《《半导体光电子学课件》下集5.6ld的瞬态特性.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《《半导体光电子学课件》下集5.6ld的瞬态特性.ppt（16页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、5.6 LD的瞬态特性LD的瞬态现象v电光延迟 Whyv如何减少电光 延迟时间td?张驰振荡v张驰振荡 的频率v张驰振荡 的角频率LD的调制带宽v3dB调制带宽v 越大，LD的调制特性越好v当张驰振荡频率越高，越大。表明LD能够直接调制的速率越大。v研发高速直接调制LD调制含义 如何提高调制带宽v减少寄生电容和电感v提高张驰振荡频率 途径提高微分增益dg/dN 采用量子阱（线、点）调制畸变vP147 图5.6-6自脉冲（自脉动）v注入直流下的自脉动现象反常，有自脉动正常，无自脉动脉冲调制下的自脉动反常，无自脉动正常，无自脉动危害和应用v自脉动的振荡频率与外加调制速率无关，是LD的一种自持振荡。
2、它作为一种高频干扰严重威胁着LD的高速调制。v自脉动现象往往与P-I曲线的扭转有关。v增益波导LD易出现自脉动vLD内部缺陷杂质多，易出现自脉动。vLD中不均匀，易出现自脉动。饱和吸收体模型？载流子烧洞和自聚焦效应WhyLD的动态展宽v啁啾现象 chirpvLD在调制过程中，载流子浓度出现起伏折射率受到调制（相位也受到调制）光脉冲的前沿与后沿相对激射的中心波长发生变化光脉冲线宽变大v啁啾线宽v啁啾展宽两个速率方程注入电流增加载流子自发发射消耗载流子受激发射的每一个 纵模消耗载流子自发发射增加 光子密度受激发射增加 光子密度两个速率方程作了那些假设？注入电流增加载流子自发发射消耗载流子受激发射的每一个 纵模消耗载流子自发发射增加光子密度受激发射增加光子密度光子有一定的寿命，光子 死亡使得光子密度降低总结v光电延迟v张驰振荡v调制畸变v自脉冲v动态多纵模和动态谱线展宽