磁控溅射镀膜机技术要求.pdf

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磁控溅射镀膜机技术要求设备用途能够进行磁控溅射、蒸发,基片台可用射频电源加负偏压对基片进行反溅清洗活化、辅助溅射功能。该设备主要用来开发纳米级导电膜、半导体膜、绝缘膜以及镍、钴磁性膜等。主要技术指标真空腔室真空系统真空极限抽速基片台尺寸基片加热与旋转304 优质不锈钢真空腔室,上开盖结构;观察窗1 套涡轮分子泵+直联旋片泵准无油真空系统,数显复合真空计优于 8.0 105 Pa,.”,-3从大气抽至 6.0 0 PaW15min最大可镀基片尺寸/面积:100mm 范围内可装卡各种规格基片基片台加热:室温400C,PID 控温;基片旋转:0-20 转/分钟连续可调;基 片台有负偏压装置,可切换射频电源反溅清洗样片2 英寸圆形平面靶 1 只,靶的角度可调,1 对水冷蒸发电极;配冷却循环水机;该靶兼容直流溅射/中频溅射/射频溅射;配 2000VA 直流溅射电源 1 台、500VA 射频溅射电源 1 台、2000VA 直流蒸发电源 1 台溅射靶及电源工作模式膜厚不均匀性报警及保护向上溅射(基片台在腔室顶部,靶在腔室底部)5%靶材匹配范围内)对泵、靶、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措 施;完善的逻辑程序互锁保护系统设备质保需要供应商提供不少于 1 年的设备免费保修服务。

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