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1、第三部分第三部分MOS器件习题解器件习题解第十五章15.5(a)底部的pn结宽度等于热平衡时的宽度，顶部的宽度大于a(b)(c)(d)顶部pn结的耗尽层宽度底部pn结的耗尽层宽度 VGB=0，所以又根据（b)的结果（e)VGB=0时的夹断电压比VGB=VGT时的夹断电压大第十六章主要结论和公式 n型(F0)2 F平带耗尽-反型过渡点 s第十六章主要结论和公式作业题作业题16.9 积累 耗尽）反型（=反型（根据）作业16.1作业题16.4作业题16.4根据作业题16.8偏置条件电容能带图反型e4耗尽c3平带b1VG=VTd2积累a5作业题作业题16.9作业题作业题16.9作业题作业题16.9 积
2、累 耗尽）反型（=反型（根据判断，(i)和(iv)是错的（iii)是正确的）作业题作业题作业题作业题16.1316.13作业题作业题16.13也可根据计算得到作业题作业题16.15作业题作业题16.15作业题作业题16.15第十七章主要公式第十七章主要公式平平方方律律理理论论体体电电荷荷理理论论第十七章主要公式第十七章主要公式作业题作业题17.2作业题作业题17.2作业题作业题17.2作业题17-3作业题作业题17.9作业题作业题17.9作业题作业题17.10VG-VTVD作业17-13作业17.18作业题作业题17.20作业题作业题17.20作业题作业题17.20作业题作业题17.21作业题
3、作业题17.21作业题作业题17.21第十八章主要结论公式积累积累因重掺杂，能带弯曲很小作业题作业题18.6（a)QM0 因为SiO2中的电场不是匀强电场(b)Q0 因为SiO2Si界面的电位移矢量不连续作业题作业题18.7作业题作业题18.8作业题作业题18.8作业题作业题18.8作业题作业题18.8作业18.9积累耗尽反型由图知p型衬底，界面陷阱受主型，所以被电子占据带负电，空态呈电中性作业18.9积累耗尽反型由图知p型衬底，界面陷阱受主型，所以被电子占据带负电，空态呈电中性作业18.作业题作业题18.15作业题作业题18.15作业题作业题18.1复习内容一、判断选择题 复习内容：每一章的
4、习题1二、基本概念解释 pn结的势垒电容和扩散电容，二极管的存贮延迟时间和反向恢复时间及其物理根源 发射效率，基区输运系数，共基极电流放大系数 基区宽度调制效应和基区穿通 ICBO、ICEO、VCBO、VCEO的物理意义 MOSFET的耗尽、深耗尽和完全深耗尽 MOSFET的阈值电压、平带电压和夹断电压 增强型MOSFET和耗尽型MOSFET的区别 复习内容三 计算综合题 1.二极管（1）pn结势垒区电荷、电场、电势的分布（2）pn结的势垒高度和势垒宽度 复习内容（3）pn结正反向偏置时少子和电流的分布复习内容（4）理想pn结的I-V特性关系式（5）pn结定律（6）pn结的瞬态响应复习内容复习
5、内容2.三极管（1）三极管的基本工作原理（2）发射区的发射效率、基区传输系数和三极管的放大系 数的定义及其与材料参数和结构参数的关系复习内容偏置模式偏置模式 E-B极性极性 C-B极性极性放大放大 正偏正偏 反偏反偏饱和饱和 正偏正偏 正偏正偏截止截止 反偏反偏 反偏反偏倒置倒置 反偏反偏 正偏正偏（3）三极管的四种偏置模式下VEB和VCB的极性复习内容（4）三极管的E、B、C各区的少子分布公式及应用E区区C区区薄基区薄基区复习内容（5 5）四种偏置模式下少子分布图）四种偏置模式下少子分布图复习内容（6）三极管的输入输出特性方程：埃伯斯-莫尔方程复习内容3 MOSFET（1）MOS结构中半导体
6、的表面势、费米势和任意一点的电势的定义任一点电势表面势费米势复习内容（2）MOSFET的积累、平带、耗尽、耗尽-反型转折点、反 型各种不同偏置状态下的能带图、电荷块图、电容、及s与F的关系(3)栅电压与表面势、耗尽层宽度与表面势的关系复习内容（3）MOSFET的阈值电压VT、平带电压VFB和夹断电压VDsat 理想理想MOSFET VFB=OVDsat=VG-VT实际实际MOSFETVDsat=VG-VT复习内容（4）MOSFET的平方律理论 NMOS：VT0 VGVT MOSFET截止，ID=0 VDVT MOSFET导通 VDVDsatPMOS:VTVT,MOSFET截止 VGVT,MOSFET 导通复习内容（5）MOSFET的沟道电导和跨导（6）MOSFET的C-V特性曲线