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1、PIEPIE1.何谓PIIE? PIIE的主主要工作作是什幺幺?答：Prroceess Inteegraatioon EEngiineeer(工工艺整合合工程师师), 主要工工作是整整合各部部门的资资源, 对工艺艺持续进进行改善善, 确保保产品的的良率（yield）稳定良好。2.200mmm，3000mm Waffer 代表何何意义?答：8吋吋硅片(waffer)直径为为 2000mmm , 直径为为 3000mmm硅片即即12吋.3.目前中芯芯国际现现有的三三个工厂厂采用多多少mmm的硅片片(waaferr)工艺艺？未来来北京的的Fabb4(四四厂)采用多多少mm的waffer工工艺？答：当
2、前前133厂为2000mmm(8英英寸)的waffer, 工艺艺水平已已达0.13uum工艺艺。未来来北京厂厂工艺wwafeer将使使用3000mmm(122英寸)。4.我们为何何需要3300mmm?答：waaferr siize 变大，单单一waaferr 上的的芯片数数(chhip)变多，单单位成本本降低 20003000 面积积增加22.255倍,芯片数数目约增增加2.5倍5.所谓的00.133 umm 的工工艺能力力(teechnnoloogy)代表的的是什幺幺意义？答：是指指工厂的的工艺能能力可以以达到00.133 umm的栅极极线宽。当当栅极的的线宽做做的越小小时，整整个器件件就可
3、以以变的越越小，工工作速度度也越快快。6.从0.335umm-00.255um-0.18uum-0.115umm-00.133um 的tecchnoologgy改变变又代表表的是什什幺意义义？答：栅极极线的宽宽（该尺尺寸的大大小代表表半导体体工艺水水平的高高低）做做的越小小时，工工艺的难难度便相相对提高高。从00.355um - 0.225umm - 0.18uum - 0.115umm - 0.13uum 代代表着每每一个阶阶段工艺艺能力的的提升。7.一般的硅硅片(wwafeer)基基材(ssubsstraate)可区分分为N,P两种种类型（type）,何谓 N, P-type wafer?
4、答：N-typpe wwafeer 是是指掺杂杂 neegattivee元素(55价电荷荷元素，例例如：PP、As)的硅片片, PP-tyype 的waffer 是指掺掺杂 pposiitivve 元元素(33价电荷荷元素, 例如如：B、In)的硅片片。8.工厂中硅硅片（wwafeer）的的制造过过程可分分哪几个个工艺过过程(mmoduule)？答：主要要有四个个部分：DIFFF（扩扩散）、TF(薄膜)、PHOTO（光刻）、ETCH（刻蚀）。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积)
5、 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求，不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测试，确保产品良好。9.一般硅片片的制造造常以几几P几M 及光光罩层数数(maask layyer)来代表表硅片工工艺的时时间长短短，请问问几P几M及光罩罩层数(massk llayeer)代代表什幺幺意义？答：几PP几M代表硅硅片的制制造有几几层的PPolyy(多晶晶硅)和几层层的meetall(金属属导线).一般般0.115umm 的逻逻辑产品品为1PP6M( 1层的的Polly和6层的meetall)。而而光罩层数数（maask layyer）代代表硅片片的
6、制造造必需经经过几次次的PHHOTOO（光刻刻）.10.Wafeer下线线的第一一道步骤骤是形成成staart oxiide 和zerro llayeer? 其中sttartt oxxidee 的目目的是为为何？答：不不希望有有机成分分的光刻刻胶直接接碰触SSi 表表面。在laaserr刻号过过程中,亦可避避免被产产生的粉粉尘污染染。11.为何需要要zerro llayeer? 答：芯片片的工艺艺由许多多不同层层次堆栈栈而成的的, 各层层次之间间以zeero layyer当当做对准准的基准准。12.Laseer mmarkk是什幺幺用途? Waaferr IDD 又代代表什幺幺意义?答：Laa
7、serr maark 是用来来刻waaferr IDD, WWafeer IID 就就如同硅硅片的身身份证一一样,一个IDD代表一一片硅片片的身份份。13.一般硅片片的制造造(waaferr prroceess)过程包包含哪些些主要部部分？答：前前段（ffronntennd）-元器件件(deevicce)的的制造过过程。后段（bbackkendd）-金属导导线的连连接及护护层（ppasssivaatioon）14.前段（ffronntennd）的的工艺大大致可区区分为那那些部份份?答：SSTI的的形成(定义AAA区域及及器件间间的隔离离)阱区离离子注入入（weell impplannt）用用以
8、调整整电性栅极(polly ggatee)的形形成源/漏漏极（ssourrce/draain）的的形成硅化物物(saaliccidee)的形形成15.STI 是什幺幺的缩写写? 为何何需要SSTI?答：STTI: Shaalloow TTrennch Isoolattionn(浅沟沟道隔离离)，STII可以当当做两个个组件（device）间的阻隔, 避免两个组件间的短路.16.AA 是是哪两个个字的缩缩写? 简单说说明 AAA 的的用途?答：Acctivve AAreaa, 即即有源区区，是用用来建立立晶体管管主体的的位置所所在，在在其上形形成源、漏漏和栅极极。两个个AA区之之间便是是以STT
9、I来做做隔离的的。17.在STII的刻蚀蚀工艺过过程中，要要注意哪哪些工艺艺参数？答：SSTI etcch（刻刻蚀）的的角度；STII ettch 的深度度；STII ettch 后的CDD尺寸大大小控制制。(CD conntrool,CCD=ccritticaal ddimeensiion)18.在STII 的形形成步骤骤中有一一道liinerr oxxidee（线形形氧化层层）, linner oxiide 的特性性功能为为何？答：Liinerr oxxidee 为11000C, 1220 mmin 高温炉炉管形成成的氧化化层，其其功能为为：修补进进STII ettch 造成的的基材损损伤
10、；将STTI eetchh 造成成的ettch 尖角给给于圆化化( ccornner rouundiing)。圆化角度尺寸大小要注意SiN 的remain 及HDP oxide 的loss这里的SAC oxide 是在 SiN remove 及 pad oxide remove 后，再重新长过的 oxide19.一般的阱阱区离子子注入调调整电性性可分为为那三道道步骤? 功能能为何？答：阱区区离子注注入调整整是利用用离子注注入的方方法在硅硅片上形形成所需需要的组组件电子子特性，一一般包含含下面几几道步骤骤：Welll IImpllantt ：形形成N,P 阱阱区；Chaanneel IImpll
11、antt：防止止源/漏极间间的漏电电；Vt Impplannt：调调整Vtt（阈值值电压）。20.一般的离离子注入入层次（Implant layer）工艺制造可分为那几道步骤?答：一般般包含下下面几道道步骤：光刻(Phooto)及图形形的形成成；离子注注入调整整；离子注注入完后后的assh (plaasmaa(等离离子体)清洗)光刻胶胶去除（PR strip）21.Polyy（多晶晶硅）栅栅极形成成的步骤骤大致可可分为那那些?答：GGatee oxxidee(栅极极氧化层层)的沉积积；Polly ffilmm的沉积积及SiiON(在光刻刻中作为为抗反射射层的物物质)的沉积积）；Polly 图图
12、形的形形成(PPhotto)；Polly及SiOON的Etcch；Etcch完后后的assh( plaasmaa(等离离子体)清洗)及光刻刻胶去除除（PRR sttripp）；Polly的Re-oxiidattionn（二次次氧化）。22.Polyy（多晶晶硅）栅栅极的刻刻蚀(eetchh)要注注意哪些些地方？答：PPolyy 的CD(尺寸大大小控制制；避免GGatee oxxie 被蚀刻刻掉，造造成基材材（suubsttratte）受受损.23.何谓 GGatee oxxidee(栅极氧氧化层)?答：用来来当器件件的介电电层，利利用不同同厚度的的 gaate oxiide ,可调调节栅极极电
13、压对对不同器器件进行行开关24.源/漏极极(soourcce/ddraiin)的的形成步步骤可分分为那些些?答：LLDD的的离子注注入（IImpllantt）；Spaacerr的形成成；N+/P+IIMP高高浓度源源/漏极(SS/D)注入及及快速热热处理(RTAA：Rappid Theermaal Annneall)。25.LDD是是什幺的的缩写? 用途途为何?答：LDDD: Lighhtlyy Dopped Draiin. LDDD是使用用较低浓浓度的源源/漏极, 以防止止组件产产生热载载子效应应的一项项工艺。26.何谓 HHot carrrieer eeffeect (热载载流子效效应)?
14、答：在线线寛小于于0.55um以以下时, 因为为源/漏极间间的高浓浓度所产产生的高高电场,导致载载流子在在移动时时被加速速产生热热载子效效应, 此热载载子效应应会对ggatee oxxidee造成破破坏, 造成组组件损伤伤。27.何谓Sppaceer? Spaacerr蚀刻时时要注意意哪些地地方？答：在栅栅极(PPolyy)的两两旁用ddiellecttricc（介电电质）形形成的侧侧壁，主主要由OOx/SSiN/Ox组组成。蚀蚀刻sppaceer 时时要注意意其CDD大小，pproffilee(剖面面轮廓)，及reemaiin ooxidde(残残留氧化化层的厚厚度)28.Spaccer的的
15、主要功功能?答：使使高浓度度的源/漏极与与栅极间间产生一一段LDDD区域域;作为CConttactt Ettch时时栅极的的保护层层。29.为何在离离子注入入后, 需要热热处理( Thhermmal Annneall)的工工艺?答：为为恢复经经离子注注入后造造成的芯芯片表面面损伤;使注入入离子扩扩散至适适当的深深度;使注入入离子移移动到适适当的晶晶格位置置。30.SAB是是什幺的的缩写? 目的的为何？答：SAAB：Saliicidde bblocck, 用于保保护硅片片表面，在在RPOO (RResiist Prootecct OOxidde) 的保保护下硅硅片不与与其它TTi, Co形形成硅
16、化化物(ssaliicidde)31.简单说明明SABB工艺的的流层中中要注意意哪些?答：SSAB 光刻后后（phhotoo），刻刻蚀后(etcch)的的图案（特特别是小小块区域域）。要要确定有有完整的的包覆（block）住必需被包覆（block）的地方。remmainn oxxidee(残留氧氧化层的的厚度)。32.何谓硅化化物( salliciide)?答：Sii 与 Tii 或 Coo 形成成 TiiSixx 或 CooSixx, 一一般来说说是用来来降低接接触电阻阻值（RRs, Rc）。33.硅化物(salliciide)的形成成步骤主主要可分分为哪些些?答：CCo(或或Ti)+Tii
17、N的沉沉积；第一次次RTAA（快速速热处理理）来形形成Saaliccidee。将未反反应的CCo(TTi)以以化学酸酸去除。第二次次RTAA (用来形形成Tii的晶相相转化, 降低低其阻值值)。34.MOS器器件的主主要特性性是什幺幺？答：它主主要是通通过栅极极电压（Vg）来控制源，漏极(S/D)之间电流，实现其开关特性。35.我们一般般用哪些些参数来来评价ddeviice的的特性？答：主要要有Iddsatt、Iofff、Vt、Vbkk(brreakkdowwn)、Rs、Rc；一一般要求求Idssat、Vbkk (bbreaakdoown)值尽量量大， Iofff、Rc尽量量小，VVt、Rs尽
18、量量接近设设计值.36.什幺是IIdsaat?IIdsaat 代代表什幺幺意义？答：饱和和电流。也也就是在在栅压(Vg)一定时时，源/漏(Soourcce/DDraiin)之之间流动动的最大大电流.37.在工艺制制作过程程中哪些些工艺可可以影响响到Iddsatt?答：Pooly CD(多晶硅硅尺寸)、Gatte ooxidde TThk(栅氧化化层厚度度)、AA(有源区区)宽度、VVt iimp.条件、LLDD impp.条件件、N+/P+ immp. 条件。38.什幺是VVt? Vt 代表什什幺意义义？答：阈值值电压（Threshold Voltage），就是产生强反转所需的最小电压。当栅极
19、电压Vg对良良率有影影响 Noon-KKilller deffectt =不会对对良率造造成影响响 Nuuisaancee deefecct =因颜颜色异常常或fiilm graain造造成的ddefeect,对良率率亦无影影响80.YE一般般的工作作流程?答： Insspecctioon ttooll扫描waaferr将deefecct ddataa传至YMMS检查ddefeect增增加数是是否超出出规格若超出出规格则则将waaferr送到reevieew sstattionn reevieew确认ddefeect来来源并通通知相关关单位一一同解决决81.YE是利利用何种种方法找找出缺陷陷(
20、deefecct)?答：缺陷陷扫描机机 (ddefeect insspecctioon ttooll)以图图像比对对的方式式来找出出deffectt.并产产出deefecct rresuult fille.82.Defeect ressultt fiile包包含那些些信息?答： Deffectt大小位置,坐标 Deefecct mmap83.Defeect Insspecctioon ttooll 有哪哪些型式式？答：Brrighht ffielld & Daark Fieeld84.何谓 BBrigght fieeld?答：接收收反射光光讯号的的缺陷扫扫描机85.何谓 DDarkk fiie
21、ldd?答：接收收散射光光讯号的的缺陷扫扫描机86.Brigght fieeld 与 Daark fieeld 何者扫扫描速度度较快?答：Daark fieeld87.Brigght fieeld 与 Daark fieeld 何者灵灵敏度较较好?答：Brrighht ffielld88.Reviiew toool 有有哪几种种？答：Oppticcal revvieww toool 和 SEEM rreviiew toool.89.何为oppticcal revvieww toool?答：接收收光学信信号的ooptiicall miicrooscoope. 分辨辨率较差差,但速度度较快,使用较
22、较方便90.何为SEEM rreviiew toool?答：SEEM (scaanniing eleectrron miccrosscoppe) revvieww toool 接收电电子信号号. 分辨辨率较高高但速度度慢,可分析析deffectt成分,并可旋旋转或倾倾斜deefecct来做做分析91.Reviiew Staatioon的作作用?答：藉由由 reevieew sstattionn我们可可将 IInsppecttionn toool 扫描到到的deefecct加以以分类,并做成成分析,利于寻寻找deefecct来源源92.YMS为为何缩写写?答：Yiieldd Maanaggeme
23、ent Sysstemm93.YMS有有何功能能?答：将将insspecctioon ttooll产生的的deffectt reesullt ffilee传至reevieew sstattionn回收rreviiew staatioon分类类后的资资料储存ddefeect影影像94.何谓Saampllingg pllan?答：即为为采样频频率,包含: 那些站点点要Sccan每隔多多少Loot要扫扫1个Lott每个LLot要要扫几片片Waffer每片WWafeer要扫扫多少区区域95.如何决定定那些产产品需要要scaan?答：现现阶段最最具代表表性的工工艺技术术。有持续续大量订订单的产产品。96
24、.选择监测测站点的的考虑为为何？答：以以Zonne pparttitiion的的观念，两两个监测测站点不不可相隔隔太多工工艺的步步骤。由yiieldd looss anaalyssis手手法找出出对良率率影响最最大的站站点。容易作作线上缺缺陷分析析的站点点。97.何谓Zoone parrtittionn答：将工工艺划分分成数个个区段，以以利辨认认缺陷来来源。98.Zonee paartiitioon的做做法？答：应应用各检检察点既既有的资资料可初初步判断断工艺中中缺陷主主要的分分布情况况。应用既既有的缺缺陷资料料及deefecct rreviiew档档案可初初步辨认认异常缺缺陷发生生的工艺艺站点。利用工工程实验验经由较较细的ZZonee paartiitioon可辨辨认缺陷陷发生的的确切站站点或机机台99.何谓yiieldd looss anaalyssis?答：收集集并分析析各工艺艺区间所所产生的的缺陷对对产品良良率的影影响以决决定改善善良率的的可能途途径。100.yielld llosss annalyysiss的功能能为何？答：找找出对良良率影响响最大的的工艺步步骤。经由kkilllingg raatioo的计算算来找出出对良率率影响最最大的缺缺陷种类类。