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1、简单NMOS和CMOS器件平面工艺复习：工艺流程图晶片准备平面工艺封装测试硅片的类型标志P(100)P(111)N(111)N(100)微电子制造工艺的主要内容衬底制备单晶生长；晶片的切、磨、抛；薄膜技术氧化、外延、蒸发；掺杂技术扩散、离子注入；图形加工制版、光刻（曝光、腐蚀）热处理退火、烧结、去除光刻胶 简单NMOS和CMOS器件平面工艺Simple NMOS TechnologyN channel4-mask1 metal layer单晶硅掩膜版Note!0.55:0.45note self alignment?Simple CMOS Technology 4-Metal 1 2-Poly
2、silicon 3-Diffusions 1-Tub(N-well)CMOS Invertercut lineN-well MaskActive MaskPoly MaskN+Select MaskP+Select MaskContact MaskMetal MaskOther Cutaway ViewsSiO2剖面图 ULSI技术中较为典型的双阱CMOS工艺制造的CMOS集成电路的一部分 标准埋层双极集成电路工艺制造的集成电路的一部分 外延、氧化、扩散、离子注入、气相淀积、光刻腐蚀以及金属化等工艺总结一下：总结一下：现代工艺概要双阱工艺氮化物隔离槽技术STI（shallow trench isolation）USG：外层二氧化硅，防止吸潮，抗氧化氧化物平坦化槽刻蚀氧化物填充SOI工艺埋层埋层SiO2多层技术化及焊球制备SOD：旋凃绝缘介质：旋凃绝缘介质多芯片模组技术MCM当前热点SoC-System on a Chip 系统芯片技术MEMS-MicroElectroMechanical System 微电子机械系统技术NoCNetwork on a Chip 网络芯片技术