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1、目录目录一、手机电路设计（硬件框图）一、手机电路设计（硬件框图）二、元件的选型二、元件的选型手机电路设计（硬件框图）手机电路设计（硬件框图）1 1、手机硬件的基本原理框图手机硬件的基本原理框图2 2、MT6235MT6235，MT6253MT6253，MT6225MT6225，MT6223DMT6223D的的BBBB框图框图3 3、平台差异性讨论、平台差异性讨论1 1、手机硬件的基本原理框图手机硬件的基本原理框图其他多媒体扩展应用MP3、MPEG4.电源管理芯片电源管理芯片PMU模拟基带模拟基带芯片芯片ABB数字基带芯片数字基带芯片DBB后端芯片后端芯片(DSP)LCD模块模块摄像头摄像头Se
2、nsor和弦芯片和弦芯片按键按键存储器存储器MemorySIM卡卡32K26MHz晶振晶振功放功放PA前端开关前端开关Switch射频收发器射频收发器Transceiver2 2、MT6235MT6235框图框图MT6253MT6253框图框图MT6225MT6225框图框图MT6223DMT6223D框图框图3、平台差异性讨论、平台差异性讨论n nPMU的集成；n nTransceiver的集成；n n双卡单通集成；n nUSB2.0支持性；n nCamera和T卡的支持；二、元件的选型二、元件的选型1、电源；2、存储器；3、音频功放；4、ESD器件；5、其他器件的选择电源（一）电源（一）n
3、 n目前有三种选择：目前有三种选择：线性线性线性线性LDOLDO稳压器稳压器稳压器稳压器、无电感型开关无电感型开关无电感型开关无电感型开关稳压器稳压器稳压器稳压器(亦称为充电泵亦称为充电泵)以及传统的以及传统的开关稳压器开关稳压器开关稳压器开关稳压器(基基基基于电感器于电感器于电感器于电感器)。n n线性线性线性线性LDOLDO：线性：线性LDOLDO稳压器被认为是最简单的方案，它只能将输入电稳压器被认为是最简单的方案，它只能将输入电压转换到更低的电压。它最显著的缺点是热量管理，因为它的转换效率压转换到更低的电压。它最显著的缺点是热量管理，因为它的转换效率接近于输出电压与输入电压的比值。接近于
4、输出电压与输入电压的比值。n n传统的开关稳压器（传统的开关稳压器（传统的开关稳压器（传统的开关稳压器（DC/DCDC/DC）：开关稳压器可避开所有线性稳压器的：开关稳压器可避开所有线性稳压器的效率缺点。通过使用低阻抗开关和磁存储组件，开关稳压器的效率能达效率缺点。通过使用低阻抗开关和磁存储组件，开关稳压器的效率能达到到9090以上，从而显著减少转换过程的功率损耗。以上，从而显著减少转换过程的功率损耗。n n无电感型开关稳压器（无电感型开关稳压器（无电感型开关稳压器（无电感型开关稳压器（CHARGE PUMPCHARGE PUMP）：介于线性稳压器与传统开：介于线性稳压器与传统开关稳压器之间的
5、是充电泵。在充电泵中，外部储能元件是电容而不是电关稳压器之间的是充电泵。在充电泵中，外部储能元件是电容而不是电感。由于没有电感，它可以减轻潜在的电磁干扰问题充电泵的缺点是有感。由于没有电感，它可以减轻潜在的电磁干扰问题充电泵的缺点是有限的输入输出电压比以及有限的输出电流能力。限的输入输出电压比以及有限的输出电流能力。电源（二）电源（二）n n选择电源模块时应该注意的几点：1 1、输出功率、输出功率需要确认电源模块的输出电流。需要确认电源模块的输出电流。案例：案例：MT6319MT6319的峰值电流在的峰值电流在150MA150MA左右，射频供电的左右，射频供电的LDOLDO兼容物料（兼容物料（
6、EUP7981-28NIR1 EUP7981-28NIR1），输出电流只有），输出电流只有150mA150mA，在，在极端条件下出现的电流临界点，出现无法拨打电话。极端条件下出现的电流临界点，出现无法拨打电话。2 2、转换效率、转换效率传统的开关稳压器（传统的开关稳压器（DC/DCDC/DC）无电感型开关稳压器无电感型开关稳压器（Charger PumpCharger Pump）线性线性LDOLDO。3 3、体积、体积 线性线性LDOLDO无电感型开关稳压器无电感型开关稳压器 AB AB类功放类功放n n2 2。转换效率。转换效率。转换效率。转换效率n nDD类功放是数字功放类功放是数字功放
7、AB AB类功放类功放n n3 3。价格。价格。价格。价格n nDD类功放是数字功放类功放是数字功放 AB AB类功放类功放AB类功放应用框图：音频功放(AB类)CP2290GITLX类功放应用框图：音频功放(2.1W,D类)YDA145-PZ*（带功能，防破音）类功放应用框图：音频功放(2.5W,D类)A7013MESD器件选择（一）器件选择（一）n nESDESD破坏大多数明显的影响是器件失效，从手指或其它导体上突然的破坏大多数明显的影响是器件失效，从手指或其它导体上突然的静电释放能够破坏静电敏感器件或者微电路。静电释放能够破坏静电敏感器件或者微电路。，ESDESD保护对高密度、保护对高密
8、度、小型化和具有复杂功能的电子设备而言具有重要意义。小型化和具有复杂功能的电子设备而言具有重要意义。n nESDESD器件主要有两种：器件主要有两种：TVS TVS 和和MLVMLVn nTVSTVS（Transient Voltage SuppresserTransient Voltage Suppresser瞬态电压抑制器）二极管瞬态电压抑制器）二极管TVSTVS二极管是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作二极管是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭
9、超额电压的击穿或超额电流的过热烧毁。额电压的击穿或超额电流的过热烧毁。n nMLV(Multi-Layer VaristorMLV(Multi-Layer Varistor，多层变阻器，多层变阻器)MLV MLV是一种基于是一种基于ZnOZnO压敏陶瓷材料，采用特殊的制造和处理工艺而制压敏陶瓷材料，采用特殊的制造和处理工艺而制得的高性能电路保护元件，其伏安特性符合得的高性能电路保护元件，其伏安特性符合I=kVaI=kVa，能够为受保护电，能够为受保护电路提供双向瞬态过压保护。路提供双向瞬态过压保护。ESD器件选择（二）器件选择（二）ESDESD器件选择需要注意的几点：器件选择需要注意的几点：器
10、件选择需要注意的几点：器件选择需要注意的几点：1 1。限制电压。限制电压。限制电压。限制电压限制电压小，保护性能好限制电压小，保护性能好 ，但限制电压不能低于或者太接近与工作电压，但限制电压不能低于或者太接近与工作电压，这样容易引起误动作。这样容易引起误动作。2 2。响应速度。响应速度。响应速度。响应速度响应速度越快、电压的冲击的影响就越小。响应速度越快、电压的冲击的影响就越小。MLVTVSMLVTVS3 3。能量耐受能力和通流能力。能量耐受能力和通流能力。能量耐受能力和通流能力。能量耐受能力和通流能力 这个反映出这个反映出ESDESD器件的功率等级，功率越大，所能承受的器件的功率等级，功率越
11、大，所能承受的ESDESD冲击越前。冲击越前。保护也就越好了。保护也就越好了。4.4.电容大小电容大小电容大小电容大小一般来说，电容越小越好一般来说，电容越小越好5 5。价格。价格。价格。价格TVSMLVTVSMLV其它器件选择其它器件选择1 1。电阻。电阻。电阻。电阻电阻一般关心的精度和功率，一般来说，采用的电阻一般关心的精度和功率，一般来说，采用的04020402的的1/8W1/8W电阻电阻2 2。电容。电容。电容。电容RFRF选用电容一般关心的是精度和温度特性，对于选用电容一般关心的是精度和温度特性，对于BBBB，电容器的等效串，电容器的等效串联电阻联电阻(ESR)(ESR)会影响其稳定
12、性会影响其稳定性,一般越越小越好。一般越越小越好。钽电容钽电容钽电容钽电容 陶瓷电容陶瓷电容陶瓷电容陶瓷电容3 3。晶振。晶振。晶振。晶振 晶振的主要参数有标称频率，负载电容、频率精度、频率稳定度等。晶振的主要参数有标称频率，负载电容、频率精度、频率稳定度等。晶振的主要参数有标称频率，负载电容、频率精度、频率稳定度等。晶振的主要参数有标称频率，负载电容、频率精度、频率稳定度等。4 4。MosFETMosFET一般一般MosFETMosFET用于电流的开关控制上，所以他的导通电阻最为重要。用于电流的开关控制上，所以他的导通电阻最为重要。压敏电阻的特性曲线图TVS的特性曲线图和参数指标硬件材料选型技术基本参考要素原则硬件材料选型技术基本参考要素原则1 1。性能。性能。性能。性能对于不同的器件，和不同的使用环境，对于器件的选择的侧重点存在对于不同的器件，和不同的使用环境，对于器件的选择的侧重点存在不同，要根据情况进行选择。不同，要根据情况进行选择。2 2。体积。体积。体积。体积不影响性能的条件的前提下，器件体积越小越好。不影响性能的条件的前提下，器件体积越小越好。3 3。价格。价格。价格。价格不影响性能的条件的前提下，器件越便宜越好。不影响性能的条件的前提下，器件越便宜越好。课程小结课程小结 Q&A提问时间提问时间 (5分钟）分钟）谢 谢