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1、欢迎您阅读并下载本文档，本文档来源于互联网，如有侵权请联系删除！我们将竭诚为您提供优质的文档！一/3 一电子线路期末试卷及答案 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 (1)在半导体内部，只有电子是载流子.(2)在 N 型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子.(3）一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压.(4)在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流.(5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流 ICQ选得偏低.(6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极，
2、另一电极是负极.(7)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况.(8)在单管放大电路中，若 VG不变，只要改变集电极电阻 Rc 的值就可改变集电极电流 Ic 的值.(9)两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为 Av1、Av2，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为 Av，Av=Av1+Av2.(10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大.二选择题（210）1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 (1)当晶体二极管的 PN 结导通后，则参加导电的是().A
3、少数载流子 B多数载流子 C既有少数载流子又有多数载流子(2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为().A voicRc Bvo-Rcic Cvo-IcRc(3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到().A R 100 或 R 1000 挡 BR 1 CR 10K 挡 (4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于().A 大电阻 B断开的开关 C接通的开关(5)晶体三极管工作在饱和状态时，它的 IC将().A 随 IB增加而增加 B随 IB增加而减小 C与 IB无关，只决定于 RC和 VG(6)共发射
4、极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是().A 同相位 B相位差 90 C相位差 180 (7)NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管().A 基极电流不变；B集电极对发射极电压 VCE下降；C集电极对发射极电压 VCE上升(8)当晶体三极管发射结反偏时，则晶体三极管的集电极电流将().A 增大 B反向 C中断（9）在基本放大电路中，基极电阻 RB的作用是().A 放大电流 B调节偏置电流 IBQ C 把放大了的电流转换成电压；D防止输入信导被短路.（10）三极管的两个 PN 结都反偏时，则三极管所处的状态是（）.A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态 三填充题 （
5、210）(1)晶体三极管 IE、IB、IC之间的关系式是_，ICIB的比值叫_.(2)PN结具有_性能，即：加_电压时 PN 结导通；加_电压时 PN 结截止.(3)当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为_V，锗二极管的正向压降为_V.(4)NPN型晶体三极管的发射区是_型半导体，集电区是_型半导体，基区是_型半导体.(5)晶体二极管因所加_电压过大而_，并且出现_的现象，称为热击穿.(6)某固定偏置放大器中，实测得三极管集电极电位 VCVG，则该放大器的三极管处于_工作状态.(7)晶体三极管的穿透电流 ICEO随温度的升高而增大，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管_，所以热稳定性_三极管较
6、好.欢迎您阅读并下载本文档，本文档来源于互联网，如有侵权请联系删除！我们将竭诚为您提供优质的文档！二/3(8)一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_.(9)放大器的静态是指_时的工作状态.(10)共发射极电路的输出电压与输入电压有_的相位关系，所以该电路有时被称为_.四问答题 (210)(1)两个稳压二极管，稳压值分别为 7V 和 9V，将它们组成图所示两种电路，设输入端电压 V1值是 20V，求各电路输出电压 V2的值是多少?(2)图所示出各三极管的每个电极对地的电位.试判别各三极管处于何种工作状态(NPN管为硅管，PNP管为锗管).五计算题(20)如图所示单管放大电路中，设晶
7、体管的 40，rbe1.4k.估算电路的静态工作点 IBQ、ICQ、VCEQ；估算放大倍数.欢迎您阅读并下载本文档，本文档来源于互联网，如有侵权请联系删除！我们将竭诚为您提供优质的文档！3/3 电子线路期末试卷及答案 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 二选择题(将正确答案填人表格内)（2 10）1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 C B A C C C B C B C 三填空题（1 20）1.IE=IB+IC，交流电流放大系数 2.单向导电性，正偏，反偏 3.0.7V，0.3V 4.N，N，P 5.反向，击穿，烧毁 6.饱和 7.大得多，硅 8.增大 9.没有输入信号 10.倒向，反相器 四问答题 (210)（1）（a）7V (b)16V(2)(a)放大状态 （b）截止状态 （c）截止状态 （d）饱和状态 五计算题(20)解：(1)IBQ=(VG-VBEQ)/Rb=(12-0.7)V/400K 28uA ICQ=IBQ=40*28uA1.1mA VCEQ=VG-ICQRc=12V-1.1*5,1V6.4V(2)Av-Rc/rbe=-40*5.1/1.4-146