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1、第 4 章 多级放大电路与频率响应自测题填空题1在三级放大电路中，已知|Au1|=50，|Au2|=80，|Au3|=25，则其总电压放大倍数|Au|=，折合为dB。2一个三级放大电路，若第一级和第二级的电压增益为30dB，第三级的电压增益为20dB，则其总电压增益为dB，折合为倍。3在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的，而前级的输出电阻则也可视为后级的。4 在多级直接耦合放大电路中，对电路零点漂移影响最严重的一级是，零点漂移最大的一级是。5集成运放的两个输入端分别为和输入端，前者输入信号的极性与输出端极性，后者输入信号的极性与输出端极性。6 某单级共射放大电路的对数幅频响应如题4.1.6
2、图所示，则该放大电路的Aus1频率响应表达式为，Aush频率响应表达式为。7在题 4.1.7 图所示放大电路中，空载时，若增大电容C1的容量，则中频电压放大倍数Ausm将，fL将，fH将；当Rb减小时，fL将。当带上负载后，fL将。8多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比它的任何一级都；级数越多则上限频率fH越。9 已知RC耦合放大电路在fL处放大倍数为 100，则在fH处放大倍数为，中频区放大倍数为。答案：110，100。280，10。3负载电阻，信号源内阻。4输入级，输出级。5 同相，反相，相同，相反。6Ausl54100100；Aush。7 不1 j(100f)1 j(f 10
3、5)变，下降，不变，增大，增大。8窄，低。9100，141。选择题1一个由相同类型管子组成的两级阻容耦合共射放大电路，前级和后级的静态工作点均偏低，当前级输入信号幅度足够大时，后级输出电压波形将。A削顶失真；B削底失真；C双向失真。2两个相同的单级共射放大电路，空载时电压放大倍数均为 30，现将它们级联后组成一个两级放大电路，则总的电压放大倍数。A等于 60；B等于 900；C小于 900；D大于 900。3阻容耦合与直接耦合多级放大电路之间的主要不同是。A所放大的信号不同；B交流通路不同；C直流通路不同。4一个放大电路的对数幅频响应如题4.1.6 图所示。（1）中频放大倍数|Ausm|为 d
4、B。A20；B40；C100。（2）上限频率为。A100 kHz；C100 kHz。（3）下限频率为。A100 Hz；C100 Hz。（4）当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为dB。A40；B37；C3。5在题 4.1.7 图所示阻容耦合共射放大电路中，已知晶体管的 100，rbe1k，负载开路。试求：（1）若|Ui|10mV，且信号频率f fL，则|Uo|的数值约为。A1V；B2V；C；D700mV。（2）当f fL时，Uo与Ui的相位关系为。A45o；B45o；C225o；D135o。（3）高频信号输入时放大倍数下降，主要的原因是。AC1和C2；B晶体管的非线性；C晶体管
5、的极间电容和分布电容。6在考虑放大电路的频率失真时，若输入信号为正弦波，则输出信号。A会产生线性失真；B会产生非线性失真；C为非正弦波；D为正弦波。7如图 2.4.4（a）所示的分压式工作点稳定共射基本放大电路，当射极旁路电容为 47F，晶体管的结电容为 12pF 时，测得下限频率为 50Hz，上限频率为 20kHz。现将射极旁路电容换为 100F，管子换为结电容为 5pF 的晶体管，此时的下限频率将 50Hz，上限频率将 20kHz。A大于；B等于；C小于。8具有相同参数的两级放大电路，在组成其各个单管的截止频率处，幅值下降。A3dB；B6dB；C20dB；D9dB。9多级放大电路放大倍数的
6、波特图是。A各级波特图的叠加；B各级波特图的乘积；C各级波特图中通频带最窄者；D各级波特图中通频带最宽者。答案：1C。2C。3A、C。4（1）B；（2）C；（3）C；（4）B。5（1）C；（2）D；（3）C。6D。7C、A。8B。9A。判断题1在多级直流放大电路中，减小每一级的零点漂移都具有同等的意义。（）2阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。（）3直接耦合放大电路的温漂很小，所以应用很广泛。（）4晶体管的共射截止频率f、特征频率f、共基截止频率f三者满足f fT f。（）5在集成电路中制造大电容很困难，因此阻容耦合方式在线性集成电路中几乎无法采用。（）6阻容耦合放大电路中的耦
7、合电容、旁路电容越多，低频特性越差，下限频率越高。（）7 阻容耦合放大电路的电路参数确定后，其电压放大倍数是不随频率变化的固定值。（）8在要求fL很低的场合，可以采用直接耦合方式。（）9 对题 4.1.7 图所示的基本放大电路，增大电容C1、C2将有利于高频信号通过，即可提高上限频率fH。（）答案：2、5、6、8 对；1、3、4、7、9 错。习题在题图所示的两级放大电路中，已知UBE 0.7V，50，rbb100，VCC15V，Re1 5k，Rb11 33k，Rb12 20k，Rc1 5k，Rb2 200k，（1）求两级的静态工作点；（2）计算输入电阻Ri和输出电阻Ro；Re2 RL 2k。（
8、3）计算中频电压放大倍数Aum。解：（1）第一级共基放大电路的Q点参数为：UB1Rb1220VCC155.66V，Rb11 Rb1233 20UB1UBEQRe15.660.7 0.99mA5，ICQ1 IEQ1ICQ11IBQ10.99mA19.8A，50UCEQ1VCC ICQ1(Rc1 Re1)150.99(55)5.1V。第二级共集放大电路的Q点参数为：IBQ2VCCUBEQRb2(1 2)Re2150.7 47.35A，200512ICQ2 2IBQ2 500.04735 2.37mA，UCEQ2VCC ICQ2Re215 2.372 10.26V。（2）rbe11005126261
9、.44k，rbe210051 0.66k，0.992.37Ri Re1/rbe11.445/27.841+151Ro Re2/rbe2 Rb2/Rc10.66 200/5 2/104.271+251（3）Ri2 Rb2/rbe2(1+2)(Re2/RL)200/0.66 51(2/2)41.06kAum1 1Aum2Rc1/Ri25/41.0650154.76rbe11.44(1 2)(Re2/RL)51(2/2)0.99rbe2(1 2)(Re2/RL)0.6651(2/2)Aum Aum1 Aum2154.760.99 153.21在题图所示的两级放大电路中，已知场效应管的跨导gm1mS，
10、IDSS 2mA；晶体管的 60，rbe 0.5k，UBE 0.7V；并且R1 5.1M，R2 5k，R3 20k，R4 5k，R5 0.7k，R6 0.62k，RL10k，VDD 28V。试求（1）两级的静态工作点；（2）中频电压放大倍数Aum、输入电阻Ri和输出电阻Ro。解：（1）因为 T1管的UGS 0V，所以IDQ IDSS 2mAUDSQVDD IDQR2 28 25 18VUB2R45VDD285.6VR3 R4205UB2UBEQR65.60.7 7.9mA0.62ICQ IEQIBQICQ7.9 0.13mA60UCEVDD ICQ(R5 R6)287.9(0.7 0.62)1
11、7.57V gm(R2/R3/R4/rbe2)（2）Aum1 gmRL 1103(5/20/5/0.5)103 0.41Aum2(R5/RL)60(0.7/10)78.5rbe20.5Aum Aum1 Aum2 0.41(78.5)32.19Ri R15.1MRo R5 0.7k两级放大电路如题图所示，已知T1管的gm 0.6mAV，T2管的rbe1k，100；Rs10k，Rg1M，Rg1 Rg2 200k，Rd110k，Rf1k，（2）中频电压放大倍数Aum及Rc 2k，RL 20k。试求（1）电路的Ri和Ro；源电压放大倍数Ausm。解：（1）Ri Rg Rg1/Rg21103 200/2
12、00 1.1M；Ro Rc 2k（2）Aum1 gm(Rd1/rbe)0.6(10/1)0.341+gmRf10.61(Rc/RL)100(2/20)181.82rbe1Aum2 Aum Aum1 Aum2 0.34(181.82)61.82AusmRi1.1Aum61.82 61.26Ri Rs1.110103两级放大电路如题图所示，已知两只晶体的 80，rbb 200，UBE1 0.7V，UBE2 0.2V；Rb1 40k，Rb2 20k，Rc1 2k，Re1 3.3k，Re21k，Rc2 3k，RL 6k，VCC12V。试求（1）两级的ICQ、UCEQ；（2）中频Aum及其分贝数；（3）
13、Ri和Ro。解：（1）UB1Rb220VCC12 4VRb1 Rb240 20UB1UBE140.71mARe13.3ICQ1 IEQ1(ICQ1 IBQ2)Rc1=(1+)IBQ2Re2+UEB2IBQ2=ICQ1Rc1UEB2Rc1(1+)IBQ2Re2=120.2 0.022mA+ICQ2 2IBQ2800.022 1.76mAUCEQ1VCC(ICQ1 IBQ2)Rc1 IEQ1Re112(10.022)213.3 6.74VUCEQ2VCC ICQ2(Re2 Rc2)121.76(13)4.96V（2）rbe1 rbb(1)26(mV)26 20081 2.31kIEQ1(mA)12
14、6(mV)26 200811.4kIEQ2(mA)1.76rbe2 rbb(1)Aum1 Aum2 Rc1/rbe2(1)Re2RL1 rbe1rbe1802/(1.4811)2.31 67.62(Rc2/RL)80(3/6)1.94rbe2(1)Re21.4811Aum Aum1 Aum2 67.62(1.94)131.18Gum 20lg Aum 20lg131.18 42.36dB（3）Ri Rb1/Rb2/rbe1 40/20/2.311.97k两级放大电路如题图所示，已知晶体管的Ro Rc23k 40，rbe11.37k，rbe2 0.89k，UBE 0.6V；Rb1 33k，Rb2
15、8.2k，3k，Rc110k，Re1 390，Re1试求（1）Re210k，RL10k，VCC 20V。各级静态工作点；（2）中频Aum、Ri和Ro。解：（1）UB1Rb28.2VCC20 3.98VRb1 Rb2338.2ICQ1 IEQ1IBQ1ICQ1UB1UBEQ3.980.6 0.997mARe1 Re10.3930.997 0.025mA40(IBQ2 ICQ1)Rc1UBE2(1)IBQ2Re2VCCIBQ2VCCUBE2 ICQ1Rc1Rc1(1)Re2200.60.99710 0.022mA10 4110)UCEQ1VCC(ICQ1 IBQ2)Rc1 IEQ1(Re1 Re1
16、 20(0.9970.022)100.997(0.393)6.43VICQ2 IBQ2 400.022 0.88mAUCEQ2VCC ICQ2Re2 200.8810 11.2V（2）Ri2 rbe2(1 2)(Re2/RL)0.89 415 205.89kAum1 Aum21(Rc1/Ri2)40(10/205.89)21.97rbe1(1 1)Re11.37 410.39(1 2)(Re2/RL)41(10/10)0.996rbe2(1 2)(Re2/RL)0.89 41(10/10)Aum Aum1 Aum2 21.970.996 21.88Ri Rb1/Rb2/rbe1(1 1)Re1
17、33/8.2/(1.37 410.39)4.77kRo Re2/rbe2 Ro1r Rc10.8910 Re2/be210/0.26k1 21 241电路如题图所示，已知两只晶体管参数相同，100，rbb100，UBE 0.7V；R1100k，R2 50k，R31k，R4 2k，R5 4.9k，（2）电路为何R610k，R710k，VCC12V。试求（1）两管的静态工作点；组态画出微变等效电路；（3）中频Aum、Ri和Ro。解：（1）ICQ1 ICQ2R250VCCUBEQ120.7R1 R21501.65mAR4216.5AIBQ1 IBQ2ICQ2UB2R610VCC12 8.05VR5
18、R64.910UCEQ1UB2UBE2UR48.050.7 1.652 4.05VUCEQ2VCCUR3UCEQ1UR4121.651 4.051.652 3V（2）电路为共射共基组态。微变等效电路如题图解所示。（3）rbe1 rbe2 rbb(1)26(mV)261001011.69kIEQ(mA)1.65Ri R1/R2/rbe1100/50/1.69 1.61kRo R31k因为Ri2rbe21.69 0.0167k，所以1 21011Ri21000.0167 0.99rbe11.69Aum1 Aum22(R3/R7)100(1/10)53.79rbe21.69Aum Aum1 Aum2
19、 0.9953.79 53.25103(jf 102)某放大电路的电压放大倍数复数表达式为Au，f的25(1 jf 10)(1 jf 10)单位为Hz。（1）求中频电压放大倍数及增益；（2）求上、下限截止频率；（3）画出波特图。解：（1）Aus 1 jf 1001 jf 10103jf 10051 jf 1001 jf 105Ausmjf 100则Ausm 103，20lg Ausm 20lg103 60dB（2）fL100Hz，fH105Hz（3）参见图 4.2.16。假设两个单管共射放大电路的对数幅频特性曲线分别如题图（a）、（b）所示。（1）分别说明两个放大电路的中频电压放大倍数|Aum
20、|各等于多少下限频率fL和上限频率fH各等于多少（2）试判断两个放大电路分别采用的是什么耦合方式（阻容耦合、直接耦合）；（3）分别画出两个放大电路相应的对数相频特性曲线。（a）（b）题图解：（1）由图看出，20lg|Aum1|40dB，求的|Aum1|100，fL1 20Hz，fH1500kHz；20lg|Aum2|30dB，求的|Aum2|31.62，fL2 0，fH11.5MHz（2）第一个电路采用的是阻容耦合，第二个电路采用的是直接耦合。（3）相频特性曲线如图所示。（a）（b）题图解固定偏置共射电路如图2.2.1（b）所示。已知rbb100，rbe 900，500pF。并且Rs1k，C1
21、 2F，Rb 377k，Rc 6k，gm 0.04S，C（1）求中频电压放大倍数；（2）求上、下限截止频率；（3）C25F，RL 3k。画出波特图。解：（1）rbe rbb rbe100900 1k gmrbe 0.04900 36Aum（2）fL1(Rc/RL)36(6/3)72rbe111212(Rs+Rb/rbe)C1139.86Hz2(1+377/1)1032106fL21113.54Hz36222(Rc+RL)C22(6+3)10 510故fL fL139.86HzfH12rbe/(rbb Rs/Rb)C1 0.64MHz20.9/(0.1+1/377)1035001012（3）参见
22、图 4.2.16。在图 2.4.4（a）中，已知rbb100，100，C 4pF，fT150MHz。并且C1 C210F，Ce 30F，Rs 300，Rb1 56k，Rb216k，Rc 6k，（1）计算静态工作点；（2）求Ri、Ro、Aum和Re 3k，RL12k，VCC18V。Aums；（3）求上、下限截止频率；（4）画出波特图。解：（1）UBRb216VCC18 4VRb1 Rb25616UB0.740.71.1mARe31.111A100ICQ IEQIBQICQUCEQVCC ICQ(Rc Re)181.1(63)8.1V（2）rbe rbb(1)26(mV)26100101 2.49
23、kIEQ(mA)1.1Ri Rb1/Rb2/rbe56/16/2.49 2.07kRo Rc 6kAum Ausm（3）fL1(Rc/RL)100(6/12)160.64rbe2.49Ri2.07Aus 160.64 140.31Ri Rs2.070.311 6.72Hz2(Rs+Ri)C12(0.3+2.07)10310106fL2fL311 0.88Hz2(Rc+RL)C22(6+12)103101061rbe Rs/Rb1/Rb22Re/Ce1 1191.34Hz2.49+0.3/56/163-623/10 3010101故fL fL3191.34HzCgm100 44.42pF2fTr
24、be2fT(2.49 0.1)1032150106gm100 41.84mA/Vrbe2.490.1 C(1 gmRL)C 44.42 1 41.84(6/12)4 717.86pFCfH112rbe/(rbb Rs/Rb1/Rb2)C1 0.66MHz22.39/(0.1+0.3/56/16)103717.861012fH2119.95MHz3122(Rc/RL)C2(6/12)10 410故fH 0.66MHz（4）参见图 4.2.16。多级阻容耦合放大电路如题图所示。已知 T1管的gm 2mAV，T2、T3管的 50，rbe1k；Rg 2M，Rd 3k，Rs1 0.2k，Rs21k，Rb
25、1 90k，Rb2 30k，Rc2 2k，Re21.2k，Rb3 230k，Re31k，Rc3 2k，（2）电路的输出电阻Ro；C3 0.1F。试计算（1）第一级中频电压放大倍数Aum1；（3）C3决定的下限截止频率。题图 Rd/Rb1/Rb2/rbe2 3/90/30/1 0.73k解：（1）RL1Au1 gmRL120.73 1.041+gmRs11 20.2rbe3(Rb3/Rc2)1(230/2)1/54.821 150（2）Ro Re3/（3）fL312(Rc2+Ri3)C3其中Ri3 Rb3/rbe3(1)Re3 230/(1511)42.41k，则fL3135.86Hz2(2+4
26、2.41)1030.1106多级阻容耦合放大电路如题图所示，已知1 2100，rbe1 2.5k，rbe2 0.8k。并设C1 C2 C3 C4 50F，VCC12V，Rs1k，Rb1 30k，Rb210k，题图Rc1 3k，Re11.8k，Rb3100k，（1）近似估算fL；（2）现有一个100F的电容器，替换哪Re2 2k，RL 2k。个电容就能明显改善电路的低频响应。解：（1）fL112(Rs+Rb1/Rb2/rbe1)C111.11Hz2(1+30/10/2.5)103501061fL2C22Rc1+Rb3/rbe2(1)RL1 0.07Hz23+100/0.8+101(2/2)10350106fL311 0.8Hz2(Re2+RL)C32(2+2)10350106fL41r Rs/Rb1/Rb22Re1/be1C41 198.28Hz2.5+1/30/10 3-621.8/10 5010101故fL fL498.28Hz（2）用 100F 电容替换C4能改善低频特性，此时fL11fL4=98.28 49.14Hz22