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1、Silicon VLSI Technology硅基大规模集成电路制作技术硅基大规模集成电路制作技术集成电路的发展n n单个器件的尺寸越来越小单个器件的尺寸越来越小n n晶片的尺寸越来越大晶片的尺寸越来越大器件变小n n减小光刻的特征线宽（减小光刻的特征线宽（减小光刻的特征线宽（减小光刻的特征线宽（Lateral feature size)Lateral feature size)n n从设计上缩小器件的尺寸从设计上缩小器件的尺寸从设计上缩小器件的尺寸从设计上缩小器件的尺寸n n设计功能强大，集成度更高的器件设计功能强大，集成度更高的器件设计功能强大，集成度更高的器件设计功能强大，集成度更高的器
2、件晶片变大l硅晶的生产工艺提高，可以生成更大直径的晶体硅晶的生产工艺提高，可以生成更大直径的晶体l薄膜生长，光刻，蚀刻等制作工艺的性能提高薄膜生长，光刻，蚀刻等制作工艺的性能提高l制作生产线的改进制作生产线的改进Moores Law半导体材料：硅l1960年以前，Ge和GaAs占半导体的主导地位。l1953年，Brattain 和 Bardeen发现可以利用氧气，水等使 半导体表面氧化；l1960年，高质量的SiO2直接生长在Si表面l1947年，第一个点接触式半导体器件（复合锗晶体）诞生，两年 后基于单晶硅的器件产生l硅还具有其它良好特性，自此以后成为半导体领域的主导者Intel CPUIntel CPU的发展的发展例：例：Silicon IC关键步骤或工艺n n晶体生长晶体生长n n光刻光刻n n氧化氧化n n扩散扩散n n离子注入离子注入n n蚀刻蚀刻n n薄膜生长薄膜生长n n后道工艺后道工艺光刻光刻掩膜和套刻Photolithography氧化氧化薄膜生长薄膜生长薄膜外延生长薄膜外延生长刻蚀刻蚀离子注入离子注入CMOS工艺固体物理知识固体物理知识半导体掺杂PN Junction二极管MOS电容nMOSFET,pMOSFETMOSFETMOSFET工作原理