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1、电子技术基础与技能测试题1. 二极管加正向电压时（） 立即导通超过击穿电压就导通超过0.2V就导通超过死区电压就导通(正确答案)2. P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。 A、三价(正确答案)B、四价C、五价D、六价3. 稳压二极管的正常工作状态是（）。 A、导通状态B、截止状态C、反向击穿状态(正确答案)D、任意状态4. 用万用表检测某二极管时，发现其正、反向电阻都很大，说明该二极管（）。 A、已经击穿B、特性良好C、内部开路(正确答案)D、无法判断5. 二极管正向导通时，硅管和锗管的正向压降约为（） A、0.3V和0.5VB、0.7V和0.3V(正确答案)C、0.5V和0.
2、7VD、0.5V和0.3V6. P型半导体中的多数载流子是（） A、空穴(正确答案)B、自由电子C、离子D、多子7. 三极管的发射结正偏，集电结反偏时，该管工作在（） A、放大状态(正确答案)B、饱和状态C、截止状态D、任意状态8. 用万用表测量二极管的极性时,万用表的量程应选择（） A.R10K档B,R10档C,R100档或R1K档(正确答案)D,R1档9. N型半导体（） A、带正电B、带负电C、呈中性(正确答案)D、以上都有可能10. 二极管加正向电压时，其导通后的正向电流（） A、几百微安B、几微安至几百毫安(正确答案)C、几毫安D、几安11. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）
3、 A.增大(正确答案)B.不变C.减小D、无法判断12. PN结形成后，它的最大特点是具有（） A、导电性B、绝缘性C、导通性D、单向导电性(正确答案)13. 在晶体三极管的输出特性曲线中，每一条曲线与（）对应 A、输入电压B、基极电压C、基极电流(正确答案)D、输出电压14. P型半导体是（） A、纯净半导体B、掺杂半导体(正确答案)C、绝缘体D、以上都不是15. 共发射极放大电路的输出电压和输入电压在相位上的关系是（） A、同相位B、相差90C、相差120D、相差180(正确答案)16. 二极管的正极电位是15V，负极电位是8V，则二极管处于（） A、正偏B、反偏(正确答案)C、零偏D、以
4、上都有可能17. PN结外加正向电压是指电源负极接在（） A、P型区B、N型区(正确答案)C、P型区或N型区D、以上说法都不对18. 三极管内部有（）个PN结 A、0B、1C、2(正确答案)D、319. 三极管是（）控制器件 A、电压B、电流(正确答案)C、电阻D、以上都不是20. 在万用表测量二极管的过程中，对于同一种二极管，用万用表不同的挡位测出的正向电阻值不同，主要原因是（） A、万用表在不同的挡位，其内阻不同(正确答案)B、二极管有非线性的伏安特性C、被测二极管的质量差D、二极管已损坏21. 三极管是由三层半导体材料组成的，有三个区域，中间的一层为() A、基区(正确答案)B、栅区C、
5、集电区D、发射区22. 处于截止状态的三极管，其工作状态为（） A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结反偏(正确答案)C、发射结正偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结正偏23. 对三极管放大作用的实质，下面说法正确的是() A、三极管可以把小能量放大成大能量B、三极管可以把小电流放大成大电流C、三极管可以把小电压放大成大电压D、三极管可用较小的电流控制较大的电流(正确答案)24. 以下不是半导体的特性是（） A、热敏性B、光敏性C、掺杂性D、导电性(正确答案)25. 三极管的发射极用字母（）表示 A、bB、cC、e(正确答案)D、a26. 三极管按内部结构不同可分为NPN型、()型。
6、 A、PNP(正确答案)B、PPNC、NNPD、NPP27. 某硅二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压() A、约为150VB、略大于150VC、约为75V(正确答案)D、约为300V28. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。 A、增大(正确答案)B、不变C、减小D、以上都不对29. 二极管是线性元件。 对错(正确答案)30. 在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体。 对错(正确答案)31. 二极管具有单向导电性。 对(正确答案)错32. 二极管的正向电阻比反向电阻大。（） 对错(正确答案)33. 发光二极管是一种将电信号转变成光信号的二极管。（） 对(正确答案)错34
7、. 不同材料的二极管导通电压是一样的。 对错(正确答案)35. 无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 对错(正确答案)36. 硅和锗是制造半导体器件的主要材料（）。 对(正确答案)错37. 二极管加正向电压时一定导通。 对错(正确答案)38. 三极管的集电极和发射极可以互换使用。 对错(正确答案)39. 半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（）。 对(正确答案)错40. 体积较小的二极管，有色环的一端为正极，无色环的一端为负极（） 对错(正确答案)41. 放大电路的静态工作点一经设定后，不会受外界因素影响。 对错(正确答案)42. 发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。 对错(正确答案)43. NPN型三极管，工作在放大状态时，UCUBUE。 对(正确答案)错44. P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。 对错(正确答案)45. 硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6V0.7V，锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2V0.3V， 对错(正确答案)46. 2CZ31D表示国产二极管，1N4001表示国外型号二极管 对(正确答案)错47. P型半导体是在纯净的半导体中掺入三价元素（） 对(正确答案)错48. 用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R10K档位。 对错(正确答案)