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1、 第一章常用半导体器件第一章常用半导体器件 2010年年9月月习题解答习题解答1第一章 第一章第一章 常用半导体器件常用半导体器件 自自 测测 题题 一、判断下列说法是否正确一、判断下列说法是否正确,用用“”和和“”表示判断结果填入表示判断结果填入空内空内 *（1）在）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为型为P型半导体。（型半导体。（）*（2）因为）因为N 型半导体的多子是自由电子型半导体的多子是自由电子,所以它带负电所以它带负电.（）*（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）#（
2、4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（成的。（）（5）结型场效应管外加的栅）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅源电压应使栅-源间的耗尽层承受源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其反向电压，才能保证其RGS大的特点。（大的特点。（）#（6）若耗尽型）若耗尽型N沟道沟道MOS管的管的UGS大于零，则其输入电阻会大于零，则其输入电阻会明显变小。（明显变小。（）2第一章 二、选择正确答案填入空内。二、选择正确答案填入空内。*（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将结加正向电压时，空间电荷区将 。A.变窄变窄 B.基本不变基本不变 C.
3、变宽变宽*（2）设二极管的端电压为）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是则二极管的电流方程是 。A.ISeU B.C.*（3）稳压管的稳压区是其工作在稳压管的稳压区是其工作在 。A.正向导通正向导通 B.反向截止反向截止 C.反向击穿反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时）当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为发射结电压和集电结电压应为 .#A.前者反偏、后者也反偏前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏前者正偏、后者也正偏（5）UGS0V时，能够工作在恒流区的场效应管有时，能够工作在恒流区的场效应管有 。#A.结型管结型管 B.
4、增强型增强型MOS管管 C.耗尽型耗尽型MOS管管 A A、CCCB3第一章#六、六、(1.9)电路如图电路如图T1.6所示，所示，VCC15V，100，UBE0.7V试问：试问：1）Rb50k时，时，uO？（？（2）若）若T临界饱和，则临界饱和，则Rb？解：解：（1）Rb50k时，基极电流、集时，基极电流、集电极电流和管压降分别为：电极电流和管压降分别为：工作在放大区，所以输出电压工作在放大区，所以输出电压UOUCE2V。（2）设临设临界界饱饱和和时时UCESUBE0.7V，所以：所以：4第一章 1.1 选择合适答案填入空内。选择合适答案填入空内。*（1）在本征半导体中加入）在本征半导体中加
5、入 元素可形成元素可形成N型半导体型半导体，加，加入入 元素可形成元素可形成P型半导体。型半导体。A.五价五价 B.四价四价 C.三价三价 *（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。A.增大增大 B.不变不变 C.减小减小#（3）工作在放大区的某三极管，如果当）工作在放大区的某三极管，如果当IB从从12A增大到增大到22A时，时，IC从从1mA变为变为2mA，那么它的那么它的约为约为 。A.83 B.91 C.100#（4）当场效应管的漏极直流电流当场效应管的漏极直流电流ID从从2mA变为变为4mA时，它时，它的低频跨导的低频跨导gm将将 。A.增大
6、增大 B.不变不变 C.减小减小习习 题题 A C A C A5第一章#1.13(1.10)有两只晶体管，一只的有两只晶体管，一只的250，ICEO180A；另一只的另一只的100，ICEO10A，其它参数大致相同。你认为其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？应选用哪只管子？为什么？解：选用解：选用100、ICEO10A的管子，因其的管子，因其适中、适中、ICEO较小，较小，因而温度稳定性较另一只管子好。因而温度稳定性较另一只管子好。6第一章#（补充作业）（补充作业）1.16 电路如图所示，晶体管导通时电路如图所示，晶体管导通时UBE0.7V,=50。试分析试分析VBB为为0.1V、
7、1V、5V三种情况下三种情况下T的工作状态及输出电压的工作状态及输出电压uO的值的值 解：解：（1）当VBB0.1V时，T截止,IB=0,IC=0,uOVCC-ICRC=VCC=12V（2）当）当VBB1V时，因为时，因为（3）当）当VBB5V时，因为时，因为ICQICM 所以所以T处于放大状态处于放大状态T处于饱和状态处于饱和状态7第一章#1.17(1.11)电路如图电路如图P1.17所示，试问所示，试问大于多少时晶体管饱大于多少时晶体管饱和？和？解：临界饱和时解：临界饱和时UCESUBE=0.7V 所以，所以，时时，管子，管子饱饱和。和。8第一章#（补充作业）（补充作业）1.18 电路如图
8、所示，晶体管的电路如图所示，晶体管的50，|UBE|0.2V，饱和管压降饱和管压降|UCES|0.1V；稳压管的稳定电压稳压管的稳定电压UZ5V，正向导通电压正向导通电压UD0.5V。试问：当试问：当uI0V时时,uO？当？当uI5V时时,uO？解：当解：当uI0时，晶体管截止，稳压管时，晶体管截止，稳压管击穿，击穿，uOUZ5V。当当uI5V时，时，而：而：晶体管饱和晶体管饱和9第一章#1.19(1.12)分别判断图分别判断图P1.19所示各电路中晶体管是否有可能所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。工作在放大状态。解：（解：（a）可能可能 （b）可能可能 （c）不能不能 （d）不能，不能，T的发射结会因电流过大而损坏。的发射结会因电流过大而损坏。（e）可能可能10第一章