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1、电力电子器件总结：名称优缺点应用场合整流，续流，电压隔离、钳位或保护|电力二极管整流二极管SBD(肖特基)FRD（快恢复FST(快速)TRIAC(双向)RCT（逆向）LTT（光控）优：结构简单、工作可靠缺：不可控优：承受电压和电流容量在所有器件中最高缺：半控SCR晶闸管可控硅优：开关速度快（利用电场感应控制反型层导电沟道，不存在正偏 PN 结所固有的载流子存储效应），输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率(Metal-Oxide-Semiconductor Field-小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击Effect Transistor)穿问题。金属-氧化物-半导体-场效应晶体管缺：电流
2、容量小，耐压低。电力 MOSFET（单极型）%一般只适用于功率不超过10kW 的电力电子装置兆瓦以上的大功率GTO(双极型)GTR（双极型）电力二极管IGBT（混合型）绝缘栅门极晶体管（Insulated-GateBipolar Translator）结合了 GTR 和 MOSFET 的优点优点：电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强；缺：电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低优：耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低；缺：开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题优：开关
3、速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小缺：开关速度低于电力 MOSFET,电压，电流容量不及 GTO基本淘汰广泛应用，指望一统天下（主要兆瓦以下）几种不可替代的场合：FRD（Fast Recovery Diode）在中、高频整流和逆变；SBD(Schottky Barrier Diode)在低压高频整流；（开关速度非常快，开关损耗也特别小，耐压比较低）LTT(Light Triggered Thyristor)高电压大功率；（光触发保证住电路与控制电路之间的绝缘和电气隔离，可以避免电磁干扰的影响）GTO(Gate-Turn-Off Thyristor)兆瓦以上的大功率。