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1、可编辑第一部分（共 6 题，选作 4 题，每题 15 分，共计 60 分；如多做，按前 4 题计分）1.从成键的角度阐述-族和-族半导体为什么可以形成同一种结构:闪锌矿结构。2.请导出一维双原子链的色散关系，并讨论在长波极限时光学波和声学波的原子振动特点。3.从声子的概念出发，推导并解释为什么在一般晶体中的低温晶格热容量和热导率满足 T3 关系。4.设电子在一维弱周期势场V(x)中运动，其中 V(x)=V(x+a)，按微扰论求出k=/a 处的能隙。5.假设有一个理想的单层石墨片，其晶格振动有两个线性色散声学支和一个平方色散的声学支，分别是=c1k，=c2k，=c3k（其中c1，c2 和 c3(
2、/a)是同一量级的量，a 是晶格常数）。1）试从 Debye 模型出发讨论这种晶体的低温声子比热的温度依赖关系，并作图定性表示其函数行为；2）已知石墨片中的每一个碳原子贡献一个电子，试定性讨论电子在k 空间的填充情况及其对低温比热的贡献情况。6.画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图，注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度，写出共晶和包晶反应式。第二部分（共 9 题，选做 5 题，每题 8 分，总计 40 分；如多做，按前 5 题计分）1.从导电载流子的起源来看，有几种半导体？2.举出 3 种元激发，并加以简单说明。3.固体中存在哪几种抗磁性？铁磁性和反铁磁性是怎样形成的？铁磁和
3、反铁磁材料在低温和高温下的磁化有什么特点？4.简述固体光吸收过程的本证吸收、激子吸收及自由载流子吸收的特点，用光吸收的实验如何确定半导体的带隙宽度？5.利用费米子统计和自由电子气体模型说明低温下的电子比热满足T 线性关系。6.超导体的正常态和超导态的吉布斯自由能的差为0Hc2(T)，这里 Hc 是超导体的临界磁场，说明在无磁场时的超导相变是二级相变，而有磁场时的相变为一级相变。-可编辑7.什么是霍耳效应？何时会出现量子霍耳效应？8.假设一体心立方化合物的点阵常数为a，写出前5 条衍射线的晶面间距d 值。9.简述晶体中的各种缺陷。作者:zyt_12发布日期:2006-07-111.请解释下列名词
4、（1）声子（2）布里渊区（3）螺旋轴（4）晶体色心（5）结构因子2.试推导体心格子的消光规律3.画出含有两个化合物并包含共晶反应和包晶反应的二元相图，注明相应的共晶和包晶反应的成分点和温度4.简述相图在晶体生长中的应用5.简述影响多晶 X 射线衍射强度的因素6.试列出三种重要的功能材料并简述其性能7.某立方晶系化合物，晶胞参数=4.00A，晶胞中顶点位置为 Ti4+所占，体心位置为 Sr2+所占，所有棱心位置为 O2-所占。（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3 分)（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3 分)（3）计算该晶体前三条衍射线的d 值（5 分）（4）指出 Ti4+和 Sr2
5、+的配位数（4 分）（5）计算 Ti-O 和 Sr-O 键长（5 分）作者:zxc1111bj发布日期:2006-07-13请将 05，06 年的贴出来。1998-2004 年大多数人已有了。谢谢了！作者:zyt_12发布日期:2006-07-13（每题 20 分，任选 5 题，也可全做）1.请解释下列名词（1）二级相变（2）布里渊区（3）滑移面（4）无公度结构（5）结构因子2.试推导一种底心格子的消光规律3.请举例说明固溶体的类型及其测定方法-可编辑4.简述相图在晶体生长中的应用5.请简述晶体中的主要缺陷6.试列出三种重要的功能材料并简述其性能7.某立方晶系化合物，晶胞参数=4.00A，晶胞
6、中顶点位置为 Ti4+所占，体心位置为 Sr2+所占，所有棱心位置为 O2-所占。（1）用分数坐标表示诸离子在晶胞中的位置(3 分)（2）写出此晶体的化学组成（分子式）(3 分)（3）计算该晶体前三条衍射线的d 值（5 分）（4）指出 Ti4+和 Sr2+的配位数（4 分）（5）计算 Ti-O 和 Sr-O 键长（5 分）作者:zyt_12发布日期:2006-07-13第一部分：（共 6 题，选做4 题，每题15 分，总计60 分。这部分只能选做4 题，如超出规定范围，阅卷时按前 4 题计分。）1.写出七大晶系，并指出每一晶系包含哪几种布拉伐格子（BravaisIattice）.2.怎样用能带
7、论来理解导体、绝缘体、及半导体之间的区别？3.简单推导布洛赫（Bloch）定理。4.对于一个二维正方格子，晶格常数为，在其倒空间画图标出第一、第二和第三布里渊区；画出第一布里渊区中各种不同能量处的等能面曲线；画出其态密度随能量变化的示意图。5.晶体中原子间共有多少种结合方式？简述它们各自的特点。6.推导低温及闲暇的热容量表达式（表示为温度、地摆温度、气体常数和必要的数学常数的函数）。第二部分：（共 8 题，选做 5 题，每题 8 分，总计 40 分。这部分只能选做5 题，如超出规定范围，阅卷时按前五题计分。）1.简述晶体中主要缺陷类型（至少答三种）。2.在一维周期场近自由电子模型近似下，格点间
8、距为，请画出能带E(k)示意图，并说明能隙与哪些物理量有关。3.简述大块磁体为什么会分成许多畴，为什么磁畴的分割不会无限进行下去？-可编辑4.简述固体中的两种常见的光吸收过程和各自对应的跃迁。5.写出相律的表达式及其各参数的意义。6.简述朗道能级的由来。哪一些物理现象与此有关？7.简述半导体的导电机理，分析其电导率的温度关系？8.简述超导体的两个主要特征。06 年1.填空题NaCl石墨铜钠其中一个的点群与其它不同是.在低温，金刚石比热与温度的关系是.高压晶体体积变小，能带宽度会.石墨中原子之间通过键结合成固体。2.推导 bloch 定理；写出理想情况下表面态的波函数的表达式，并说明各项的特点。
9、3.推导出一维双原子的色散关系。4.在紧束缚近似条件下，求解周期势场中的波函数和能量本征值。5.某面心立方晶体，其点阵常数为a画出晶胞，（，），（，），（，）晶面；计算三面的面间距；说明为什么（，）晶面衍射强度为零。6.重费米系统、接触电势、安德森转变。为什么金属电子自由程是有限的但又远远大于原子间距？硅本征载流子浓度为，导带有效密度为，若掺入每立方厘米的原子，计算载流子浓度。磁畴原激发对理想金属可以认为其介电常数虚部为零。请以为例，给出理想金属对的反射率随频率的变化（公式、频率值、示意图）分析说明小角晶界的角度和位错的间距的关系，写出表达式。试通过数据说明，为什么处理硅、锗等半导体的可见光吸收时，采用垂直跃迁的近似是合理的。试根据超导，推导出超导临界温度和外加磁场的定性关系。论述固体内部的位错类型，并且画出示意图。-