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1、1、BGA(ball grid array) - 0 _ G3 e7 S7 e3 R- J5 Q% z9 * G) 6 球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用 以 代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI 芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也 称为凸 点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI 用的一种封装。 封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不 用担心QFP 那样的引脚变形问题
2、。 该封装是美国Motorola 公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用,今后在美国有 可 能在个人计算机中普及。最初,BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。现在 也有 一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为 , 由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。 美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为 GPAC(见OMPAC 和GPAC)。 ; D5 P* Q/ |/ |% ?* f, H: r- # 1 J/
3、 k- W! L% H) m% BK h j2、BQFP(quad flat package with bumper) 4 c! w8 Q& N8 j i: Jy+ 7 E带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以 防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中 采用 此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84 到196 左右(见QFP)。 . H1 d7 C- S$ * ? D j9 a U5 o( p3、碰焊PGA(butt joint pin grid array) + + k, x% 8 g& |表面贴
4、装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。 + u; f6 C: W+ S2 Q e/ G u$ J; x3 q4 ; O4、C(ceramic) 4 Q+ z4 C& ?: n( u表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。 * c8 f5 c6 i# ?$ x# T2 C9 O5 o% |* p+ : v) a+ V5、Cerdip . d& k2 W- z0 ?; M$ l# A& s9 p# J用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECL RAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有
5、EPROM 的微机电路等。引脚中 心 距2.54mm,引脚数从8 到42。在japon,此封装表示为DIPG(G 即玻璃密封的意思)。 K$ _0 m/ C8 n0 |1 b7 | Z* P& |% n. R+ l( C6、Cerquad ) P2 : |1 ( 4 a. L4 ?表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗 口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好,在自然空冷条件下可容许1. 5 2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高35 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4m
6、m 等多种规格。引脚数从32 到368。 % X3 V$ w J( t5 n1 q1 M* s0 o% A* g7 L8 q7、CLCC(ceramic leaded chip carrier) + C h- Q! R4 T: E# a + Q带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形 。 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJG(见QFJ)。 7 . l* K# Z$ w) z6 j8 f) v- 3 S: v+ W4 q8、COB(chip on board) 4 C: R) b& l j)
7、 A板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与 基 板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用 树脂覆 盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB 和 倒片 焊技术。 5 _9 q, z7 h7 V- f4 k0 D! F8 ) M X% 4 r N9、DFP(dual flat package) ( Q# * k- R A( w( p* p2 P双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法,现在已基本上不用。 7 q6 V( j& f, p2 z- j2 K) P2 x
8、; 9 p2 n6 NL. H: A; m10、DIC(dual in-line ceramic package) ! n0 3 w+ L9 g陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP). 4 R6 ) p$ i& I2 B$ j( K% v0 fy3 L% a; 11、DIL(dual in-line) 1 . # r) u# T0 nDIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。 : n R3 Z ( , n6 r9 N: R8 n/ j l& X* y; E: Hw, I# Y12、DIP(dual in-line package) 5 c+ 4 J5 S3 A 双列直插式封装。
9、插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种 。 DIP 是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。 引脚中心距2.54mm,引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加 区分, 只简单地统称为DIP。另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip(见cerdip)。 - u p! p b- N S2 L3 X. V2 c9 n; 7 l) f7 G13、DSO(dual small out-lint)
10、 4 / m* x9 X8 V% Z1 _( x双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。 0 _c, J! C& c2 R# 2 7 G/ e# 6 6 R. p14、DICP(dual tape carrier package) ! T0 v- Y) b$ V- v. V$ - h双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于 利 用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI,但多数为 定制品。 另外,0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。在japon,按照EIAJ(japon
11、电子机 械工 业)会标准规定,将DICP 命名为DTP。 5 a7 i- Y( v. F h* w2 s! H9 D# ?. 8 g( Z* v15、DIP(dual tape carrier package) , ) i7 t, h; P( T/ I同上。japon电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。 ; R, I) A* c3 y l2 P: h+ B1 N* E3 p* S# 6 ; T# p16、FP(flat package) : E9 N4 I6 U( m4 f# u/ 7 x扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。部分半导体厂家
12、采 用此名称。 8 h: c- k9 C4 . u5 s9 u% S5 Su2 1 u5 H6 r- 7 Q17、flip-chip ) P# F5 p2 d+ Q3 倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸 点 与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有 封装技 术中体积最小、最薄的一种。 但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可 靠 性。因此必须用树脂来加固LSI 芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。5 y& q! z( ( T4 % c* Ql/ S: l$ r7 U7
13、 E* r18、FQFP(fine pitch quad flat package) . Rv2 G u7 j小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采 用此名称。 t- & r# Q: I* V q6 |3 B8 r4 a% 3 a+ 19、CPAC(globe top pad array carrier) ! C* S) m% V1 X: J; h+ u* W7 P美国Motorola 公司对BGA 的别称(见BGA)。 2 t% h* ; P+ x! , - I& o0 _+ y0 F. q6 g, K. K20、CQFP(quad fi
14、at package with guard ring) ) i- C& H8 x* M3 T; N带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP 之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变 形。 在把LSI 组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。 这种封装 在美国Motorola 公司已批量生产。引脚中心距0.5mm,引脚数最多为208 左右。 ; _% e8 X; 8 Q( Y% B3 c( v% i/ O, O21、H-(with heat sink) % p# |! j0 y2 d5 D6 Q7 t表示带散热器的标记。例如,HSOP 表示带散热器的SOP。 2 i
15、: c k+ r v8 g8 W3 U& _3 5 n8 Bl- N( D22、pin grid array(surface mount type) 0 ) z- h8 t# I z% t3 F. T# k6 5 i表面贴装型PGA。通常PGA 为插装型封装,引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA 在封装的 底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而 也称 为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型PGA 小一半,所以封装本体可制作得 不 怎么大,而引脚数比插装型多(250528),是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有 多层陶 瓷基
16、板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。 0 U; w. UL* q4 W& U! q# z8 z: p5 y( w23、JLCC(J-leaded chip carrier) U4 M6 S/ B3 r- B# 6 J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半 导体厂家采用的名称。 7 B2 Z; G8 j$ e* y; M% ?2 o% N6 m L7 K0 ?. F+ A- q24、LCC(Leadless chip carrier) 5 ( F( l# 7 K无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引
17、脚的表面贴装型封装。是 高 速和高频IC 用封装,也称为陶瓷QFN 或QFNC(见QFN)。 % y% Q0 J2 . o3 V; O$ b5 I0 j; ) M& J2 v5 9 I) $ R25、LGA(land grid array) + s+ q$ G% a4 g. m$ 触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现 已 实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA,应用于高速 逻辑 LSI 电路。 LGA 与QFP 相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外,由于引线的阻 抗 小,对于高速LS
18、I 是很适用的。但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用 。预计 今后对其需求会有所增加。 , X* B4 d: s2 s) - l5 J* J0 G# Q) F3 s9 J3 C0 N26、LOC(lead on chip) # i7 h; R; A; n; b; s& r芯片上引线封装。LSI 封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片 的 中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面 附近的 结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。 - O7 c; Z8 H# Q/ J& Z6 f) 4 * k% n: N0 H)
19、Y27、LQFP(low profile quad flat package) / ?. Cs- q+ N i/ I+ 薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP,是japon电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。 $ O( 8 O1 L! o7 c& Z; 4 R! O% O* V5 e28、LQUAD 5 n( V3 V v z# c0 i陶瓷QFP 之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高78 倍,具有较好的散热性。 封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑LSI 开发的一种 封装, 在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208 引脚
20、(0.5mm 中心距)和160 引脚 (0.65mm 中心距)的LSI 逻辑用封装,并于1993 年10 月开始投入批量生产。 l4 p/ F8 S7 f: a0 w* R4 I5 D) G0 J2 k. ?9 O/ v! s9 t29、MCM(multi-chip module) d8 w0 X3 k6 x0 F( n, z多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可 分 为MCML,MCMC 和MCMD 三大类。 MCML 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高,成本较低 。 MCMC 是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷
21、)作为基板的组件,与使 用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCML。 MCMD 是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组 件。 布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。 m. e# X7 e4 d* Z+ p- q. P& r! r30、MFP(mini flat package) 6 y* c( f4 a7 Fn T0 X小形扁平封装。塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。 7 w% N; K$ G% I* v, g0 4 V) v2 X/ 4 W1 ?. r31、MQFP(met
22、ric quad flat package) 9 g; _2 n K7 ? W3 X: s3 ?按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP 进行的一种分类。指引脚中心距为 0.65mm、本体厚度为3.8mm2.0mm 的标准QFP(见QFP)。 ! SE V9 k+ N2 Q8 D3 5 I- J% 8 Y6 $ W+ n32、MQUAD(metal quad) ! b5 ! 4 M5 V& M V8 e2 n美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封。在自然空 冷 条件下可容许2.5W2.8W 的功率。japon新光电气工业公司于1993 年获得特
23、许开始生产 。 + S* w+ e; o# d, v. z7 Z. o! B3 L9 n! m$ d5 W33、MSP(mini square package) ) B. 2 S r& o w- SQFI 的别称(见QFI),在开发初期多称为MSP。QFI 是japon电子机械工业会规定的名称。 ! F* x, e9 V6 q/ F# m( nW. F1 Y8 J& * u0 c( n2 ?34、OPMAC(over molded pad array carrier) / yf: ) $ C/ P2 P7 r% i g) 模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA
24、 采用的名称(见 BGA)。 z2 : o( B# B, I5 w. r% G: ! D5 ; i/ v! G X35、P(plastic) 9 5 m; a# q% x* d表示塑料封装的记号。如PDIP 表示塑料DIP。 3 r H7 _- I) b9 p6 b4 n& u) J8 F; AU36、PAC(pad array carrier) . A$ C6 H: _ G5 T凸点陈列载体,BGA 的别称(见BGA)。 6 U6 d+ C! / B$ x% n! ?. ; e1 B6 o4 Z37、PCLP(printed circuit board leadless package) (
25、 ) b( b3 b * k印刷电路板无引线封装。japon富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。引 脚中心距有0.55mm 和0.4mm 两种规格。目前正处于开发阶段。 ( n1 ( G2 t+ J, c& R7 X, ! Z( F; P38、PFPF(plastic flat package) 5 E& Z4 ) u9 h; s* d) M塑料扁平封装。塑料QFP 的别称(见QFP)。部分LSI 厂家采用的名称。 . R5 W2 w& P& j1 F Z6 E4 M. U) I$ Y, 7 F s+ M8 Y39、PGA(pin grid array) . a0 B#
26、 g8 U6 R6 T( BE/ c# v陈列引脚封装。插装型封装之一,其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都 采 用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下,多数为陶瓷PGA,用于高速大规模 逻辑 LSI 电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从64 到447 左右。 了为降低成本,封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64256 引脚的塑料PG A。 另外,还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)。(见表面贴装 型PGA)。 1 k1 C% |0 , M9 t. a, r3 h! ?* S40、piggy back ; q& )
27、 A) x8 h驮载封装。指配有插座的陶瓷封装,形关与DIP、QFP、QFN 相似。在开发带有微机的设 备时用于评价程序确认操作。例如,将EPROM 插入插座进行调试。这种封装基本上都是 定制 品,市场上不怎么流通。 6 a; m9 l3 E5 T; b6 w8 S# K( & q# 41、PLCC(plastic leaded chip carrier) - b- a! M; V! l; w8 B带引线的塑料芯片载体。表面贴装型封装之一。引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形 , 是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用,现在已经 普 及用于逻辑LSI
28、、DLD(或程逻辑器件)等电路。引脚中心距1.27mm,引脚数从18 到84。 J 形引脚不易变形,比QFP 容易操作,但焊接后的外观检查较为困难。 PLCC 与LCC(也称QFN)相似。以前,两者的区别仅在于前者用塑料,后者用陶瓷。但现 在已经出现用陶瓷制作的J 形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装(标记为塑料LCC、PC LP、P LCC 等),已经无法分辨。为此,japon电子机械工业会于1988 年决定,把从四侧引出 J 形引 脚的封装称为QFJ,把在四侧带有电极凸点的封装称为QFN(见QFJ 和QFN)。 # f9 W8 oM: a3 u i7 g9 3 0 _, ; l* T- s
29、s42、PLCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier) 5 T. X/ S4 n0 t0 e9 L9 7 & K有时候是塑料QFJ 的别称,有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ 和QFN)。部分 LSI 厂家用PLCC 表示带引线封装,用PLCC 表示无引线封装,以示区别。 8 ?0 C9 v5 P$ r) q7 3 z5 , m- Z& l4 f, v8 ?43、QFH(quad flat high package) 1 c z8 N+ s: a- q四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP 的一种,为了防止封
30、装本体断裂,QFP 本体制作得 较厚(见QFP)。部分半导体厂家采用的名称。 ! ?) W! o& i& - S) h% |9 H% u$ o5 6 y+ I j0 u3 T44、QFI(quad flat I-leaded packgac) ) P: b1 d0 o8 : Y. J* F四侧I 形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出,向下呈I 字 。 也称为MSP(见MSP)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分,贴装占有面 积小 于QFP。 日立制作所为视频模拟IC 开发并使用了这种封装。此外,japon的Motorola 公司的PLL IC 也采用了此种封装
31、。引脚中心距1.27mm,引脚数从18 于68。 8 : X Q: f) c4 g/ : 9 L8 d5 P7 S2 & g45、QFJ(quad flat J-leaded package) * f; # q& 1 y7 四侧J 形引脚扁平封装。表面贴装封装之一。引脚从封装四个侧面引出,向下呈J 字形 。 是japon电子机械工业会规定的名称。引脚中心距1.27mm。 5 a4 h8 T% 6 |+ n7 , o材料有塑料和陶瓷两种。塑料QFJ 多数情况称为PLCC(见PLCC),用于微机、门陈列、 DRAM、ASSP、OTP 等电路。引脚数从18 至84。 陶瓷QFJ 也称为CLCC、JL
32、CC(见CLCC)。带窗口的封装用于紫外线擦除型EPROM 以及 带有EPROM 的微机芯片电路。引脚数从32 至84。: 3 T0 f4 i2 # R7 O4 B q! h1 Y# |, E5 x, J46、QFN(quad flat non-leaded package) ?5 4 S- c* J# + u5 b四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。QFN 是japon电子机械工业 会规定的名称。封装四侧配置有电极触点,由于无引脚,贴装占有面积比QFP 小,高度 比QFP 低。但是,当印刷基板与封装之间产生应力时,在电极接触处就不能得到缓解。因此电 极触点 难于作到QF
33、P 的引脚那样多,一般从14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC 标记时基本上都是陶瓷QFN。电极触点中心距1.27mm。 8 |& x) |8 O2 T4 M塑料QFN 是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除1.27mm 外, 还有0.65mm 和0.5mm 两种。这种封装也称为塑料LCC、PCLC、PLCC 等。 r7 R7 c# b& c, G* z7 p s/ z+ C4 47、QFP(quad flat package) 0 r$ U4 T* . _3 U四侧引脚扁平封装。表面贴装型封装之一,引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型。基材有 陶 瓷、
34、金属和塑料三种。从数量上看,塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时, 多数情 况为塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引脚LSI 封装。不仅用于微处理器,门陈列等数字 逻辑LSI 电路,而且也用于VTR 信号处理、音响信号处理等模拟LSI 电路。引脚中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多种规格。0.65mm 中心距规格中最多引脚数为304。 & P% _ m& W; p, ?2 Pjapon将引脚中心距小于0.65mm 的QFP 称为QFP(FP)。但现在japon电子机械工业会对QFP 的外形规格进行了重新评价。在引脚中心距上不加区别,
35、而是根据封装本体厚度分为 QFP(2.0mm3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三种。 & t2 gT0 s, Z/ p另外,有的LSI 厂家把引脚中心距为0.5mm 的QFP 专门称为收缩型QFP 或SQFP、VQFP。 但有的厂家把引脚中心距为0.65mm 及0.4mm 的QFP 也称为SQFP,至使名称稍有一些混乱 。 QFP 的缺点是,当引脚中心距小于0.65mm 时,引脚容易弯曲。为了防止引脚变形,现已 出现了几种改进的QFP 品种。如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP(见BQFP);带树脂 保护 环覆盖引脚前端的GQFP(见GQFP);在封装本
36、体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专 用夹 具里就可进行测试的TPQFP(见TPQFP)。 在逻辑LSI 方面,不少开发品和高可靠品都封装在多层陶瓷QFP 里。引脚中心距最小为 0.4mm、引脚数最多为348 的产品也已问世。此外,也有用玻璃密封的陶瓷QFP(见Gerqa d)。 ) k; o4 b1 _+ ; N: y) K. U8 N: d* YQ; ) s, U1 y5 e v?6 R+ B48、QFP(FP)(QFP fine pitch) ; J2 6 Q* # i, A6 . I2 e/ b O# * n小中心距QFP。japon电子机械工业会标准所规定的名称。指引脚中心距为0.
37、55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(见QFP)。( I) S1 s0 b0 U9 kb0 V$ k8 b Q49、QIC(quad in-line ceramic package) 9 m* G) c2 v* a* X& ?陶瓷QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP、Cerquad)。 3 j/ x0 zs I: 7 T y: J/ L+ , J3 M6 a50、QIP(quad in-line plastic package) # h% jY+ J- Z) i/ 塑料QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP)。 , W4 v4 t* P
38、a# M& y$ g3 d8 Y0 5 |% n: o2 p4 X51、QTCP(quad tape carrier package) & Y9 r* I2 |7 x( l6 6 v四侧引脚带载封装。TCP 封装之一,在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利 用 TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。0 n1 L1 v( W7 D9 U w3 h. P5 r?& V/ 52、QTP(quad tape carrier package) 0 y( _+ 1 9 r9 y四侧引脚带载封装。japon电子机械工业会于1993 年4 月对QTCP 所制定的外形规格所用 的 名称(见TCP)。
39、 0 o* j1 h x) d* c( e c! S7 pH/ B6 s- B! b53、QUIL(quad in-line) + s3 Z5 l* QUIP 的别称(见QUIP)。 ( 0 Z; W& H4 d2 g3 a6 d( 7 o4 n2 b, J4 x54、QUIP(quad in-line package) $ r; w2 r+ j: C0 / z7 d4 2 K四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧面引出,每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚 中 心距1.27mm,当插入印刷基板时,插入中心距就变成2.5mm。因此可用于标准印刷线路板 。是 比标准DIP 更小的一种封装。japon电
40、气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采 用了些 种封装。材料有陶瓷和塑料两种。引脚数64。 - 4 c0 X. m! : l D2 ZY. n- V# E% g& J$ V# a7 55、SDIP (shrink dual in-line package) 2 q4 V# g* H& x/ T+ Q( W收缩型DIP。插装型封装之一,形状与DIP 相同,但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm), 因而得此称呼。引脚数从14 到90。也有称为SHDIP 的。材料有陶瓷和塑料两种。 8 5 ) e, x4 j xu, a( / N6 S% _+ o4 Q$ G( d56、S
41、HDIP(shrink dual in-line package) ; M4 N( du- K7 I7 同SDIP。部分半导体厂家采用的名称。 6 T% X+ O1 G7 O9 |% Q4 q& x* s R a( n- 57、SIL(single in-line) 7 W$ B a% 7 ro0 FSIP 的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用SIL 这个名称。 & X# k, . t5 e/ T$ ?5 S0 Z6 T3 q* u# d A8 o58、SIMM(single in-line memory module) y6 p6 b7 YI# m& r单列存贮器组件。只在印刷基板的一个
42、侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插 座 的组件。标准SIMM 有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格 。 在印刷基板的单面或双面装有用SOJ 封装的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已经在个人 计算机、工作站等设备中获得广泛应用。至少有3040的DRAM 都装配在SIMM 里。 R, a$ K# a( H3 S% k2 FC_K! 1 A( C- i Q: . z59、SIP(single in-line package) 9 h( Q3 h! z# u+ & N4 V; k0 w单列直插式封装。引脚从封装一个侧面引出,排列成一条直线。当
43、装配到印刷基板上时 封 装呈侧立状。引脚中心距通常为2.54mm,引脚数从2 至23,多数为定制产品。封装的形 状各 异。也有的把形状与ZIP 相同的封装称为SIP。 ) n7 v! F U8 f7 L& R) S v4 t. R3 j* D% U! q- |3 t3 f9 60、SKDIP(skinny dual in-line package) 8 . i; L3 F0 We, l* yDIP 的一种。指宽度为7.62mm、引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP(见 DIP)。 6 b6 O ?- q, Y( W, E& 4 O) Y F8 ! Z61、SLDIP(sli
44、m dual in-line package) , f$ i9 m8 . VDIP 的一种。指宽度为10.16mm,引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP。 7 u9 c5 j& E5 s# 7 B5 K2 a! k- e- i2 62、SMD(surface mount devices) / t5 o4 0 . l表面贴装器件。偶而,有的半导体厂家把SOP 归为SMD(见SOP)。 # G$ l2 ?# b8 _9 N% M( 9 6 v4 3 x/ B6 M1 G) A63、SO(small out-line) 4 j0 O7 L5 w9 t: & H; hSOP 的别称
45、。世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见SOP)。+ i8 t7 b( P- X( ?1 z% X5 o; v+ ; A q2 ) Y64、SOI(small out-line I-leaded package) N+ Q4 r V 8 NI 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I 字形,中心 距 1.27mm。贴装占有面积小于SOP。日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。引 脚数 26。 3 6 b! s7 A; 1 H9 j% o( _7 _7 K! j# j Q$ d- B65、SOIC(small out-line integrated circ
46、uit) , o1 _: B- b6 P9 l$ XSOP 的别称(见SOP)。国外有许多半导体厂家采用此名称。 ! ?& A: A2 K2 O: N, v a5 c; M9 a/ l* 66、SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package) $ O5 T( t1 M& g3 v: uJ 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈J 字形,故此 得名。 通常为塑料制品,多数用于DRAM 和SRAM 等存储器LSI 电路,但绝大部分是DRAM。用SO J 封装的DRAM 器件很多都装配在SIMM 上。引脚中心距1.27mm,引脚数从20 至40(见SIMM )。 9 RQ0 W4 e& & y$ v: c 9 J7 c& S0 v# N- 67、SQL(Small Out-Line L-leaded package) 9 G! U) S/ t/ x# b; p按照JEDEC(美国联合电子设备工程委员会)标准对SOP 所采用的名称(见SOP)。 # v * t* G4 4 Y6 J8 P5 ) Z$ _1 s V: z68、SONF(Small Out-Line Non-Fin) * , Z! b# T+ V( n无散热片的SOP。与通常的SOP 相同。为了在功率IC 封装中表示无散热片的区别,有意 增添了NF(non-