第七章 噪声分析(精品).ppt

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1、放大器噪声与温度有关(K 为玻尔兹曼常数)实际 R无噪 R或无噪 R电阻热噪声:噪声(功率)谱密度:电阻 R 在单位频带内产生热噪声电压方均值。S(f )在很宽频域内为恒值(均匀分布)-白噪声。故 频带内电阻热噪声电压均方值为:设某系统电压传递函数为复功率:表现功率:则功率传函:噪声带宽噪声带宽 按功率等效(即几何面积相等)定义:例 求输出端 、RCab无噪 RC方法一方法二注:半功率点带宽 对于高阶电路,噪声带宽与半功率点带宽几乎相同!电抗元件不消耗功率,亦不产生热噪。二极管噪声热噪声:结电阻,引线电阻产生,取决于环境温度散粒噪声:取决于工作电流噪声(功率)谱密度:正向平均电流 ID 流过二

2、极管时产生散粒噪声电流方均值为:频带内散粒噪声电流均方值:二极管噪声ID双极型晶体管噪声1、电阻热噪声,其中 热噪声影响最大:2、散粒噪声:正向 E 结噪声:反向 C 结噪声:3、分配噪声:由基区内载流子复合的随机性引起,有色噪声。噪声电流功率密度:其中:4、噪声(闪烁噪声):低频段较显著,与半导体材料有关,有色噪声。总结:中频段:热噪声+散粒噪声=白噪声低频段:叠加 噪声高频段:叠加分配噪声S(f)3dB/10倍频6dB/10倍频白噪声1KHzfCB 噪声模型CB 噪声微变等效电路(没考虑 噪声):ecbb场效应管噪声1、沟道噪声:由沟道电阻产生的热噪声。结型:MOS:短沟道长沟道2 3(一

3、般取2.5)1(恒流区)、(可变电阻区)2、噪声:主要影响 f 0 dB3、标准信号源:仅含有 产生的白噪声4、若功率增益 即:噪声系数与信号功率无关,仅与功率增益、输入输出噪声有关。5、若网络内每个有噪元件噪声功率在输出端的贡献为 则输出噪声功率 =输入噪声(通过网络)在输出端产生的功率 +网络附加的噪声功率低噪放大器(LAN)MOS 构成 LAN 时的阻抗匹配措施:场效应管具有输入高阻抗、低噪声、热稳定、抗辐射等特点,与结型管相比,MOS 管输入电阻更高,温度稳定性更好,且集成工艺简单。低噪放大器(LAN)的阻抗匹配:信号源内阻 有一个最佳值,使放大器噪声系数 最小。但放大器输入阻抗不一定正好与最佳值匹配,因此 LAN 往往以牺牲增益来保证低噪。放大器最佳工作状态一般由实验方法确定。常用 MOS 构成 LAN 的输入级:CLR取串联谐振电阻 时与信号源功率匹配(串联最佳匹配)。DSG匹配电感通过 、调节放大器输入电阻,与最佳 匹配。、确定最佳 使 最小;、由 确定 与 间关系;、由 确定谐振频率:只能在窄带条件下实现与信号源匹配,在此,串联谐振电阻 既不产生热噪也不消耗功率。

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