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1、2022年半导体材料行业研究1 .下游晶圆厂扩产推动半导体制造材料需求上涨材料是半导体行业的基础半导体材料贯穿了半导体生产的全流程。半导体材料根 据应用环节,可分为制造材料与封测材料,细分种类繁多。下游晶圆厂扩产拉动需求,促进半导体材料企业成长受益于5G、IoT、新能源汽车等新兴领域需求增长,晶 圆厂纷纷扩产,带动半导体材料市场市场规模扩大。新建晶 圆厂为本土半导体材料企业带来新机遇:半导体材料需要长期、 稳定、小批量供货后才会通过认证。认证周期通常需要12年 时间。新建晶圆厂为材料企业实现迎来窗期（约23年）， 该段时间是本土半导体材料进行的最佳时机。当产能开始爬 坡后,材料认证则相对困难（
2、主要原因系考虑到产品质量、生 产效率、供应链安全、认证周期长、认证时间成本高等多种因 素,晶圆厂一般不会轻易改变已定型的产品结构）。半导体材料企业的衡量维度产品稀缺性:稀缺性决定赛道竞争优势,稀缺性越高, 认证进度越快,市场价值越大。产品齐全性：半导体材料细 分种类繁多,因此覆盖的种类越多,越有可能进入更多的客户 供应链,市场成长空间越大。客户验证进度:若已进入晶圆厂 供应链并实现量产,则有助于在晶圆厂扩产时期节省验证时间, 奠定后续竞争优势。2 .硅片:海外龙头持续满产,本土企业迎来机遇硅片一基础介绍:硅片是半导体器件的主要载体,全球市场规模达126亿 美元。硅片的分类方式:按尺寸:6/82
3、英寸;按序: 抛光片、退火片、外延片、SOI等;按艺:重掺、轻掺; 按应用场景:正片、测试片。硅片制造工艺分类：直拉法、 区熔法。硅片竞争格局：海外企业的共通点：产品种类相对齐全一更易吸引客 户：海外龙头产品种类更为丰富,便于客户选品,更易吸引客 户;高良率提升盈利能力：硅片的纯度与良率需要长时 间积累试错并持续优化工艺。高工艺技术决定了硅片的高纯度 和高良率。同时,良率可以分摊制造成本,所以高工艺技术 也为公司带来了更好的盈利能力;并购整合一扩大市占率: 海外龙头均选择通过并购快速扩大市占率。3 .电子特气:国产化提速,细分品类逐个击破电子特气一基础介绍:电子特气被应用于半导体生产过程中的各
4、个环节,具有 上百种不同种类,全球半导体用电子特气市场规模达45亿美 元。电子特气分类方式:根据用途（化学气相沉积CVD、掺 杂、离子注入、光刻、刻蚀等）。电子特气供应模式:零售供 气（合同期通常为13年）、现场制气（合同期通常为10-20 年）。电子特气竞争格局：海外企业共通点:丰富产品线+产品升级吸引更多 客户：为丰富产品线,海外企业所采取的方式多为a）以工业/ 面板/光伏用气体为立足点,不断对产品进行升级,并切入半 导体领域;b）建立之初便专注于电子特气,从单一品类向多品 类拓展;并购整合缩短验证时间,扩大市占率:有利于 企业缩短验证时间,快速进入下游晶圆厂,并提升市占率。4 .抛光液/
5、垫：本土企业实强劲,成功打破海外垄断CMP抛光液/垫一基础介绍：CMP抛光液/垫通过化学反应与物理研磨对硅片实现大面 积平坦化,全球市场规模达30亿美元。CMP抛光液/垫是主 要抛光材料：CMP抛光材料主要可分为抛光液（49%）、抛 光垫（33%）、调节器（9%）、清洁剂（5%）等。趋势: CMP抛光次数随制程提升而增长。制程的提升对于晶圆表面 平整度的要求愈发严格,并且,CMP除了被应用于前道加工 环节中,也逐渐被用于后道先进封装的抛光环节,所以带动 了 CMP抛光需求次数的增长,推动了 CMP抛光材料市场扩 大。CMP抛光液/垫竞争格局:海外企业的共通点:种类相对齐全一更易吸引客户: 海外
6、龙头不只布局于单的抛光液或抛光液市场,并且,在单 抛光液或抛光垫市场中,海外龙头的细分产品布局也相对 丰富。通过水平整合的形式,海外龙头得以形成规模效益、进 行优势互补,并提升市占率。5 .光刻胶:壁垒较高的半导体材料,道阻且长光刻胶一基础介绍:光刻胶是种图形转移介质,可利用光照反应后溶解度 不同将掩膜版图形转移至衬底上。全球市场规模约25亿美元。 分类（根据制程）：g线、i线、KrF、ArF、EUV光刻胶竞争格局:海外企业的共通点：种类相对齐全一更易吸引客户： 海外龙头具备可适用于个制程节点的光刻胶产品,产品种类齐 全,更易吸引客户。并且,为更好地研发出具有竞争力的光 刻胶产品,海外龙头往往
7、在部分光刻胶原材料（例：树脂）上 也有所布局并申请专利;并购整合一扩大市占率:海外龙头均选择通过并购扩大市占率并提高产品竞争力（e.g.JSR收 购美国Inpria） 6 .湿电子化学品:厚积薄发,扶摇而上正当时湿电子化学品一基础介绍:制造设备主要依赖进:湿电子化学品的上游原材料为 硫酸、盐酸、氟硅酸等各类基础化工原材料,当前国内相关企 业较多,但用于制造湿电子化学品的刻蚀/清洗设备具有较高 的制造艺壁垒,国内企业在相关领域起步较晚,所以国内湿 电子化学品对进设备依存度较高湿电子化学品竞争格局:海外企业的共通点:种类相对齐全一更易吸引客户： 海外龙头产品种类齐全,尤其在G5级别的产品上较本土企
8、业 具有更丰富的种类,因此更易吸引客户;并购整合扩大 市占率：海外龙头均选择通过并购扩大市占率并提高产品竞争 。7 .靶材：本土企业积极扩产,把握市场机遇靶材一基础介绍：靶材是用于溅射法沉积薄膜的原材料,被用于制造和封 测环节,制造用靶材全球市场规模约11亿美元（封测用靶材 全球市场规模约6亿美元）;分类（根据材料）：铜靶、铝靶、 铝靶、钛靶、镇粕合金、钻靶、鸨钛合金、鸨靶。靶材竞争格局:海外企业的共通点:种类相对齐全且布局更高T更良 好的客户关系:海外龙头可根据客户需求提供多种适用于先进 制程的定制化产品（包括高纯金属靶材与化合物靶材）,且 由于布局较早,所以与客户建立了更为良好的关系;并购
9、 整合一扩大市占率:海外龙头在后期发展中通常选择通过并购 扩大市占率并提高产品竞争力。报告节选:B片才追华安研究拓展投资价值目录下游晶圆厂产推动半导体制造材料需求上液硅片:海外龙头持续満产,本土企业迎来机遇电子将气:国产化提速,细分品臭逐个击破抑光液/整:本土企业实疆劲,成功打破海外養斷光刻脱：壁垒较高的半导体材料,国产替代道阻且长湿电子化学品:厚积薄发,执掳而上正当时把材：本土企业积极扩产,把握市场机遇HUMAN SECURrTIES材料是半导体行业的基础半导体材料贯穿半导体生产的全液穆 半导体材料根据应用环节,可分为制造材料与制测材料,细分钟类繁多图袅半导体制造环节滤福H隠华安研究.拓虫5
10、E价值半导体制造材料国产化率为10%,市场空间广闹xtn公占比A*t*上,本比土叁用4*2021f!堂向 t.)2021-2028 CAGR牝a （具），*63%4M31%房房”改仲*12英寸.2及A收1285 70%6英寸取下:80% 8英寸:55% 12英:10%*a收12%制片使M物图”4a.功n 展以传黑”&的质片Me三里其.十:SB|然， 字体电迨厂所网鎗处大郷。 物*_厂!.代。丸或創49447%人”中广自处M:公司枝不标大宗1体）11%M铝*45506%15%CMPK24&力e97%理化员瘦耳原“簧儿杳M+J 牝，:CMP融七次敍崎，”发而）t长2*t.v4-t：nt*ua冬长佗
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12、机,当产能 开始爬坡后,材料认证则相对困难（主要原因系考虑到产品履量、生产效率、供应樓安全、认证周期长、认证时间成本高等多样因 米,晶圓厂一般不会轻易改变已定型的产品结构）图表晶圆厂扩产情况（中国地区）1心r,点at a戶情1t1叶，色UXXS *万*2021*2022*里2X费8万K20212022 氏始增45万H2021*20234*147.4t11 5方片2021*2023 ：3“1万K 28nmM以.2021*2022n50亿之M曼6方 9065nE2021*2022 1: ：an4!Lf 5000 28nm2021*2022cut6 A15七1万 X2nmW 上2021*2022匸用
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15、1CMP无雀&，光於翼电化学9eM20214全竦文同 （亿美）1264530252011因六化拿6寸及以下:80% 8英寸:55% 12英寸:10%15%光海:30% “毫:20%10%20%30%土桑品12英寸 8美 6英寸公就 三A化亂 机4臭体 六化鉢 JC1 陰比 髙続第瓶北凌 忸光瀆 *雙 我壑EUVittlK ArF制取 KrFjtWtt 师线先制收3 Hit* A* 氐最酸 找 界丙静:匕 幅比 ttlttW舎公，.匕孤快合金 悔比虫点M款12英祖及修練、体 量户节今龟遗制在品KrF/ArFHtt aG5帳次剤 量户节4户海遗隼SHII. IC Ingightt. Prisata
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17、业艮部+户中巨SSK冷力士.他M住8.配材江电3电,仙，才&,昊兑冷力士,埃萨ST号-J大連Intel.及.格，方&*注:C轟量HQ2 *2:外.W.5qf敬请闽东页要声明及评鈑说明H港参HUAAN SeCUKmES华安研究拓展投资价值半导体材料企业财务数据!*”* (&)PEFY21A：1 l -t33411 1913 491586X252172 2436 92%8 9137 61%27 18%12 16%13 14%7 31%7174n tu2618138 4210 72423124-37 8266 40%3 3518 98%25 76%9 02%6 49%2 54%15656,、.CMP
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21、、轻掉!按应用场景:正片、测试片用袅畦片:尾山内史冠f分I2K *30te。200I A 色 7,. T-，？，：？ ” .，匚 6.八6 美4AJL4区以务）悼电彼房汽，小W.*，*体曼&R.占警电g”-4jfiIRWf通城把u疊于!t丄、a.r，s吃蝎大停s. aw* 光21” /月A *的&*, &所4ru”w*，*.nMt4.遅支式电电f1.从而小“e勺七riitAtacxax2月土山AAtiKA. R” 其&*疋*。，;的一 444.4最 陸火*7考。*“体”*”4*）村.上士,某一4几,十43 妁U4. 04爲.&时絵*4卓依41.占整令 里k4qaniMiB广用量載、*g,S參耳
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23、 空势:大尺寸,一般而言,单张硅片上制造的芯片敢量越多,单位芯片的成本越低因此,为了提髙生产效率、降低成本,半导体 硅片制造技术不断向大尺寸演进 第三代半导体材料与Si会以共存的册式存在：虽然第三代半导体材料具有寛禁带、耐高温高区、开关頻率高的优势,但由于应用 领域需要不同,这些优势在迂辑芯片上并不突出（寛禁帯的优势在于功率而非速度,使用硅材料可做商速），且在8寸及以上曲 圓中,Si相比第三代半导体材料更为成熟、可靠性更高、成本也更低,所以二者在未来很长一段时间中,仍会根据各自转性不同. 以共存的彩式存在图表大硅片主要技术挑战图袅硅片发展趋势f:鼻射，#七*30050011.99.79.8图表
24、硅VS第三代半导体材料8iSiC8aN敬请参闽朿页支美声明及.评鈑说明才*; 性情祖冃“七浦13华安研究拓展投资价值it产航婚*国*介W”W，M27 敬请参回未页支要声明及.评級说明BK追huaan secunmEs硅片竟格局: 海外企业的共通点:产品种矣相对齐全T更易吸引客户:海外龙头产品艸美更为富,便于客户送品.更易吸引客户高良率T提升双利能力:硅片的度与R隼需要长时间枳累试错并持续优化工艺高工技术决定了硅片的高纯度和高良率。同时. 良率可以分种制造成本.所以高工艺技术也为公司带来了更好的盈利能力并购整合T大市占率:海外龙头均选杼通过并购快速大市占率日本7.3级地震导致信越12寸硅片供应受
25、到版大影响,“硅片紧缺十五大家多于23年24年开始释放产能”导致发片价格将持续上涨1a*tttA*Araa ax4(Mliti, a , W -*MMwVaVIa *，*， XT*！” ，WT- WM. Iw*- kawtetw A ao aanaMiiTMM *&.*AB MMVnann3m*mr，1*a，4#*4*IMfC。. MCKIA. * tm. ir4A*ar4*4. ，刎ait*. 4.Mil4. aKwit at* *?!. nbi a(M ( (in twM mi*aaiAaauaf AHr e.twi*j|Mij2. ”QA WM，A9W . 1MBr*WMW2/ K”A5
26、.lilMK*-ii. aQQ,*(*- .ma mi*cJ，Ma“4”“ J，*，C，（a）*1VQ6“ e，a，(D1*/，（.厶(1OMtvcoiatfM/f(，3”) 1 4，*. IAA，4，4ma，0VWaa-4*，Kw图袅行业基础情况IBM戊旬逢峠巾中約4A占比上会用逢f2021年全*文M ,)20212028 CAGR，比31%品m，a的成树林12英寸及大A松1仔5 70%6美及以下:80% 8美:55% 12美寸:10%* |*虹力隼稚电Aft4它+、.Kt.格续、ST. Tower Jazz if-用畏NSEMI. J*.*,上除电TCL + 国内上委及多i縫芯片.存f!芯
27、片支产育SA片企业客户情况图表总片企业财务数据(1t)0冷”“ (fc)PEFY21AW tit)FY21士22E23E24E22E23E24*1:取,，M-UUi值.H典至2022*6826H敬请参闽东页竟美声明及.评鈑说明wind.，外,m SEMI. fCInstghta. *皿，BK追huaan secunmEs15华安研究拓展投资价值目录下游晶剧厂产推动半导体制造材料需求上涨硅片:海外龙头持续満产,本土企业迎来机遇电子构气:国产化提速,细分品臭逐个击破物光液整:本土企业实强劲,成功打破海外垄断光刻脱：壁全校高的半导体材料,国产替代道阻且长湿电子化学品:厚釈薄发,扶据而上正当时把材：本
28、土企业积极扩产,把握市场机遇电子将-基础介绍:子特气被应用于半导体生产过程中的各个环节,具有上百艸不同种类,全球半导体用电子钟七市场规模达45亿美元 电子特分类方式:根据用途（化学气相沉积CVD、挣杂、离子注入、光刻、剣蚀等）电子转供应横式:零售供（合同期通常为3年）、现场制（合同期通常为102。年）中,、帕,K依（CVD）aCVO收*.1. .1. Kft.*. TEOS. TEB. TEPO. 化.三a化*. -4%. Aa.5tii.比. 式化料,六”乙区.“化他*”糸左*,字体内. 依“州A/r等的&电 臭型支的电M牛.X ttatn. ra,度）. *YA建1髙 能僦44島.凡后江身偿 師乂”盛上三”化4.三化/. M”化. tl. B4 化功.六4L化4, Allttia.亂】ti. *.v劇怔雑上剑收检&岬 A悦胡第使巴 tllt条的（1城催存米. “健在，表的上碳驛所三”戈. a. s“t4,，“凤丁載三“*tt二馆.-a.*tt. *1.Aft.1. *t4发.因小做公