《第十二届三束（电子束、离子束、光子束）学术会议4256.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《第十二届三束（电子束、离子束、光子束）学术会议4256.docx（3页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、第十二届全国电子束、离子束、光子束学术年会征文通知为发展我国国电子束、离离子束、光光子束技术术，由中国国电子学会会半导体与与集成技术术分会和生生产技术分分会联合主主办的“第十二届届全国电子子束、离子子束、光子子束学术年年会”将于20003年的的金秋在北北京市近郊郊召开，会会议由中国国科学院微微电子中心心和中国科科学院电工工研究所联联合承办。现将学术会会议的征文文工作通知知如下：一、征文范范围： 1. 电子束、离离子束光刻刻及微细加加工工艺 2. 电子束、离离子束辐照照材料改性性 3. 电子束曝曝光及相关关技术 4. 半导体离离子注入与与离子束合合成（包括括器件和集集成电路） 5. 离子注入入及
2、相关技技术 6. 光子束的的薄膜淀积积、杂质及及材料加工工工艺 7. X-射线线光刻（包包括掩模） 8. 分子束外外延（MBBE）、CCBE、MMOCVDD及其他新新外延技术术 9. 等离子体体加工技术术（包括PPECVDD、溅射等等技术） 10. 借助电子子束、离子子束、光子子束的测试试分析技术术 11. 电子束、离离子束、光光子束与材材料相互作作用以及新新效应的研研究与计算算机模拟12. 光光学光刻（包包括相移光光刻、远紫紫外光刻、激激光光刻） 13. 抗蚀剂及及干法刻蚀蚀技术 14. 半导体纳纳米技术，纳纳米器件及及应用 15. 电子束、离离子束、光光子束在半半导体材料料器件电路路及其它
3、领领域中的应应用 16. 微机械、微微系统研制制及应用 17. 激光技术术及其应用用 18生生物芯片研研制及应用用 19微微电子器件件封装技术术二、征文要要求：1. 论文内容应应突出近两两年来在研研究工作中中所取得的的成果并且且没有在国国内外公开开刊物或其其它学术会会议上发表表过的论文文，均可投投稿。2. 论文要求以以稿件形式式挂号邮寄寄。3. 每一篇论文文提交一式式二份打印印稿(供评审)，不接受受手写稿件件。请自留留底稿，无论录用否否，均不退退稿。 4为为保证会议议论文集质质量，论文文格式要求求如下：（1） 论文题目用用2号字，作作者姓名，单单位、邮编编及正文用用五号字，字字体统一用用宋体。
4、版版芯尺寸为为1552255mm2，不加页页码。（2） 为保证论文文集的质量量与版面统统一，要求求论文采用用6.0以上版版本的WOORD软件件排版，同同时提供软软盘或用EE-maiil将论文文发至maaoyl，zkzxxmecccas.ue.aac.ann信箱 （将将排好的文文章存成ddoc文件件，用E-maill下的“附加文件件”功能将文文件发过来来）。（3） 论文一律采采用A4纸激光光打印。论论文篇幅，连连图表在内内不超过44页，特邀邀报告除外外。要求：公式正确确，图表简简明清晰。三、截稿日日期：20003年6月30日录用通知发发出日期：20033年7月330日四、其他为便于联系系，请另附
5、附1页第1作者的姓姓名、性别别、职务/职称，单单位、电话话等联络信信息。五、接收论论文单位与与联系人：单位：中国国科学院微微电子中心心通信地址：北京朝阳阳区北土城城西路3号号科技处电话：（0010） 6200072113、6200071366联 系 人人：施冰（6620077213）、毛毛雅琳（6620077136）邮 编：1000029 传传真：（0110）6202216011， EE-maiil ：maoyylmeeccass.ue.ac.ccn，zkzxxmecccas.ue.aac.ann主办单位：中国电子子学会半导导体与集成成技术分会会和生产技技术分会承办单位：中国科学学院微电子子中心、中中国科学院院电工研究究所中国科学院院微电子中中心代章2002年年11月1日