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1、半导体物理与器件半导体物理与器件-课件课件-教学教学PPT-PPT-作者作者-裴素华裴素华-第第2 2章章-PN-PN结机理与特性结机理与特性2.1 平衡PN结的机理与特性2.1.1 PN结的制备与杂质分布在N型(或P型)半导体单晶片衬底上，分别采用不同的掺杂方法，使原来半导体的一部分变成P型，（或N型），那么在P型半导体与N型半导体的交界面处就形成了PN结，如图n合金法及其杂质分布合金法制备PN结的基本过程如图所示n扩散法及其杂质分布用扩散法制备PN结的基本过程如图扩散结的形成过程a）氧化 b）光刻 c）P型杂质的扩散 d）n离子注入法及杂质分布扩展结的杂质分布a）恒定源杂质的分布 b）限定
2、源杂质的分布 c）线性源变节近似离子注入PN结及其杂质分布n外延生长法2.1.2 平衡PN结形成与能带n1 平衡PN结形成平衡PN结空间电荷区的形成a）P区与N区载流子扩散 b）PN结空间电荷区平衡PN结表现出来的3个主要特征：1.通过平衡PN结的静电流为零；2.在空间电荷区，两侧正负空间电荷数量相等；3.空间电荷区以外的N型区和P型区仍是电中性的。n2 平衡PN结的能带图平衡PN结的能带图a）N型、P型半导体的能带 b）平衡PN结的能带平衡PN结费米能级时处处相等的（证明见教材）2.1.3 平衡PN结的接触电势差由于平衡PN结空间电荷区内存在自建电场，使得N区和P区之间存在电势差，把这个电势
3、差称为PN结的接触电势差，用UD表示。2.1.4 平衡PN结的载流子浓度分布平衡PN结的载流子浓度分布如图。在空间电荷区靠P边界XP处，电子浓度等于P区的平衡少子浓度nP0，而空穴浓度等于P区的平衡多子浓度PP0；在空间电荷区靠N边界XN处，空穴浓度等于N区的平衡少子浓度PN0，而电子浓度等于N区的平衡多子浓度nN0；在空间电荷区之内，空穴浓度从XP处的pP0减小到XN处的pN0，电子浓度从XN处的nN0减小到XP处的nP0。平衡PN结载流子浓度分布a）U（x）分布 b）能带 c）载流子浓度分布2.2 正向PN结机理与特性2.2.1 正向偏置与正向注入效应正向偏置时PN结势垒变化及其能带图2.
4、2.2 正向PN结边界少子浓度和少子浓度分布正向PN结少子浓度分布示意图1.边界少子浓度边界少子浓度是指在空间电荷区靠N区边界XN处的空穴浓度p（XN）和靠近P区边界XP处的电子浓度n（XP）。正向PN结少子浓度分布示意图正向PN结的少子分布及其准费米能级靠近P区边界Xp处的电子浓度n(Xp)为靠近N区边界XN处的空穴浓度p(XN)为2.2.3 正向PN结电流-电压方程式正向PN结电流的转换与传输示意图PN结正向电流方程式:在常温下可以近似为:正向PN结的电流-电压关系曲线PN结正向电流的讨论n1.PN结两边杂质浓度与正向电流的关系P+N结的正向电流公式简化为:PN+结的正向电流公式简化为:高
5、阻区杂质浓度对PN结正向电流的影响n2.扩散长度与正向电流的关系对于WW的示意图n3.半导体禁带宽度对正向电流的影响禁带宽度愈小，n2i 愈大禁带宽度对正向电流的影响n4.正向电流的温度效应n5.PN结的导通电压和正向压降2.2.5 PN结的大注入效应可以证明，特大注入时，通过PN+结的电流密度方程式为NP+结大注入时的载流子分布2.2.6 正向PN结空间电荷区复合电流空间电荷区内复合电流示意图当考虑了空间电荷区的复合电流Jr后，PN结正向总电流密度J总=J扩+J复合=2.3 反向PN结的机理与特性2.3.1 反向偏置与反向抽取作用nPN结的反置是指P区接电流源负极，N区接电源正极。nPN结的
6、反向抽取作用是指反向结空间电荷区具有的抽取(或收集)少子的重要作用。2.3.2 反向PN结边界少子浓度和少子浓度分布n反向PN结边界少子浓度所谓边界少子浓度是指在空间电荷区N区边界XN处的空穴浓度p（XN）和靠近P区边界Xp处的电子浓度n（Xp）。反向PN结的准费米能级示意图n反向PN结少子浓度分布反向PN结P区少子电子浓度分布反向PN结N区少子电子浓度分布2.3.3 反向PN结电流-电压方程式n1.反向PN结载流子传输与电流转换反向PN结载流子的传输与电流传输示意图n2.反向PN结电流利用正向PN结求扩散电流的方法，可求出PN结的反向电流为：2.3.4 反向PN结空间电荷区的产生电流反向PN
7、结空间电荷区产生电流形成示意图当考虑了空间电荷区的产生电流后，PN结的反向电流表达式为2.3.5 PN结表面漏电流考虑了表面漏电流之后，实际PN结的反向电流应包括体内扩展电流JRD，空间电荷区产生电流Jg和反向表面漏电流JRS，应等于三项之和JR=JRD+Jg+JRS表面漏电流主要由以下集中情况引起的:n1.表面空间电荷区与表面反型沟道n2.表面沾污引起表面漏导电流n3.其他因素引起表面漏电n4.反向电流随温度的变化表面电荷引起的表面空间电荷层与反型沟道a)表面空间电荷层 b)表面反型沟道表面漏导电流2.3.6 PN结的伏安特性n将正向和反向PN结电流-电压公式结合起来便形成PN结的伏安特性P
8、N结的伏安特性曲线2.4 PN结空间电荷区的电场、点位分布和宽度2.4.1 空间结空间电荷区的电场、点位分布和宽度n突变结空间电荷区的电场分布电场强度最大值EM为：电荷、电场和点位分布a）杂质 b）电荷 c）电场 d）点位n突变结空间电荷的电位分布n突变结空间电荷区的宽度2.4.2 线性缓变空间电荷区的电场、点位和宽度线性缓变结的电场分布E（x）、最大电场强度Em、点位分布U（x）和空间电荷区宽度Xm分别为线性缓变杂质分布示意图线性缓变结中的电荷电场、点位分布a)电荷 b)电场 c)点位2.5 PN结击穿机理与击穿特性2.5.1 PN结击穿机理n热电击穿PN结加偏压增加，温度上升，反向电流增大
9、，两者循环下去，最终导致反向电流无限增大而发生击穿。PN结的击穿现象n隧道击穿隧道击穿是在强电场作用下，由隧道效应使大量电子从价带穿过禁带，而进入到导带所引起的一种击穿现象。又称齐纳击穿。PN结隧道击穿示意图n雪崩击穿雪崩击穿示意图2.5.2 PN结雪崩击穿电压n雪崩击穿条件n单边突变结的雪崩击穿电压n线性缓变结的雪崩击穿电压2.5.3 影响雪崩击穿电压的主要因素n杂质浓度对击穿电压的影响。n外延层厚度对击穿电压的影响。nPN结形状对雪崩击穿电压的影响。2.5.4 几种不正常的击穿曲线n软击穿n低击穿n管道型击穿n靠背椅击穿几种不正常的击穿曲线2.6 PN结的电容特性2.6.1 PN结的势垒电
10、容nPN结为什么会具有电容效应PN结的势垒电容a）势垒电容充电过程 b）势垒电容放电过程n突变结势垒电容表达式为硅突变结CT、Xm与（UD-U）/N0的关系曲线n线性缓变结势垒电容单边突变结和线性缓变结的势垒电容分别为：n实际扩散结势垒电容通常用查表法求。2.6.2 PN结的扩散电容由电荷在扩散区存储所形成的电容称扩散电容，用CD表示，反应了积累在扩散区中的非平衡载流子电荷随电压的变化规律。2.7 晶体二极管特性与设计考虑2.7.1 晶体二极管的基本结构n晶体二极管是由一个PN结、制备上相应的电极引线和管壳封装而成的。由P区引出的电极引线为正极，由N区引出的电极为负极。晶体二极管的几种外形晶体
11、二极管的基本结构与符号a）点接触型 b）面接触型 c）平面型 d）二极管的符号2.7.2 晶体二极管的伏安特性与主要参数n二极管的伏安特性二极管的伏安特性就是指流过二极管中的电流I与其端电压U之间的关系曲线二极管的伏安特性曲线n温度对二极管伏安特性的影响n二极管的主要参数最大整流电流ICM最高反向工作电压URM反向电流IR最高工作频率fM最大耗散功率PCM2.7.3 几种特殊二极管n稳压二极管稳压二极管是一种用特殊工艺制成的硅材料面接触型晶体二极管，它在反向击穿时，在一定的电流范围内，端电压几乎不变，表现出稳压特性，因而广泛应用于稳压电源与限幅电路中。稳压二极管的伏安特性稳压二极管的伏安特性与
12、符号a）伏安特性 b）符号稳压二极管的主要参数1.稳压电压UZ2.稳压电流IZ3.额定功耗PZM4.动态电阻rZ5.温度系数n肖特基二极管肖特基二极管是由一根金属丝经过特殊工艺与半导体表面紧密接触的点接触型二极管，在高速集成电路、微波技术等许多领域中有广泛的应用。肖特基二极管的伏安特性、结构与符号a）伏安特性 b）结构 c）符号n开关二极管二极管从截止到正向偏压后的导通需要一段时间，称为正向恢复时间。二极管从导通转为截止需要一段时间，称为截止时间。这两个时间的和称为开光时间，开关时间愈短愈好。正向恢复时间一般比反向恢复时间短得多。提高开关速度的途径有：减小正向导通时非平衡载流子的存储量Q；加速
13、存储电荷量Q消失的过程。n发光二极管简写为LED，是一种将电信号转换成光信号的特殊二极管。发光二极管的一般结构、管芯、外型和符号a）磷砷镓发光二极管的管芯 b）封装结构 c）符号n光敏二极管光敏二极管是一种光能与电能进行转换的器件。PN结型光敏二极管充分利用PN结的光敏特性，将接收到光的变化转换成电流的变化。光敏二极管的外形和符号a）常见外行 b）符号光敏二极管的伏安特性a）伏安特性 b）工作在第一象限的等效电路 c）工作在第三象限的等效电路 d）工作在第四象限的等效电路n变容二极管变容二极管利用了PN结势垒电容可以利用改变反向电压即可改变电容大小的原理。变容二极管a）符号 b）结电容与电压的关系2.7.4 半导体二极管设计考虑与制备范例n参数分析n最大整流电流n最高工作电压n设计考虑n采用N+-P-P+的结构n深扩散缓变结n采用圆锥状台面结构n塑料封装n设计计算n确定高阻层杂质浓度和厚度n确定衬底材料寿命n确定PN结面积n确定扩散深度和表面浓度1A/2000V 高压整流管的工艺流程结束结束