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1、基础电子技术基础电子技术杨荣峰电气学院电子学教研组，逸夫楼本节内容本节内容双极型晶体管双极型晶体管双极型晶体管的结构双极型晶体管的结构晶体管内部载流子的运动与电流分配晶体管内部载流子的运动与电流分配晶体管的三种组态晶体管的三种组态晶体管的共射特性曲线晶体管的共射特性曲线晶体管的参数晶体管的参数晶体管的型号、封装晶体管的型号、封装双极性晶体管的结构双极性晶体管的结构NPNPNP 晶体管的三种组态晶体管的三种组态 输入端输入端输出端输出端公共端公共端双极型晶体管的电流传输关系双极型晶体管的电流传输关系 总结（详细版）总结（详细版）当晶体管的当晶体管的发射结处于正向偏置（发射结处于正向偏置（uBEU
2、on）且集电结处于反相偏置（且集电结处于反相偏置（uCE=uBE）时，发射）时，发射区中的多数载流子由于区中的多数载流子由于扩散扩散运动而大量注入到运动而大量注入到基区，其中仅有极少部分与基区的多数载流子基区，其中仅有极少部分与基区的多数载流子复合复合，形成基极电流，而大部分在集电结外电，形成基极电流，而大部分在集电结外电场作用下被集电极收集形成场作用下被集电极收集形成漂移漂移电流电流iC，体现，体现出出iB对对iC的控制作用，可将的控制作用，可将iC看成为由电流看成为由电流iB控控制的电流源。制的电流源。总结（总结（熟练版熟练版）在放大条件下在放大条件下，由发射区扩散（发射结正偏）的载流子只
3、有极少数在基区被复合，绝大部分被集电区收集（集电结反偏）。其分配关系是：在基区中每复合一个载流子，就在基区中每复合一个载流子，就有有个载流子被集电区收集。该比例关系由晶个载流子被集电区收集。该比例关系由晶体管的结构决定，所以，通过控制体管的结构决定，所以，通过控制IB，就能，就能控制控制IC，即 uCuBuE 晶体管的共射输入特性曲线晶体管的共射输入特性曲线 晶体管射输出特性曲线晶体管射输出特性曲线 晶体管的参数晶体管的参数（一）直流参数（一）直流参数共发射极直流电流放大系数共发射极直流电流放大系数共基极直流电流放大系数共基极直流电流放大系数 集电结反向饱和电流集电结反向饱和电流ICBO 晶体
4、管集射极穿透电流晶体管集射极穿透电流ICEO 穿透电流的解释（穿透电流的解释（不重要不重要）ICEO=(1+)ICBO解解释释如下：集如下：集电结处电结处于反偏于反偏时时，c-b之之间间有反有反向向饱饱和和电电流流ICBO，这这部分部分电电流主要由集流主要由集电电区的少子空穴在反区的少子空穴在反偏偏电场电场作用下漂移到基区引起，作用下漂移到基区引起，这样这样相当于基区相当于基区补补充了充了ICBO个空穴，个空穴，这这些空穴必然在基区和些空穴必然在基区和发发射射结扩结扩散散过过来的自由来的自由电电子复合，根据子复合，根据电电流分配关系，一个空穴在基区和流分配关系，一个空穴在基区和发发射射结扩结扩
5、散散过过来的自由来的自由电电子复合，就有子复合，就有个自由个自由电电子被集子被集电结电结收集。收集。因此有如下因此有如下图图示示过过程：相当于程：相当于(1+)ICBO电电流穿透从流穿透从C到到E。（二）交流参数（二）交流参数共发射极交流电流放大系数共发射极交流电流放大系数 共基极交流电流放大系数共基极交流电流放大系数 、特征频率特征频率fT：f fT,=1共射共射截止频率截止频率f：f=f，=0/（0为低为低频时的数值）频时的数值）共基截止频率共基截止频率f：f=f，（三）极限参数（三）极限参数集电极最大允许电流集电极最大允许电流ICM Ic 集电极最大允许功率损耗集电极最大允许功率损耗PC
6、MPC=ICUCBICUCE 反向击穿电压反向击穿电压7030 0 U(BR)CEOU(BR)CBOU(BR)CESU(BR)CERU(BR)EBO晶体管的安全工作区晶体管的安全工作区 温度对曲线的影响温度对曲线的影响2050UBE1UBE2IB国家标准对半导体三极管的命名如下:3 D G 110 B 第二位：第二位：A锗锗PNP管、管、B锗锗NPN管、管、C硅硅PNP管、管、D硅硅NPN管管 第三位：第三位：X低频小功率管、低频小功率管、D低频大功率管、低频大功率管、G高频小功率管、高频小功率管、A高频大功率管、高频大功率管、K开关管开关管用字母表示材料用字母表示材料用字母表示器件的种类用字母表示器件的种类用数字表示同种器件型号的序号用数字表示同种器件型号的序号用字母表示同一型号中的不同规格用字母表示同一型号中的不同规格三极管三极管晶体管的型号晶体管的型号1/30/2023晶体管封装晶体管封装