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1、第四节第四节 沉淀的污染和纯化沉淀的污染和纯化 沉淀污染的原因：共沉淀和后沉淀沉淀污染的原因：共沉淀和后沉淀共沉淀：共沉淀：当待测组分沉淀析出时，可溶性杂当待测组分沉淀析出时，可溶性杂质也同时被沉淀下来。质也同时被沉淀下来。后沉淀：后沉淀：在被测组分沉淀结束后，杂质有沉在被测组分沉淀结束后，杂质有沉积在沉淀表面的现象积在沉淀表面的现象减减少少吸吸附附的的方方法法：加加热热溶溶液液 洗洗涤涤沉沉淀淀减减小小比比表面积。表面积。沉沉淀淀对对杂杂质质离离子子的的吸吸附附选选择择性性：扩扩散散层层中中能能与与构构晶晶离离子子形形成成难难溶溶盐盐或或难难电电离离化化合合物物的的离离子子优优先先被被吸吸附
2、附，价数高、浓度大的离子易被吸附。价数高、浓度大的离子易被吸附。吸吸附附顺顺序序：先先吸吸附附构构晶晶离离子子形形成成吸吸附附层层，再再吸吸附附抗抗衡衡离离子子形形成成扩扩散散层层。吸吸附附层层和和扩扩散散层层组组成成的的双双电电层层能能随随沉淀颗粒析出。见图沉淀颗粒析出。见图9-2产生原因产生原因：晶体表面的构晶离子具有剩余价力：晶体表面的构晶离子具有剩余价力一、共沉淀一、共沉淀（一）吸附共沉淀（一）吸附共沉淀（二）形成混晶（二）形成混晶 杂质离子与构晶离子半径相近时，晶格结杂质离子与构晶离子半径相近时，晶格结点被杂质离子占据而形成相同晶格结构的混点被杂质离子占据而形成相同晶格结构的混晶，如
3、晶，如PbSO4和和BaSO4，BaCrO4和和BaSO4，KMnO4和和BaSO4，消除方法：消除方法：分离除去杂质。分离除去杂质。（三）包藏作用（三）包藏作用 产产生生原原因因：由由于于沉沉淀淀生生成成得得太太快快，被被吸吸附附杂杂质质或或母母液液被被覆覆盖盖在在沉沉淀淀内内部部而而造造成成的的共共沉沉淀现象。淀现象。消除方法：消除方法：陈化或重结晶陈化或重结晶二、后沉淀二、后沉淀 在在被被测测组组分分沉沉淀淀结结束束后后，杂杂质质又又沉沉积积在沉淀表面的现象叫后沉淀。在沉淀表面的现象叫后沉淀。例例如如在在稀稀酸酸条条件件下下用用H2S沉沉淀淀Cu2+和和Zn 2+混合溶液中的混合溶液中的
4、Cu2+,ZnS易产生后沉淀。易产生后沉淀。三、沉淀条件的选择三、沉淀条件的选择 1.晶形沉淀的沉淀条件：晶形沉淀的沉淀条件：稀、慢、搅、热、陈稀、慢、搅、热、陈2.无定形沉淀的沉淀条件：无定形沉淀的沉淀条件：浓、热、加电解质、浓、热、加电解质、不陈化不陈化 3.均匀沉淀法：均匀沉淀法：利用一种化学反应，控制一定利用一种化学反应，控制一定的条件，使沉淀剂缓慢而均匀的产生出来，可的条件，使沉淀剂缓慢而均匀的产生出来，可避免局部沉淀剂过浓，得到大颗粒的纯净沉淀。避免局部沉淀剂过浓，得到大颗粒的纯净沉淀。常用的均匀沉淀法有常用的均匀沉淀法有水解反应水解反应、配合物分解反配合物分解反应、氧化还原反应应、氧化还原反应等。见表等。见表9-4.