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1、EBL=Electron Beam Lithography=电子束光刻第1页/共43页第2页/共43页一、电子束曝光系统结构第3页/共43页第4页/共43页column第5页/共43页电子源的分类 直热式 W，2700K 热发射电子源 旁热式 LaB6，1800K电子源 热场发射 ZrO/W，1800K 场发射电子源 冷场发射 第6页/共43页四种电子源对比电子源三个关键参数：有效源尺寸，亮度，电子能量分布热发射源能量分布大，聚焦斑束大，产生严重相差。冷场致发射稳定性差，对真空要求高。故EBL系统选用热场致发射源。第7页/共43页旁热式&热场致电子源结构示意图阳地超高电场阴阴阳第8页/共43页
2、EBL中电子源结构示意图第9页/共43页几个牌子的EBL性能参数第10页/共43页二次电子探测器Detector第11页/共43页Illustrations with different signal sources第12页/共43页第13页/共43页Imaging by means of SE2 detector:5mm WDImaging by means of In lens detector:=10mm WD(depending on high voltage setting)Imaging by means of BSE detector:8-10 mm(Optimum of the
3、 BS electron detection)第14页/共43页Influence of Acceleration Voltage第15页/共43页Influence of Beam Current第16页/共43页Influence of Working Distance第17页/共43页二、坐标系的对准第18页/共43页建立坐标系第19页/共43页写场对准第20页/共43页三、曝光第21页/共43页扫描模式第22页/共43页Exposure parameter第23页/共43页Area dose第24页/共43页Line dose第25页/共43页Dot does第26页/共43页Area
4、 mode第27页/共43页第28页/共43页Line mode第29页/共43页Circle mode第30页/共43页Exposure strategies Used by Raith第31页/共43页四、临近效应第32页/共43页Visualization of Energy Deposition Grid(EDG)第33页/共43页高能电子打断PMMA内高分子链示意图第34页/共43页前散射和背散射随PMMA厚度的变化关系第35页/共43页Monte Carlo Simulations第36页/共43页Energy deposition第37页/共43页Proximity functi
5、on trajectoriesenergy depositionenergy distributiondouble GaussianProximity function proximity function has the same shape as energy distribution with respect to lateral distancesbut:no direct relation between energy and PE!(its just a model)第38页/共43页Influence of beam energy on scattering第39页/共43页第40页/共43页第41页/共43页互利才能共赢！Thank you！第42页/共43页感谢您的观看。第43页/共43页