺-离
4、子注入离子注入（3 3）第24页/共59页单相工艺单相工艺-蒸发（蒸发（1 1）蒸发原理示意图第25页/共59页单相工艺单相工艺-蒸发（蒸发（2 2）溅射原理示意图第26页/共59页单相工艺单相工艺-蒸发（蒸发（3 3）第27页/共59页单相工艺单相工艺-清洗清洗第28页/共59页基础认知基础认知第29页/共59页衬底材料衬底材料扩散层外延层第30页/共59页一次氧化一次氧化第31页/共59页基区光刻基区光刻第32页/共59页干氧氧化干氧氧化第33页/共59页离子注入离子注入第34页/共59页基区扩散基区扩散第35页/共59页发射区光刻发射区光刻第36页/共59页发射区预淀积发射区预淀积第37
5、页/共59页发射区扩散（发射区扩散（*）第38页/共59页发射区低温氧化（发射区低温氧化（*）第39页/共59页氢气处理氢气处理第40页/共59页N+N+光刻（适用于光刻（适用于P P型片）型片）第41页/共59页N N+淀积扩散（适用淀积扩散（适用P P型片）型片）第42页/共59页N N+低温氧化（适用低温氧化（适用P P型片）型片）第43页/共59页氢气处理（适用氢气处理（适用P型片）型片）第44页/共59页3B光刻第45页/共59页铝蒸发第46页/共59页四次光刻第47页/共59页氮氢合金第48页/共59页AL上CVD2第49页/共59页氮气烘焙（适用N型片）2第50页/共59页五次光刻2第51页/共59页中测抽测2测试系统第52页/共59页减薄、抛光2减薄和抛光部分第53页/共59页蒸金/银2第54页/共59页背金合金2第55页/共59页芯片测试2测试系统第56页/共59页N N型片制造（一般）工艺流程型片制造（一般）工艺流程第57页/共59页P P型片制造（一般）工艺流程型片制造（一般）工艺流程第58页/共59页感谢您的观看！第59页/共59页