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1、1.1.将电阻应变片贴在不同的（将电阻应变片贴在不同的（C C）上，就可以分别做成测力、）上，就可以分别做成测力、位移、压力、加速度等物理量参数的传感器位移、压力、加速度等物理量参数的传感器 A.A.质量块；质量块；B.B.导体；导体；C.C.弹性元件；弹性元件；D.D.机器构件机器构件 2.2.压电晶片的两个工作面上积聚的电荷量与（压电晶片的两个工作面上积聚的电荷量与（C C）呈正比。）呈正比。A.A.工作面的面积；工作面的面积；B.B.作用在晶片上的压强作用在晶片上的压强 C.C.作用在晶片上的力；作用在晶片上的力；D.D.晶片厚度晶片厚度3.3.可变磁阻式传感器的灵敏度与气隙长度可变磁阻
2、式传感器的灵敏度与气隙长度有关，有关，（)灵灵敏度越高。敏度越高。A.A.越大越大 ；B.B.越小；越小；C.C.速度越快；速度越快；D.D.速度越慢速度越慢4.4.电阻应变片的输入为电阻应变片的输入为()()A.A.力力 ；B.B.应变；应变；C.C.速度；速度；D.D.加速度加速度 5.5.光敏电阻受到光照射时，其值随光通量的增大而（光敏电阻受到光照射时，其值随光通量的增大而（)A.A.变大；变大；B.B.变小；变小；C.C.保持不变；保持不变；D.D.变为变为 0 0一一.客观题客观题6.6.半导体热敏电阻随着温度的上升半导体热敏电阻随着温度的上升,其阻值其阻值()()A.A.上升；上升
3、；B.B.下降；下降；C.C.保持不变；保持不变；D.D.变为变为0 07.7.一传感器的灵敏度高，表示该传感器一传感器的灵敏度高，表示该传感器()()A.A.允许输入最大允许输入最大 ；B.B.工作频带宽工作频带宽 ；C.C.单位输入量引起的输出量大；单位输入量引起的输出量大；D.D.线形范围宽线形范围宽8电涡流传感器是利用电涡流传感器是利用 材料的电涡流效应工作材料的电涡流效应工作的。的。A金属导电金属导电 B半导体半导体 C非金属非金属 DPVF29为消除压电传感器电缆分布电容变化对输出灵敏度为消除压电传感器电缆分布电容变化对输出灵敏度的影响，可采用的影响，可采用()A.电压放大器电压放
4、大器 B电荷放大器电荷放大器 C前置放大器前置放大器10压电式绝对振动加速度传感器的动态数学模型是压电式绝对振动加速度传感器的动态数学模型是一个一个 。A一阶环节一阶环节 B二阶环节二阶环节 C比例环节比例环节11调频式电涡流传感器的解调电路是调频式电涡流传感器的解调电路是()A整流电路整流电路 B相敏检波电路相敏检波电路 C鉴频器鉴频器12压电式加速度传感器的工作频率应该压电式加速度传感器的工作频率应该()其固有其固有频率频率 A远高于远高于 B等于等于 C远低于远低于13压电式加速度计，其压电片并联时可提高压电式加速度计，其压电片并联时可提高 。A电压灵敏度电压灵敏度 B电荷灵敏度电荷灵敏
5、度 C电压和电电压和电荷灵敏度荷灵敏度14下列传感器中下列传感器中 是基于压阻效应的；是基于压阻效应的；A金属应变片金属应变片 B半导体应变片半导体应变片 C压敏电阻压敏电阻15压电式振动传感器输出电压信号与输入振动的压电式振动传感器输出电压信号与输入振动的()成正比。成正比。A位移位移 D速度速度 C加速度加速度16石英晶体沿机械轴受到正应力时，则会在垂直于石英晶体沿机械轴受到正应力时，则会在垂直于()的表面上产生电荷量的表面上产生电荷量 A机械轴机械轴 B电轴电轴 C光轴光轴17石英晶体的压电系数比压电陶瓷的石英晶体的压电系数比压电陶瓷的 .A大得多大得多 B相接近相接近 C小得多小得多1
6、8光敏晶体管的工作原理是基于光敏晶体管的工作原理是基于 效应效应.A外光电外光电 B内光电内光电 C光生电动势光生电动势19金属丝应变片在测量构件的应变时金属丝应变片在测量构件的应变时,电阻的相对变电阻的相对变化主要由化主要由()A贴片位置的温度变化贴片位置的温度变化 B电阻丝几何尺寸的电阻丝几何尺寸的变化变化 C.电阻丝材料的电阻率变化电阻丝材料的电阻率变化20电容式传感器中，灵敏度最高的是电容式传感器中，灵敏度最高的是 。A面积变化型面积变化型 B介质变化型介质变化型 C极距变化型极距变化型21极距变化型电容传感器适宜于测量微小位移量是极距变化型电容传感器适宜于测量微小位移量是因为因为()
7、A.电容量微小影响灵敏度电容量微小影响灵敏度 B.灵敏度与极距的平方成反灵敏度与极距的平方成反比比,间距变化大则产生非线性误差间距变化大则产生非线性误差 C.非接触测量非接触测量22高频反射式涡流传感器是基于高频反射式涡流传感器是基于 和和 效应来效应来实现信号的感受和变换的。实现信号的感受和变换的。A涡电流涡电流 B纵向纵向 C横向横向 D趋肤效应趋肤效应23压电材料按一定方向放置在交变电场中，其几何压电材料按一定方向放置在交变电场中，其几何尺寸将随之发生变化，这称为尺寸将随之发生变化，这称为 效应。效应。A.压电压电 B.压阻压阻 C.压磁压磁 D逆压电逆压电24下列传感器中下列传感器中,
8、能量控制型传感器是能量控制型传感器是 和和 ,能能量转换型传感器是量转换型传感器是 和和 .A光电式光电式 B应变片应变片 C电容式电容式 D压电式压电式1.1.压电式传感器是利用某些物质的压电式传感器是利用某些物质的_而工作的而工作的 2.2.传感器的灵敏度越高，就意味传感器所感知的传感器的灵敏度越高，就意味传感器所感知的_越小越小 3.3.传感器的响应特性必须在所测频率范围内努力保持传感器的响应特性必须在所测频率范围内努力保持_测量条件测量条件 4.4.为了提高极距型电容传感器的灵敏度、线形度及减为了提高极距型电容传感器的灵敏度、线形度及减小外部条件对测量精度的影响，实际应用时常常采用小外
9、部条件对测量精度的影响，实际应用时常常采用_工作方式工作方式 二二.主观题主观题5.5.什么是物性型传感器？什么是结构型传感器？什么是物性型传感器？什么是结构型传感器？试举例说明。试举例说明。6.6.有源型传感器和无源型传感器有何不同？试举例有源型传感器和无源型传感器有何不同？试举例说明。说明。7.7.传感器一般由（）和（传感器一般由（）和（）组成。）组成。8.8.将被测量转换成与之的对应、容易传输和处理的将被测量转换成与之的对应、容易传输和处理的装置，称为（装置，称为（）。）。9.9.电阻应变片的电阻相对变化率与电阻应变片的电阻相对变化率与_成正比。成正比。10.10.半导体应变片的电阻变化
10、是基于半导体半导体应变片的电阻变化是基于半导体_的变化的变化 11.11.当光照射在半导体光电池上时，它可直接输当光照射在半导体光电池上时，它可直接输出出_ _ 12.半导体应变片能将应变转换成半导体应变片能将应变转换成_变化变化 13.利用电涡流传感器测量物体的位移。试问：（利用电涡流传感器测量物体的位移。试问：（1）如果被测物体由塑料制成，位移测量是否可行？为什如果被测物体由塑料制成，位移测量是否可行？为什么？（么？（2）为了能够对该物体进行位移测量，应采取什）为了能够对该物体进行位移测量，应采取什么措施？么措施？14.用压电式加速度传感器及电荷放大器测量振动，若用压电式加速度传感器及电荷
11、放大器测量振动，若传感器灵敏度为传感器灵敏度为7(pC/g)（g为重力加速度），电荷放为重力加速度），电荷放大器灵敏度为大器灵敏度为100(mV/pC)，试确定输入，试确定输入a=3g时系统时系统的输出电压。的输出电压。16.在在dR/R=(1+2)+E中，中，是（），是（），是（）是（）。17.变极距变极距型电容传感器的电容型电容传感器的电容C与极距与极距呈（呈（）比）比 .18.压电式传感器常用的压电材料有（），（）等。压电式传感器常用的压电材料有（），（）等。19.电容式传感器是将被测量的变化转换成电容量变电容式传感器是将被测量的变化转换成电容量变化的一种传感器，主要类型有：极距变化型，
12、（化的一种传感器，主要类型有：极距变化型，（）、）、（）等。（）等。20电阻应变片的灵敏度表达式为电阻应变片的灵敏度表达式为 。对于金属应变片来说，。对于金属应变片来说，S=，而对于半导体，而对于半导体应变片来说应变片来说S .三三.计算分析题计算分析题1、一电容测微仪，其传感器的圆形极板的半径、一电容测微仪，其传感器的圆形极板的半径r=4mm，工作，工作初始间隙初始间隙d0=0.3mm，空气介质，试求：，空气介质，试求：(1)通过测量得到电容变化量为通过测量得到电容变化量为C310-3pF，则传感器与，则传感器与工件之间由初始间隙变化的距离工件之间由初始间隙变化的距离d=?(2)如果测量电路
13、的放大倍数如果测量电路的放大倍数K1100V/pF，读数仪表的灵敏，读数仪表的灵敏度度s2=5格格/V，则此时仪表指示值变化多少格，则此时仪表指示值变化多少格?2、压电加速度计与电荷放大器联接的、压电加速度计与电荷放大器联接的等效电路如图所示。图中等效电路如图所示。图中C为传感器为传感器固有电容、电缆电容和放大器输固有电容、电缆电容和放大器输入电容之和。己知传感器的电荷灵敏入电容之和。己知传感器的电荷灵敏度度Sq100pC/g，反馈电容，反馈电容Cf=0.001F。试求：当被测加速度为。试求：当被测加速度为a=0.5g时，电荷放大器的输出电压是时，电荷放大器的输出电压是多少多少?3.设计利用霍尔元件测量转速的装置，并说明其工作原理。设计利用霍尔元件测量转速的装置，并说明其工作原理。4.用电涡流传感器实时监测轧制铝板厚度用电涡流传感器实时监测轧制铝板厚度的装量，试画出装的装量，试画出装置框图，简要说明其工作原理。置框图，简要说明其工作原理。