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1、预习情况检查预习情况检查1.1.半导体管特性图示仪的基本原理与应用。半导体管特性图示仪的基本原理与应用。2 2晶体三极管的伏安特性曲线的特点及其主要晶体三极管的伏安特性曲线的特点及其主要参数定义。参数定义。一一.实验目的实验目的2.2.掌握晶体管输入输出特性的图测方法。掌握晶体管输入输出特性的图测方法。3.3.掌握掌握用晶体管特性曲线求参数的方法。用晶体管特性曲线求参数的方法。1.1.进一步熟悉晶体管图示仪的面板旋钮。进一步熟悉晶体管图示仪的面板旋钮。二、实验原理二、实验原理1.1.共射输入特性曲线共射输入特性曲线n以输出口电压以输出口电压v vCECE为参变量，反映为参变量，反映i iB B
2、和和v vBEBE的函数关的函数关系。系。vBEiBovONvBEIB1IB2VCE=1VVCE=10V工程上近似为一工程上近似为一条输入特性曲线条输入特性曲线2.2.共射输出特性曲线共射输出特性曲线以输入口电流以输入口电流i iB B为参变量，反映输出口为参变量，反映输出口i iC C与与v vCECE的函的函数关系曲线。数关系曲线。OiCuCEiB1iB5iB4iB3iB23.3.三极管输出特性测试电路三极管输出特性测试电路iB0iB1iB2iB3半半导导体体特特性性图图示示仪仪操操作作面面板板 测试台测试台集电集电极电极电源源阶梯电阶梯电源源X轴轴Y轴轴1 1晶体管输出特性的测量晶体管输
3、出特性的测量（1 1）调节图示仪有关控制旋钮，测绘输出特性曲线。）调节图示仪有关控制旋钮，测绘输出特性曲线。（2 2）在曲线上标出饱和区、截止区和放大区。）在曲线上标出饱和区、截止区和放大区。（3 3）测量反向击穿电压）测量反向击穿电压 BVBVCEOCEO（基极开路，功耗电阻取（基极开路，功耗电阻取5 k5 k）（4 4）测量）测量 、。设设V VCECE=5V=5V，适当选择和记录，适当选择和记录I IBQBQecb10081008：NPNNPN型型 三、实验内容三、实验内容ICICVCE=5ViCIB2 2晶体管输入特性的测量晶体管输入特性的测量（1）正确设置图示仪有关控制旋钮，测绘晶体
4、管输入特性曲线。）正确设置图示仪有关控制旋钮，测绘晶体管输入特性曲线。（2）求出导通电压）求出导通电压Von。（3）根据曲线求线性变化区的输入电阻）根据曲线求线性变化区的输入电阻：设置功耗电阻为设置功耗电阻为2501k iBvBEoVONVBEIB四、实验报告要求四、实验报告要求1.1.写出所测参数的定义及其物理意义。写出所测参数的定义及其物理意义。2.2.用坐标纸定量描绘特性曲线，正确标明相应用坐标纸定量描绘特性曲线，正确标明相应坐标。坐标。五、实验器材五、实验器材序号名称数量备注1模拟电子电路实验系统1SIPIVT-A2直流稳压电源1HY3003D-3A3数字（或指针式）万用表各2M9803（MF47、UT51）