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1、三极管测试方法若发射极 VCE-IC 特性（基极信号为变量）。根据集电极基级的极性将测试选择开关置于 NPN（此时集电极电压，基极电压均为正）或（PNP（此时集电极电压，基极电压均为负）并将“”开关置于常态，如基极需要反担时可置于“侄置”；被测管的 C.B.E 按规定进行连接；将 Y 电流/度置于 IC 合适档级，X 电压/度置于 UC 合适档级；测试 A 与测试 B 搬向被测管连接的一边；集电极电压按照要求值进行调节并使在左下方（NPN）或右上方（PNP）的零点与零刻度线重合；选择合适的阶梯幅度/级开关旋至电流/级较小档级，再逐渐加大至要求值；选择合适的功耗限制电阻，电阻值的确定可接负载的要
2、求或保护被测管的要进行选择；观察显示的曲线（波形），并进行读数记录；其发射极 IB-IC 特性：根据集电极基极的极性将测试选择开关置于 NPN 或 PNP 档级，并将“”开关置于常态，如基极需要反向可置于侄置；11 被测管的 CBE 按规定进行连接；12 将 Y 电流/度置于 IC 合适档级，W 电压/度置于“”的档级；13 测试 A 与测试 B 搬向被测管连接的一边；集电极电压按要求值与功耗限制电阻进行调节（必要时将X 电压/度置于 UC 档级进行较精确的调节）；14 将 Y。Y 方式开关“调节零点位置；15 选择合格的阶梯幅度/级开关一般置于较小档级再逐渐加大至要求值；16 对所显示的 I
3、B-IC 曲线（波形）进行观察记录，读取数据，并计算HFE 值：HFE=IC/IBIC=示波管刻度档次读数IB=幅度/级级数、反压特性测试及二极管特性测试：本仪器可进行下列各种反向击穿电压测试，测试定义见有关半导体测试标准，测试接线请参见下表：VCBO 集电极基极间电压（发射极开路）VEBO 发射极与基极间电压（集电极开路）VCEO集电极与发射间电压（基极开路）VCER 集电极与发射极间电压（基极与发射极间电阻连接）VCES 集电极与发射间电压（基极与发射极短）接 C 接 E 悬空 b c e 接 E 悬空 b c e 接 C 接 E 悬空 b c e接 C 接 c 接 E 接 E b c e
4、 接 E 接 E b c e 接 c 根据被测管的极性选择 PNP、NPN 的位置，是显示“PNP”位置时，集电极电压为（-）极性，当置于“NPN”位置时，集电极电压为（=）极性；被测管的 CBE 接上表的连接方法进行连接；Y 偏转放大器的电流/度开关置于较灵敏档级（一般 100/UA 度档级）；Q 偏转放大器的电压/度置于 UC 合适的档级（视被测管的特性及集电极的电压输出值而定）；将功耗限制电阻置于较大档级（一般置于 10K-100K之间）；选择测试 A、B 的位置；选择合适的电压档级，峰值电压调为零，当测试时再按顺时针方向徐徐加大输出电压；对所显示的 VDS-ID 曲线波形进行读数或记录
5、、观察；如需要显示 VGS-ID 曲线可将 X 电压/度置于“”档级。、可控硅特性测试：可控硅的测试可根据需要对正向阻断峰值电压（PEV），正向漏电流（IPF），反向阻断峰值电压（PRV）反向漏电流（IR），控制极可触发电压（VGT），控制极可触发电流（IGE）正向电压降（VF）条参数进行测试。将测试选择开关置于 NPN，并将“”开关置于“常态”；被测管的 A 接 C、G 接 B、C 接E；将 Y 电流/度开关置于 IC 范围内的合适档级（实际为 IF 值）；X 电压/度开关置于 UD 合格档级（实际上 UA 值）；测试 A 与 B 搬向被测管的一边；选择合适的功耗限制电阻（要求0），以免电流过大而使被测管烤坏；按照 VAC 的要求值调节集电极峰值电压值，使显示值与右下方的零刻度重合；选择合适的阶梯幅度/级开关置于电压/级的较小档级，再逐渐加大至达到可触发点；对显示的 VA-IF 曲线（波形）进行观察、读取及记录；如需要显示 IGT-VGT曲线可将 X 电压/度置于 VBE 档级，Y 电流/度置于“”档级。以下例举各种正常与非正常曲线（波形）以你供参考：