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1、精选优质文档-倾情为你奉上模电暑假学习笔记7 141:当pn结外加正向电压时，外电场将多数的载流子推向空间电荷区，使空间电荷区变窄，消弱了内电场。2:在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于掺杂浓度，而少数载流子的浓度则与热激发有很大关系。3：二极管的反向饱和峰值电流随环境温度的升高而增大。4：二极管的正相微变电阻随工作电流的增大而减少。5：输入电阻最大的是共集电极放大电路，最小的是共基极放大电路；输出电阻最小的是共集电极放大电路，而共基极和共射极放大电路的输出电阻值较大；电压放大倍数最大的是共基极和共射极放大电路，共集电极放大电路的小于1，但接近于1；电流放大倍数最小的是共基极放大电路。6：由
2、n沟道场效应管构成的共源电极放大电路输出波形出现了底部失真，说明进入了截止区。7;在共射CE、共集CC、共基CB三种基本放大电路组态中：希望电压放大倍数大，可选用CE组态；希望输出电压与输入电压相同，可选用CC组态；希望带负载能力强，应选用CC组态；希望从信号源索取电流小，应选用CE/CC组态；希望既能放大电流，又能放大电压，应选用CE组态；希望高频响应好，又有较大的电压放大倍数，应选用CE/CB组态。结型场效应晶体管通常采用两种方式：N沟道和P沟道。N沟道结型场效应晶体管的夹断电压为负（=0.2Pom最大耐压值为U(br)ceo=2Ucc最大集电极电流为Icm=Ucc/Rl.7 191：某放
3、大电路要求输入电阻Ri大，输出电流稳定，应选用电流串联负反馈电路。负反馈对放大电路性能的影响如下：正反馈使放大倍数增大（但电路容易不稳定），负反馈使放大倍数减少；直流负反馈可以稳定放大电路的静态工作点，而交流负反馈可以改善动态指标，降低系统的非线性失真；电压负反馈能稳定输出电压，同时降低输出电阻，使负载电流驱动能力增强；而电流负反馈能稳定输出电流，同时提高输出电阻。串联负反馈可提高放大电路的输入电阻，而并联负反馈则会降低输入电阻；它以闭环系统低频增益为代价，可以显著提高闭环放大电路的信号处理带宽，同时对反馈环路内部的噪声有很好的抑制作用。2：直流反馈与交流反馈的判断方式如下：若反馈信号只与输出
4、回路的直流电压或直流电流有关，则称为直流反馈；若反馈信号只与输出回路的交流电压或交流电流有关，则称为交流反馈。直流负反馈用于稳定静态工作点；交流负反馈用于改善放大电路的动态性能。3：在输入量不变的情况下，若引入反馈后净输入量减小，则说明引入的反馈是负反馈。正反馈与负反馈的判断原则如下：视反馈加入前后基本放大器的输入信号变化情况而定。若加入反馈后，使基本放大器的输入信号增大，则为正反馈；若使基本放大器的输入信号减小，则为负反馈。模拟电路中通常采用瞬时极性法来判断，也可从反馈深度角度来判断。即|1+AF|1为负反馈，|1+AF|1为正反馈。4：电流串联负反馈放大器是一种输出端取样量为电流，输入端比
5、较量为电压的负反馈放大器，它使输入电阻增大，输出端电阻增大。电流串联负反馈在输出端的取样量是输出电流，在输入端以电压的方式叠加。由于是串联反馈，所以使得电路的输入电阻变大，同时电流负反馈也使得输出电阻增大。5：在串联电压负反馈放大电路中，若将反馈深度增加，则该电路的输出电阻将减小。8 211:用万用表的Rx10挡和Rx1k挡分别测量一个二极管的正向电阻，两次测得的结果是： 第一次测试值比第二次小。2：U=1/T乘以积分 从0到T 的 |u（t）|dt 平均值的定义 u(t) 是u=根号下3乘以Usinwt.3:晶体二极管的正相微变电阻随工作电流的增大而减小。4：p型半导体中空穴为多子，自由电子
6、为少子，主要靠空穴导电；N型半导体中自由电子为多子，空穴为少子。PN结外加正向电压时，电场将多数载流子推向空间电荷区，使其变窄，消弱了内电场，破坏了原来的平衡，使扩散运动加剧，而漂移运动减弱。故扩散电流大于漂移电流。5：导致放大器高频段增益下降的主要原因是由于极间电容和接线电容的影响；导致放大器低频段增益下降的主要原因是由于外界电容的影响。PN结正向交流电阻的大小与正向PN结电流有关。6：半导体在热（或光）作用下产生电子、空穴对，这种现象称为本征激发。当温度升高时，电子吸收能量摆脱共价键，从而形成一对电子和空穴。7;硅稳压管VZ工作在反向击穿区，它工作时必须串联一个合适的限流电阻R。硅稳压管一
7、般工作在反向击穿区，可以达到稳压的效果。8：点接触型二极管适用于频率较高的场合。硅二极管与普通的二极管一样具有单向导电性。它是利用反向击穿时，在一定电流范围内或者说一定的功率损耗范围内，端电压不变的特点而制成的。对于半导体二极管而言，给它加正向电压时，会产生扩散电流，电流与电压成指数关系；加反向电压时，会产生漂移电流，但是其数值小，由此体现出了单向导电性。单向导电性不是指加反向电压就没有电流；二极管反向击穿并不一定意味着器件完全损坏。二极管击穿分为：电击穿和热击穿。如果是电击穿，则外电场撤销后器件能够恢复正常；如果是热击穿，则意味着器件损坏，不能再次使用。工程实际中的电击穿往往伴随着热击穿。电
8、击穿又分雪崩击穿、齐纳击穿两种。点接触二极管是用一根金属丝经过特殊工艺与半导体表面相接形成PN结的，因而结面积小，不能通过较大的电流。但其结电容小，一般在1pF以下，工作频率可以达到100MHz以上，因此使用于高频电路和小功率整流场合。9：PN结的单向导电性 载流子由于浓度差而产生的运动成为扩散运动，在电场力作用下的运动成为漂移运动。当PN结正偏（P端接高电位，N端接低电位）时，空间电荷区变窄，内电场被消弱，多子的扩散运动大于少子的漂移运动，形成以多子为主体的正向扩散电流；当PN结反偏时，空间电荷区变宽，加强了内电场，少子的漂移运动大于多子的扩散运动，形成以少子为主体的反向漂移电流。但少子的数目极少，所以反向电流可忽略不计，则可以认为PN结处于截止状态。10：专心-专注-专业