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1、Auger电子能谱电子能谱(AES)AugerElectronspectroscopy2021/9/1211.前言前言o1925年Pierre Auger在Wilson云室中发现了俄歇电子 o1953年J.J.Lander首次使用了电子束激发的俄歇电子能谱o1967年在Harris采用了微分锁相技术，使俄歇电子能谱获得了很高的信背比后，才开始出现了商业化的俄歇电子能谱仪2021/9/1221.前言前言v现有很高微区分辨能力的扫描俄歇微探针（Scanning Auger Microprobe,SAM）,成为微区分析的有力工具v电子计算机的引入，使能谱仪的功能更趋完善。目前其已成为许多科学领域和工
2、业应用中的最重要的表面分析手段之一。2021/9/1231.前言前言-AES的特点o表面性（1-2nm）o具有很高的表面灵敏度，其检测极限约为1-5原子单层 o同时定性分析除氢氦以外的所有元素o半定量分析表面成份o化学价态分析o微区分析o界面分析2021/9/1242.Auger过程(a)KL1L3 Auger 跃迁跃迁(b)K 1 辐射跃迁辐射跃迁 入射电子束和物质作用，可以激发出原子的内层电子形成空穴。外层入射电子束和物质作用，可以激发出原子的内层电子形成空穴。外层电子填充空穴向内层跃迁过程中所释放的能量，可能以电子填充空穴向内层跃迁过程中所释放的能量，可能以X光的形式放出，光的形式放出，
3、即产生特征即产生特征X射线，也可能又使核外另一电子激发成为自由电子，这种射线，也可能又使核外另一电子激发成为自由电子，这种自由电子就是自由电子就是俄歇电子俄歇电子。2021/9/125在原子内某一内层电子电离而形成空位(如K层)，则该电离原子的去激发可以有两种方式：一个能量较高态的电子填充该空位，同时发出特征X射线，即辐射跃迁。一个较高能量的电子跃迁到空位，同时另一个电子被激发发射，这是一无辐射跃迁过程，这一过程被称为Auger效应,被发射的电子称为Auger电子。2021/9/126Auger跃迁的标记跃迁的标记Auger跃迁的标记以空位、跃迁电子、发射电子所在的能级为基础。如初态空位在K能
4、级，L1能级上的一个电子向下跃迁填充K空位，同时激发L3上的一个电子发射出去便记为KL1L3。一般地说，任意一种Auger过程均可用WiXpYq来表示。此处，Wi,Xp和Yq代表所对应的电子轨道。2.22021/9/127AES Auger效应v电子能级、电子能级、X射线能级和电子数射线能级和电子数3d5/23d3/23p3/23p1/23s1/22p3/22p1/22s1/21s1/2 M5M4M3M2M1L3L2L1K2021/9/128AES Auger效应v电子能级、电子能级、X射线能级和电子数射线能级和电子数4f5/24f5/24d5/24d3/24p3/24p1/24s1/2N7N
5、6N5N4N3N2N12021/9/1292.3 EAES与与 XAES的比较的比较o用电子束作为激发源的优点是：o电子束的强度大于X射线源多个数量级；o电子束可以进行聚焦，具有很高的空间分辨率；o电子束可以扫描，具有很强的图像分析功能；o由于电子束束斑直径小，具有很强的深度分析能力。2021/9/1210EAES与与 XAES的比较的比较oXAES 也具有很多优点：o（1）由于X射线引发的二次电子较弱，俄歇峰具有很高的信/背比；o（2）X射线引发的俄歇电子具有较高的能量分辨率；o（3）X射线束对样品的表面损伤小得多。2021/9/12112.4 俄歇分析的选择俄歇分析的选择o对于对于Z14Z
6、14的元素，采用的元素，采用KLLKLL俄歇电子分析俄歇电子分析；o14Z4214Z42Z42时，以采用时，以采用MNNMNN和和MNOMNO俄歇电子为佳。俄歇电子为佳。2021/9/12122.5俄歇电子产额俄歇电子产额o俄歇电子产额或跃迁几率决定俄歇谱峰强度，直接关系到元素的定量分析。俄歇电子与特征X射线是两个互相关联和竞争的发射过程。俄歇电子产额与原子序数的关系由图可知，Z19，发射俄歇电子的几率在90以上；随Z的增加，X射线荧光产额增加，而俄歇电子产额下降。Z33时，俄歇发射占优势。2021/9/12132.6 俄歇电子能谱的基本原理俄歇电子能谱的基本原理o俄歇电子的能量和入射电子的能
7、量无关，只依赖于原子的能级结构和俄歇电子发射前它所处的能级位置。o产生的俄歇电子动能：oEwxy=Ew-Ex-Ey2021/9/1214Auger电子能谱手册vPerkin-Elmer公司的Auger电子能谱手册，其中给出了各种原子不同系列的Auger峰位置。v每种元素的各种Auger电子的能量是识别该元素的重要依据。2021/9/12153.俄歇电子能谱仪的组成俄歇电子能谱仪的组成o主要组成部分：电子枪、能量分析器、二次电子探测器、（样品）分析室、溅射离子枪和信号处理与记录系统等。o样品和电子枪装置需置于超高真空分析室中。俄歇谱仪示意图俄歇谱仪示意图2021/9/12163.1 电子枪电子枪
8、电子枪是用于激发Auger电子的装置。电子枪的电子束斑直径，决定着SAM的空间分辨率。目前，商品仪器中，最小的电子束斑直径为15 nm，最大加速电压为20 keV。2021/9/12173.2 电子能量分析器电子能量分析器 在表面分析技术中使用的电子能量分析器都是静电型的。最常用的为筒镜型能量分析器(CMA）。2021/9/1218电子能量分析器电子能量分析器CMA的原理结构的原理结构-VElectron GunSampleSelected Energy Auger ElectronsElectron Multiplier2021/9/12193.3 真空系统真空系统Auger电子谱仪都带有超
9、高真空系统。系统的真空度一般优于6.710-8Pa。2021/9/12203.4 离子枪和预处理室离子枪和预处理室v离子枪是进行样品表面剖离的装置，主要用于样品的清洗和样品表层成分的深度剖层分析。常用Ar作为剖离离子，能量在15 KeV。样品的预处理室是对样品表面进行预处理的单元。一般可完成清洗、断裂、镀膜、退火等一系列预处理工作。2021/9/12213.5 其它附件其它附件v目前，一般都配有SAM功能，可以对样品表面进行二维AES成像。还可在样品室上安装加热、冷却等功能，研究样品在特殊环境下的状态。还可根据用户的要求配置EDX等辅助功能。2021/9/12223.6 3.6 俄歇谱仪的分辨
10、率和灵敏度俄歇谱仪的分辨率和灵敏度o谱仪的能量分辨率由CMA决定，通常CMA的分辨率500埃。o检测极限（灵敏度）。一般认为俄歇谱仪典型的检测极限为0.1%。2021/9/12234.Auger电子能谱的测量v在Auger电子能谱仪中，所采集的Auger电子谱中，不仅有Auger电子信号，同时也存在其它的二次电子。v用 于 分 析 的 Auger电 子 的 能 量 一 般 在02000eV，它所对应的平均自由程为0.53nm，即15个原子层左右。因此，Auger电子的信号强度在整个电子信号中所占的比例是相当小的，即AES中有强大的背底。2021/9/1224俄歇电子能谱俄歇电子能谱o俄歇电子数
11、目N(E)随其能量E的分布曲线称为俄歇电子能谱。一般情况下，俄歇电子能谱是迭加在缓慢变化的，非弹性散射电子形成的背底上。俄歇电子峰有很高的背底，有的峰还不明显，不易探测和分辩。为此通常采用电子能量分布的一次微分谱，即N(E)=dN(E)/dE来显示俄歇电子峰。这时俄歇电子峰形成正负两个峰，一般负值大于正峰。微分谱的特点是灵敏，背底扣除问题自动得到解决，峰明锐且易辨识，特别是如图中的碳和钙峰。习惯上将原先的N(E)谱称为积分谱。2021/9/1225定性分析定性分析o主要是利用俄歇电子的特征能量值来确定固体表面主要是利用俄歇电子的特征能量值来确定固体表面的元素组成。能量的确定在积分谱中是指扣除背
12、底的元素组成。能量的确定在积分谱中是指扣除背底后谱峰的最大值，在微分谱中通常规定负峰对应的后谱峰的最大值，在微分谱中通常规定负峰对应的能量值。习惯上用微分谱进行定性分析。能量值。习惯上用微分谱进行定性分析。o定量分析：以峰定量分析：以峰-峰值（正负峰高度差）代表俄歇峰值（正负峰高度差）代表俄歇峰强度，用于定量分析。峰强度，用于定量分析。2021/9/1226俄歇电子像俄歇电子像o若调整电子能量分析器，使其仅检测制定元素的俄若调整电子能量分析器，使其仅检测制定元素的俄歇能量范围，让细聚焦的入射电子束在试样表面沿歇能量范围，让细聚焦的入射电子束在试样表面沿指定直线或区域扫描，同步探测俄歇电子信号，
13、就指定直线或区域扫描，同步探测俄歇电子信号，就能获得俄歇线扫描图或俄歇电子图像。利用俄歇图能获得俄歇线扫描图或俄歇电子图像。利用俄歇图像和电子显微图像相比较，亦可得到元素分布与表像和电子显微图像相比较，亦可得到元素分布与表面形貌的相关性。面形貌的相关性。2021/9/12274.1 直接谱直接谱v 直接谱根据能量分辨率的不同设置方式，也有两种形式，即EN(E)E和 N(E)E。v直接谱的信噪比优于微分谱，但信背比却低于微分谱。v在实际的工作中，应针对具体的问题，结合微分谱和直接谱而进行分析。2021/9/12282021/9/1229直接谱直接谱Fe经轻微氧化的EN(E)E和N(E)E谱 20
14、21/9/12304.2微分谱微分谱 v用锁定放大技术和微分电路获取Auger电子微分谱，是人们解决强大背底所选用的重要方法之一。从而使Auger电子能谱成为今天的重要表面分析技术之一。2021/9/1231俄歇电子有很强的背底噪音.微分法微分法俄歇图谱采用微分后曲线的负峰能量作为俄歇动能进行标定2021/9/1232微分谱微分谱Fe经轻微氧化的dEN(E)/dE谱和dN(E)/dE谱 2021/9/12335.AES分析方法v5.1 5.1 定性分析定性分析 定性分析是进行AES分析的首要内容，是根据测得的Auger电子谱峰的位置和形状识别分析区域内所存在的元素。方法是将采集到的Auger电
15、子谱与标准谱图进行对比，来识别分析区域内的未知元素。由于微分谱具有比较好的信背比，利于元素的识别，因此，在定性分析中，一般用微分谱。2021/9/1234定性分析的一般步骤：定性分析的一般步骤：o1）根据最强的俄歇峰能量，查俄歇电子能谱手册，确定元素。o2）标注所有此元素的峰。o3）微量元素的峰，可能只有主峰才能在图谱上观测到。o4）未标识峰可能是能量损失峰。通过改变入射电子能量辨别。o注意：化学环境对俄歇谱的影响造成定性分析的困难(但又为研究样品表面状况提供了有益的信息)，应注意识别。2021/9/1235v定性分析定性分析 Al的标准AES谱Al2O3的标准AES谱 2021/9/1236
16、v定性分析定性分析 TiN的Auger电子谱2021/9/1237俄歇电子能谱俄歇电子能谱定性定性分析总结分析总结o任务：根据实测的直接谱(俄歇峰)或微分谱上的负峰的位置识别元素。o方法：与标准谱进行对比。o注意：由于电子轨道之间可实现不同的俄歇跃迁过程，所以每种元素都有丰富的俄歇谱，由此导致不同元素俄歇峰的干扰。o对于原子序数为314的元素，最显著的俄歇峰是由KLL跃迁形成的；对于原子序数1440的元素，最显著的俄歇峰则是由LMM跃迁形成的。2021/9/12385.2半定量分析半定量分析o基本上是半定量的水平(常规情况下，相对精度仅为30%左右)o常用的定量分析方法是相对灵敏度因子法。该法
17、准确性较低，但不需标样，因而应用较广。2021/9/1239AESAES定量分析的主要困难定量分析的主要困难o试样的复杂性，即试样的非均匀性、表面成分的未知性、试样表面的粗糙度的影响，多晶样品表面取向不同的影响。o仪器性能对分析结果的影响。o基体效应对分析结果的影响。2021/9/12405.3.扫描扫描Auger显微探针显微探针(SAM)：微区分析vSAM是利用Auger电子能谱研究表面二维元素分布的一项技术。它是将很细的初级电子束在样品表面扫描，同时选取某一元素Auger电子峰的能量，使该元素的Auger电子成像。这样，它不仅可以知道样品表面的元素种类、含量，还可以得知各元素在表面的分布情
18、况。2021/9/1241扫描扫描Auger显微探针显微探针(SAM)目前，最好的SAM的初级电子束直径为15 nm，其空间分辨能力很高。在实际的分析过程中，可用的最小束径一般大于电子枪的最小束径。因为：(1)束径越细，使得信噪比下降。(2)样品的抗辐照损伤的能力对束径的大小有限制。(3)束斑漂移对束径也有限制。2021/9/1242扫描扫描Auger显微探针显微探针(SAM)Measure Auger signal at many points on the surface.Creates 3D elemental map of surface.Requires a highly focus
19、ed electron beam.Spatial resolution is about 0.1 mGenerally use a concentric hemispherical analyzer(CHA)instead of CMA.When used with an Ar+sputter beam,composition depth profiling may be done.2021/9/12435.3 微区分析o可以分为选点分析，线扫描分析和面扫描分析三个方面。o这种功能是俄歇电子能谱在微电子器件研究中最常用的方法，也是纳米材料研究的主要手段。2021/9/12445.3.1 微区分
20、析(点分析)在正常样品区，表面主要有Si,N,C和O元素存在。而在损伤点，表面的C,O含量很高，而Si,N元素的含量却比较低。这结果说明在损伤区发生了Si3N4薄膜的分解。图 Si3N4薄膜表面损伤点的俄歇定性分析谱 2021/9/12455.3.1点分析图19 Si3N4薄膜表面损伤点的俄歇深度分析 图18 Si3N4薄膜表面正常点的俄歇深度分析 2021/9/12465.3.2 5.3.2 线扫描分析线扫描分析o线扫描分析可以在微观和宏观的范围内进行（16000微米）。俄歇电子能谱的线扫描分析常应用于表面扩散研究，界面分析研究等方面。o对于膜层较厚的多层膜，也可以通过对截面的线扫描获得各层
21、间的扩散情况。2021/9/12475.3.2 线扫描分析Ag-Au合金超薄膜在单晶硅(111)面上的电迁移后的样品表面的Ag和Au元素的线扫描分布图 2021/9/12485.3.2 线扫描分析Al-SiAl-Si合金的合金的俄歇线扫描分布图2021/9/12495.3.3 面扫描分布图o它可以把某个元素在某一区域内的分布以图像的方式表示出来。o把面扫描与俄歇化学效应相结合，还可以获得元素的化学价态分布图。o俄歇电子能谱的面分布分析适合于微型材料和技术的研究，也适合表面扩散等领域的研究。在常规分析中，由于该分析方法耗时非常长，一般很少使用。2021/9/12505.3.3 面扫描分布图半导体
22、器件测试模板的C,Si,O的SAM和SEM 2021/9/12515.3.3 面扫描分布图SEM S的的SAM 2021/9/1252深度剖面分析是利用具有一定能量的离子束对样品表面进行剥离，同时采集各元素的Auger电子能谱，从而获得元素含量与刻蚀时间(深度)的分布情况。离子枪引出的一般是具有500eV5keV的Ar离子，束径则根据离子枪的种类不同而有较大的差异。5.4.深度剖面分析2021/9/1253离子束刻蚀对界面也有宽化离子束刻蚀对界面也有宽化2021/9/1254深度剖面分析o离子的溅射过程非常复杂，不仅会改变样品表面的成分和形貌，有时还会引起元素化学价态的变化。o此外，溅射产生的
23、表面粗糙也会大大降低深度剖析的深度分辨率。一般随着溅射时间的增加，表面粗糙度也随之增加，使得界面变宽。o目前解决该问题的方法是采用旋转样品的方法，以增加离子束的均匀性。2021/9/1255深度剖面分析Ni-Cu合金的择优溅射效应 2021/9/1256深度剖面分析o在经过界面反应后，在PZT薄膜与硅基底间形成了稳定的SiO2界面层。PZT/Si薄膜界面反应后的俄歇深度分析谱 2021/9/12575.6.化学效应化学效应 由于原子内部外层电子的屏蔽效应，芯能级轨道和次外层轨道上的电子的结合能在不同的化学环境中是不一样的，有一些微小的差异。这种轨道结合能上的微小差异可以导致俄歇电子能量的变化，
24、这种变化就称作元素的俄歇化学位移。利用这种俄歇化学位移可以分析元素在该物种中的化学价态和存在形式。2021/9/1258AugerAuger电子的化学效应的特点：电子的化学效应的特点：与XPS相比，俄歇电子能谱虽然存在能量分辨率较低的缺点，但其化学位移要比XPS的化学位移大得多。所以俄歇电子能谱更适合于表征化学环境的作用。2021/9/1259化学效应化学效应Na2S2O3中中S原子原子AES峰峰2021/9/1260化学效应化学效应o图9 不同价态的镍氧化物的Ni MVV俄歇谱图10 不同价态的镍氧化物的Ni LMM俄歇谱830840850860KineticEnergy/eVCounts/
25、a.u.pureNiNiONi2O32021/9/12615.7 样品制备o在通常情况下只能分析固体导电样品。经过特殊处理，绝缘体固体也可以进行分析。o粉体样品原则上不能进行俄歇电子能谱分析，但经特殊制样处理也可以进行一定的分析。o由于涉及到样品在真空中的传递和放置，待分析的样品一般都需要经过一定的预处理。o主要包括样品大小，挥发性样品的处理，表面污染样品及带有微弱磁性的样品等的处理。2021/9/12626.6.俄歇电子能谱的应用俄歇电子能谱的应用o研究固体表面的能带结构、态密度等。o研究表面的物理化学性质的变化。如表面吸附、脱附以及表面化学反应。o在材料科学领域，主要应用于材料组分的确定，
26、纯度的检测，材料特别是薄膜材料的生长。o研究表面化学吸附以及表面化学反应。o在物理学，化学，材料科学以及微电子学等方面有着重要的应用。2021/9/12636.1 固体表面清洁程度的测定固体表面清洁程度的测定o一般对于金属样品可以通过加热氧化除去有机物污染，再通过真空热退火除去氧化物而得到清洁表面。o而最简单的方法则是离子枪溅射样品表面来除去表面污染物。o样品的表面清洁程度可以用俄歇电子能谱来实时监测。2021/9/1264固体表面清洁程度的测定固体表面清洁程度的测定图23表面清洁前后的俄歇电子能谱检测2021/9/12656.2 表面吸附和化学反应的研究表面吸附和化学反应的研究o由于俄歇电子
27、能谱具有很高的表面灵敏度，可以检测到15原子单层，因此可以很方便和有效地用来研究固体表面的化学吸附和化学反应。2021/9/1266表面吸附和化学反应的研究表面吸附和化学反应的研究表面初始氧化过程的Zn LVV谱 2021/9/12676.3 薄膜厚度测定薄膜厚度测定o通过俄歇电子能谱的深度剖析，可以获得多层膜的厚度。由于溅射速率与材料的性质有关，这种方法获得的薄膜厚度一般是一种相对厚度。o这种方法对于薄膜以及多层膜比较有效。对于厚度较厚的薄膜可以通过横截面的线扫描或通过扫描电镜测量获得。2021/9/1268薄膜厚度测定薄膜厚度测定o从图上可见，TiO2薄膜层的溅射时间约为6分钟，由离子枪的
28、溅射速率（30nm/min）,可以获得TiO2薄膜光催化剂的厚度约为180nm。AES测定TiO2薄膜光催化剂的厚度 2021/9/12696.4 薄膜的界面扩散反应研究薄膜的界面扩散反应研究o在薄膜材料的制备和使用过程中，不可避免会产生薄膜层间的界面扩散反应。o通过俄歇电子能谱的深度剖析，可以研究各元素沿深度方向的分布，因此可以研究薄膜的界面扩散动力学。o同时，通过对界面上各元素的俄歇线形研究，可以获得界面产物的化学信息，鉴定界面反应产物。2021/9/1270薄膜的界面扩散反应研究薄膜的界面扩散反应研究o从图上可见，薄膜样品在经过热处理后，已有稳定的金属硅化物层形成。同样，从深度分析图上还
29、可见，Cr表面层已被氧化以及有C元素存在。这主要是由热处理过程中真空度不够以及残余有机物所引起的。此外，界面扩散反应的产物还可以通过俄歇线形来鉴定。AES研究Cr/Si的界面扩散反应 2021/9/12716.5 固体表面离子注入分布及化学固体表面离子注入分布及化学状态的研究状态的研究o通过俄歇电子能谱的深度剖析，不仅可以研究离子注入元素沿深度方向的分布，还可以研究注入元素的化学状态。注入Sb元素后，Sn元素MNN俄歇动能发生变化，介于Sn和SnO2之间。说明Sn外层获得部分电子。2021/9/12726.5 固体表面离子注入分布及化学固体表面离子注入分布及化学状态的研究状态的研究o从图上可见
30、，离子注入层的厚度大约35nm，而注入元素的浓度达到12%。仅从Sb离子的注入量和分布很难解释离子注入薄膜的电阻率的大幅度降低。离子注入Sb的SnO2气敏薄膜的俄歇深度分析图 2021/9/12736.6 薄膜制备的研究薄膜制备的研究o俄歇电子能谱也是薄膜制备质量控制的重要分析手段。o由于制备条件的不同，制备出的薄膜质量有很大差别。利用俄歇电子能谱的深度分析和线形分析可以判断薄膜的质量。2021/9/1274薄膜制备研究o从图上可见，所有方法制备的薄膜层中均有两种化学状态的Si存在（单质硅和Si3N4）。其中，APCVD法制备的薄膜质量最好，单质硅的含量较低。而PECVD法制备薄膜的质量最差。
31、不同方法制备的Si3N4薄膜的Si LVV俄歇线形分析 2021/9/1275薄膜制备研究o从图上可见，等离子体增强化学气相沉积法制备的Si3N4薄膜N/Si比较低，约为0.53。PECVD制备的Si3N4薄膜的俄歇深度分析 2021/9/12766.7 失效分析失效分析o俄歇电子能谱也是材料失效分析的有力工具。如金属材料的断裂一般多表现为有害元素在晶界的偏析。2021/9/12776.8 材料的元素偏析研究材料的元素偏析研究o元素偏析经常是材料失效的重要原因。利用俄歇电子能谱可以很好地研究材料中的元素偏析问题。o从图上可见，除表面有氧化层外，在基底合金材料中，主要是Fe,Ni，Cr合金，成分
32、分布还是很均匀的。彩电阳极帽在氧化处理前的俄歇深度分析 2021/9/1278材料的元素偏析研究材料的元素偏析研究o在热氧化处理后，合金材料不仅被氧化，并发生了元素的偏析作用。本底合金中含量很低的Cr 元素发生了表面偏析，在样品表面获得富集，形成了Cr2O3致密氧化层。大大改善了彩电阳极帽与玻璃的真空封接性能。彩电阳极帽在氧化处理后的俄歇深度分析 2021/9/12796.9 固体化学反应研究固体化学反应研究o俄歇电子能谱在薄膜的固体化学反应研究上也有着重要的作用。2021/9/1280固体化学反应研究固体化学反应研究o从图上可见，在金刚石表面形成了很好的金属Cr层。Cr层与金刚石的界面虽有一
33、定程度的界面扩散，但并没有形成稳定的金属化合物相出现。在高真空中经高温热处理后，其俄歇深度剖析图发生了很大的变化。Cr/金刚石原始薄膜的俄歇深度分析 2021/9/1281固体化学反应o从图可见，热处理后，在Cr/C界面上发生了固相化学反应，并形成了两个界面化学反应产物层。表面层为CrC物种，而中间层为Cr3C4物种。Cr/金刚石薄膜经真空热处理后的俄歇深度分析 2021/9/12826.10 表面扩散研究表面扩散研究经电迁移处理后薄膜表面的线扫描分析 原始薄膜的俄歇线扫描分析o由于俄歇电子能谱具有很高的表面灵敏度和空间分辨率，非常适合于表面扩散过程的研究。2021/9/12836.11 摩擦
34、化学研究摩擦化学研究o俄歇电子能谱在摩擦学研究上也有重要的应用。可以用来研究润滑添加剂的作用机理以及在基底材料中的扩散情况。2021/9/1284摩擦化学研究摩擦化学研究o该润滑膜的俄歇定性分析图。从图上可见，在润滑膜中存在大量的S,C和O元素。o从图上可见，钢试件在摩擦以后，润滑膜的俄歇分析图。S,O 和C元素均有不同程度的扩散。由此，可见该类添加剂的S能很好地与金属基底材料作用形成具有抗磨作用的润滑膜。2021/9/12856.12 薄膜催化剂的研究薄膜催化剂的研究o图是负载在-Al2O3薄膜载体上的LaCoO3钙钛矿型薄膜模型催化剂经700SO2(2%)强化中毒1小时后的薄膜样品的俄歇深度分析谱。从图上可见，S元素已完全地扩散到整个LaCoO3活性层中。这将直接会破坏LaCoO3钙钛矿相结构，导致催化剂的失活。这结果说明SO2是很容易与LaCoO3反应的。同时，从薄膜催化剂表面的俄歇定性分析图上也可见，在催化剂表面不仅有硫的存在，同时还发现有Co的信号。表明LaCoO3钙钛矿已被破坏，催化剂产生中毒失活。汽车尾气净化催化剂的薄膜模型催化剂的俄歇深度分析 2021/9/1286薄膜催化剂的研究薄膜催化剂的研究在强化硫中毒后的俄歇分析 2021/9/1287