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1、本文由【中文word文档库】 搜集整理。中文word文档库免费提供海量教学资料、行业资料、范文模板、应用文书、考试学习和社会经济等word文档“微纳电子技术”2008年第4期专家论坛187-提提高多晶晶Si薄膜太太阳电池池转换效效率的途途径纳米器件与与技术193-小小尺寸超超高频双双极晶体体管工艺艺及特性性模拟198-单单电子晶晶体管的的蒙特卡卡罗模拟拟及宏观观建模纳米材料与与结构205-腐腐蚀法制制备绒面面ZnOO透明导导电薄膜膜209-BBi2O3/TiiO2纳米复复合物的的微波合合成及光光催化性性质MEMS器器件与技技术214-基基于MEEMS技技术的微微波滤波波器研究究进展219-新新
2、型三轴轴MEMMS热对对流加速速度传感感器的研研究显微、测量量、微细细加工技技术与设设备222-纳纳米光刻刻对准方方法及其其原理231-变变温腐蚀蚀法制备备纳米光光纤探针针235-一一维纳米米结构的的拉伸力力学测试试240-SSi 基基GaNN薄膜的的制备方方法及结结构表征征=专家论坛187-提提高多晶晶Si薄薄膜太阳阳电池转转换效率率的途径径彭英才1，2， 姚国晓晓3， 马 蕾1， 王 侠1（1. 河河北大学学 电子信信息工程程学院，河河北保保定00710002；2. 中国国科学院院 半导体体研究所所 半导体体材料科科学重点点实验室室，北京京 11000083；3. 中国国天威英英利新能能源
3、有限限公司，河河北保保定00710051）摘要：多晶晶Si薄薄膜对可可见光进进行有效效地吸收收、光照照稳定性性好、制制作成本本低，被被公认为为是高效效率和低低成本的的光伏器器件材料料。以提提高多晶晶Si薄薄膜太阳阳电池转转换效率率为主线线，介绍绍了增大大晶粒尺尺寸以增增加载流流子迁移移率、进进行表面面和体内内钝化以以减少复复合中心心、设计计p-II-n结结构以增增加光收收集效率率、制作作绒面结结构以提提高对入入射光的的吸收效效果、改改进电池池结构以以谋求最最大效率率等工艺艺措施；综述了了近5年年来多晶晶Si薄薄膜电池池在材料料生长、结结构制备备和性能能参数方方面取得得的最新新进展，并并对其发发
4、展前景景做了预预测。关键词：多多晶Sii薄膜；大晶粒粒；氢钝钝化；pp-I-n结构构；太阳阳电池；转换效效率纳米器件与与技术193-小小尺寸超超高频双双极晶体体管工艺艺及特性性模拟赵守磊，李李惠军，吴吴胜龙，刘刘岩（山东大学学 孟堯堯微电子子研发中中心，济济南22501100）摘要：基于于通信系系统中射射频电路路设计的的特殊要要求，对对小尺寸寸（基区区宽度低低于1000 nm）、超超高频（特特征频率率高于115 GGHz）双双极晶体体管工艺艺制程和和器件的的物理特特性进行行了模拟拟，为工工艺线流流片进行行可行性性研究。该该器件采采用BiiCMOOS制程程结构实实现，在在对小尺尺寸、超超高频双双
5、极性器器件物理理模型进进行详尽尽分析的的基础上上，实现现了该器器件工艺艺级（SSenttaurrus Proocesss）及及器件物物理特性性级（SSenttaurrus Devvicee）的仿仿真，提提出TCCAD工工艺及器器件的一一体化设设计方案案。模拟拟结果表表明，在高频频指标参参数 117GHHz下，所所得值值接近于于80，满满足设计计要求。关键词：小小尺寸；双极器器件；频频率特性性；工艺艺仿真；特性模模拟198-单单电子晶晶体管的的蒙特卡卡罗模拟拟及宏观观建模孙海定，江江建军（华中科技技大学 电子科科学与技技术系，武武汉43300774）摘要：以单单电子晶晶体管为为研究对对象，系系统
6、阐述述了库仑仑阻塞、库库仑台阶阶、单电电子隧穿穿等物理理现象的的产生机机理。微微观模拟拟与宏观观建模相相结合,着重介介绍了如如何用蒙蒙特卡罗罗方法和和Mattlabb相结合合对上述述各种物物理现象象进行数数值模拟拟,同时时对单电电子晶体体管进行行宏观电电路等效效,用一一些常用用元器件件进行宏宏观建模模。采用用强大的的模拟集集成电路路软件HHspiice进进行分析析模拟,大大减减少了计计算及仿仿真时间间。通过过分析比比较,两两者曲线线得到了了较好的的吻合,直观地地反映了了单电子子晶体管管的电学学特性,为进一一步研究究复杂系系统提供供了理论论依据。关键词：单单电子晶晶体管；单电子子隧穿；库仑阻阻塞
7、；库库仑台阶阶；蒙特特卡罗；Hsppicee纳米材料与与结构205-腐腐蚀法制制备绒面面ZnOO透明导导电薄膜膜刘佳宇，朱朱开宇，王王文辕（河北理工工大学 信息学学院，河河北唐唐山00630000）摘要：利用用中频脉脉冲磁控控溅射系系统制备备高透过过率、高高电导率率的平面面ZnOO薄膜。对对平面ZZnO薄薄膜进行行短时间间弱酸腐腐蚀，可可以获得得绒面效效果的ZZnO透透明导电电薄膜。分分析了工工作气压压和衬底底温度对对薄膜绒绒面结构构的影响响，获得得了适合合薄膜太太阳能电电池的绒绒面ZnnO透明明导电薄薄膜。当当压力控控制在11.922 Paa左右，衬衬底温度度15001770 范围内内沉积的
8、的薄膜具具有最佳佳的绒面面和较低低的电阻阻率，电电阻率可可达5.5710-4 cmm，载流流子浓度度2.2210020 cm-3，霍霍尔迁移移率400.1 cm22/Vs,在在可见光光范围平平均透过过率超过过85。关键词：中中频脉冲冲溅射；绒面ZZnO；透明导导电膜；腐蚀；结构209-BBi2O3/TiiO2纳米复复合物的的微波合合成及光光催化性性质廖学红，王王小佳（黄冈师范范学院 化学系系，湖北北黄冈冈43380000）摘要：以硝硝酸铋和和硫酸钛钛为原料料，通过过直接投投料微波波辐射水水解合成成法制备备了掺铋铋TiOO2纳米复复合物，并并用XRRD、TTEM进进行了表表征。结结果表明明，直接
9、接投料摩摩尔比为为1110掺铋铋TiOO2纳米复复合物，经经5000 热热处理后后晶型为为锐钛矿矿型，粒粒径为66100 nmm。以催催化降解解甲基橙橙来考察察其光催催化活性性，结果果表明所所制备的的纳米复复合物是是一个好好的催化化剂。研研究了BBi3+的掺杂杂量、热热处理温温度、催催化剂用用量对掺掺铋TiiO2纳米复复合物光光催化性性能的影影响。当当催化剂剂用量为为1 gg/L时时，2 mg/L的甲甲基橙溶溶液在紫紫外光辐辐射300 miin后，降降解率达达到977%。该该复合物物对甲基基橙溶液液的光催催化降解解符合一一级动力力学方程程。关键词：BBi3+掺杂；二氧化化钛；纳纳米复合合物；微
10、微波合成成；光催催化MEMS器器件与技技术214-基基于MEEMS技技术的微微波滤波波器研究究进展欧阳炜霞，张张永华，王王超，郭郭兴龙，赖赖宗声(华东师范范大学 微电子子电路与与系统研研究所，上上海22002241)摘要：基于于MEMMS技术术的滤波波器是现现行RFF结构中中一个关关键的MMEMSS器件。与与传统的的采用金金属矩形形或圆柱柱波导以以及半导导体元件件制作的的滤波器器相比，MMEMSS滤波器器具有低低损耗、高高隔离度度、线性性好、体体积小、易易于集成成等优点点。对利利用MEEMS技技术制作作的滤波波器做了了分类总总结，综综述了近近几年MMEMSS滤波器器的研究究进展，包包括硅体体微
11、加工工滤波器器、LIIGA传传输线型型滤波器器和基于于MEMMS开关关/电容容实现的的可调滤滤波器。指指出可调调滤波器器的开发发适应微微波、毫毫米波波波段的多多频段、宽宽带无线线通信系系统的迫迫切需要要，具有有重要的的现实意意义。关键词：MMEMSS技术；硅体微微加工；LIGGA技术术；微波波滤波器器；可调调滤波器器219-新新型三轴轴MEMMS热对对流加速速度传感感器的研研究吕树海，杨杨拥军，徐徐淑静，徐徐爱东，徐徐永青(中国电子子科技集集团公司司 第十十三研究究所，石石家庄05000511)摘要：介绍绍了一种种基于热热流原理理的新型型三轴MMEMSS热对流流加速度度传感器器，它没没有活动动
12、质量，无无需多个个器件组组合就可可以进行行任意方方向的加加速度信信号测量量。分析析了该器器件的工工作原理理，设计计了器件件结构，进进行了工工艺开发发，加工工出了原原理样机机。测试试表明：该器件件实现了了三个轴轴向的加加速度信信号的检检测性能能，验证证了新原原理的可可行性；测量量量程达到到2 g，分分辨率达达到1 mg，抗抗冲击能能力达到到10 0000 g，具具备了良良好的性性能。关键词：微微电子机机械系统统；三轴轴；对流流场；加加速度；传感器器显微、测量量、微细细加工技技术与设设备222-纳纳米光刻刻对准方方法及其其原理周绍林1，22，唐小小萍1，胡松1，马平1，陈旺旺富1，22 ，杨杨勇1
13、1，2，严严伟11(1. 中中国科学学院 光光电技术术研究所所，成都都61102009 ；2. 中国国科学院院 研究究生院，北北京11000039)摘要：对准准技术对对光刻分分辨力的的提高有有着重要要作用。445 nnm节点点以下的的光刻技技术如纳纳米压印印等，对对相应的的对准技技术提出出了更高高的要求求。对光光刻技术术发展以以来主要要用于接接近接触触式和纳纳米压印印光刻的的对准技技术做总总结分类类，为高高精度的的纳米级级光刻对对准技术术提供理理论研究究基础和和方向。经经过分析析，从原原理上将将对准技技术分为为几何成成像对准准、波带带片对准准、干涉涉光强度度对准、外外差干涉涉对准及及莫尔条条纹
14、等五五种对准准方法。最最后结论论得出基基于条纹纹空间相相位的对对准方法法具有最最好的抗抗干扰能能力且理理论上能能达到最最高的对对准精度度，而其其他基于于光强的的对准方方法的精精度更易易受到工工艺涂层层的影响响。因此此，基于于干涉条条纹空间间相位对对准的方方法在纳纳米级光光刻对准准中具有有很好的的理论前前景。关键词：纳纳米光刻刻；对准准技术；掩模与与硅片；标记；对准精精度231-变变温腐蚀蚀法制备备纳米光光纤探针针杨修文1，祝祝生祥22，胡毅1（1. 郧郧阳师范范高等专专科学校校 物理理系，湖湖北丹丹江口44227000；2. 同济济大学 Pohhl 固固体物理理研究所所，上海海20000992
15、）摘要：通过过改变温温度，用用腐蚀的的方法制制备出用用于近场场光学显显微镜的的光纤探探针。通通过控制制光纤在在不同温温度的腐腐蚀液中中腐蚀的的时间，制制备出多多种形貌貌的光纤纤探针，所所制作探探针的锥锥形过渡渡区短而而锥角大大。该法法具有重重复性高高、探针针形貌可可控、操操作方便便、实验验费用低低廉、制制备的探探针表面面光滑等等优点，利利用该方方法成功功地制备备出针尖尖尺寸5503300 nm、针针尖锥角角在400774可可调的光光纤探针针。将制制备的探探针用于于扫描全全息光栅栅（5000线/mm），结结果在440 mmm范围围内扫描描有200个周期期，与全全息光栅栅的标定定结果相相符。关键词
16、：纳纳米光纤纤探针；近场光光学；显显微镜；腐蚀法法；温度度235-一一维纳米米结构的的拉伸力力学测试试金钦华1，22，王跃跃林1，22，李铁铁2（1.上海海交通大大学 微微纳科学学技术研研究院，上上海22000030；2.中国科科学院 微系统统与信息息技术研研究所，上上海22000050）摘要：对一一维纳米米结构开开展轴向向拉伸测测试时，面面临着样样品制备备、装载载、拉伸伸、样品品的轴向向应力与与应变的的高精度度测量等等难点，解解决途径径包括改改造现代代显微仪仪器、研研制MEEMS力力学测试试芯片及及发展一一维纳米米样品的的制备与与装载技技术。从从实验使使用的测测试仪器器及拉伸伸方式出出发，将
17、将目前发发表的一一维纳米米拉伸实实验分为为基于探探针、MMEMSS和电子子束辐照照开展的的拉伸实实验，并并对各种种实验方方法进行行了比较较。发现现基于MMEMSS的拉伸伸实验由由于其对对测试仪仪器的改改造小、花花费少、且且通过设设计制作作不同测测试功能能的芯片片可实现现多样测测试，是是更有发发展前景景的测试试技术。关键词：一一维纳米米结构；轴向拉拉伸实验验；纳米米力学；微机电电系统力力学测试试芯片；原位测测试240-SSi 基基GaNN薄膜的的制备方方法及结结构表征征张敬尧，李李玉国，崔崔传文，张张月甫，卓卓博世(山东师范范大学 物理与与电子科科学学院院，济南南25500114)摘要：分别别采
18、用射射频磁控控溅射、热热壁化学学气相沉沉积（CCVD）、电电泳沉积积法制备备GaNN薄膜。利利用扫描描电镜（SSEM）、荧荧光光谱谱仪对样样品进行行结构、形形貌和发发光特性性的分析析比较。射射频磁控控溅射方方法中, 把SSiC中中间层沉沉淀到SSi衬底底上，目目的是为为了缓冲冲由GaaN外延延层和SSi衬底底的晶格格失配造造成的应应力。结结果证实实了SiiC中间间层提高高了GaaN薄膜膜的质量量。热壁壁化学气气相沉积积法制备备GaNN晶体膜膜时，选选择H22作反应应气体兼兼载体，有有利于GGaN膜膜的形成成。电泳泳沉积法法显示所所得样品品为六方方纤锌矿矿结构的的GaNN多晶薄薄膜。结结果表明明：溅射射法制备备的GaaN薄膜膜结晶效效果好；CVDD法制备备时GaaN薄膜膜应用范范围广；电泳沉沉积法操操作方便便、简单单易行。关键词：GGaN薄薄膜；SSi基；溅射；化学气气相沉积积；电泳泳沉积