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1、CMC泓域咨询 /迪庆IGBT项目可行性研究报告迪庆IGBT项目可行性研究报告xx投资管理公司目录第一章 项目绪论10一、 项目名称及建设性质10二、 项目承办单位10三、 项目定位及建设理由11四、 坚持项目引领，推动基础设施更加完善12五、 项目实施的可行性12六、 报告编制说明13七、 项目建设选址15八、 项目生产规模15九、 原辅材料及设备16十、 建筑物建设规模16十一、 环境影响16十二、 项目总投资及资金构成17十三、 资金筹措方案17十四、 项目预期经济效益规划目标17十五、 项目建设进度规划18主要经济指标一览表18第二章 项目背景分析21一、 IGBT结构不断升级，协同第
2、三代半导体技术创新21二、 国内IGBT模块百亿级市场空间，占全球40%以上25三、 坚持优化升级，推动特色产业提质增效26四、 新能源汽车的电力系统中，功率IGBT价值占比达达52%27五、 IGBT基本情况29六、 新能源发电为IGBT带来持续发展动力31第三章 项目建设单位说明33一、 公司基本信息33二、 公司简介33三、 公司竞争优势34四、 公司主要财务数据35公司合并资产负债表主要数据35公司合并利润表主要数据35五、 核心人员介绍36六、 经营宗旨37七、 公司发展规划38第四章 市场预测43一、 IGBT是新能源车动力系统核心中的核心43二、 模块封装为核心竞争力之一，适用于
3、各种高电压场景44第五章 选址分析46一、 项目选址原则46二、 建设区基本情况46三、 坚持改革创新，推动发展环境不断优化48四、 坚持新发展理念，推动经济高质量发展48五、 坚持统筹谋划，推动城乡一体化发展49第六章 产品方案50一、 建设规模及主要建设内容50二、 产品规划方案及生产纲领50产品规划方案一览表51三、 晶圆产能持续紧缺，IGBT供不应求或延续较长时间51四、 新能源汽车：IGBT是核心零部件，单车价值量达到上千人民币52五、 IGBT技术发展历程及趋势55六、 工控领域及电源行业支撑IGBT稳定发展57第七章 原辅材料分析60一、 项目建设期原辅材料供应情况60二、 项目
4、运营期原辅材料供应及质量管理60第八章 工艺技术设计及设备选型方案61一、 企业技术研发分析61二、 项目技术工艺分析64三、 质量管理65四、 设备选型方案66主要设备购置一览表67第九章 建筑工程技术方案68一、 项目工程设计总体要求68二、 建设方案70三、 建筑工程建设指标71建筑工程投资一览表71第十章 进度规划方案73一、 项目进度安排73项目实施进度计划一览表73二、 项目实施保障措施74第十一章 劳动安全生产75一、 编制依据75二、 防范措施77三、 预期效果评价83第十二章 环境保护分析84一、 编制依据84二、 环境影响合理性分析85三、 建设期大气环境影响分析86四、
5、建设期水环境影响分析87五、 建设期固体废弃物环境影响分析87六、 建设期声环境影响分析87七、 建设期生态环境影响分析88八、 清洁生产89九、 环境管理分析90十、 环境影响结论94十一、 环境影响建议94第十三章 项目节能方案96一、 项目节能概述96二、 能源消费种类和数量分析97能耗分析一览表98三、 项目节能措施98四、 节能综合评价99第十四章 人力资源配置100一、 人力资源配置100劳动定员一览表100二、 员工技能培训100第十五章 项目投资计划103一、 编制说明103二、 建设投资103建筑工程投资一览表104主要设备购置一览表105建设投资估算表106三、 建设期利息
6、107建设期利息估算表107固定资产投资估算表108四、 流动资金109流动资金估算表109五、 项目总投资110总投资及构成一览表111六、 资金筹措与投资计划111项目投资计划与资金筹措一览表112第十六章 项目经济效益113一、 经济评价财务测算113营业收入、税金及附加和增值税估算表113综合总成本费用估算表114固定资产折旧费估算表115无形资产和其他资产摊销估算表116利润及利润分配表117二、 项目盈利能力分析118项目投资现金流量表120三、 偿债能力分析121借款还本付息计划表122第十七章 项目招投标方案124一、 项目招标依据124二、 项目招标范围124三、 招标要求1
7、25四、 招标组织方式125五、 招标信息发布129第十八章 项目风险防范分析130一、 项目风险分析130二、 公司竞争劣势135第十九章 项目综合评价说明136第二十章 附表138主要经济指标一览表138建设投资估算表139建设期利息估算表140固定资产投资估算表141流动资金估算表141总投资及构成一览表142项目投资计划与资金筹措一览表143营业收入、税金及附加和增值税估算表144综合总成本费用估算表145固定资产折旧费估算表146无形资产和其他资产摊销估算表146利润及利润分配表147项目投资现金流量表148借款还本付息计划表149建筑工程投资一览表150项目实施进度计划一览表151
8、主要设备购置一览表152能耗分析一览表152报告说明根据谨慎财务估算，项目总投资20178.66万元，其中：建设投资14823.29万元，占项目总投资的73.46%；建设期利息332.96万元，占项目总投资的1.65%；流动资金5022.41万元，占项目总投资的24.89%。项目正常运营每年营业收入42300.00万元，综合总成本费用34981.68万元，净利润5345.72万元，财务内部收益率18.42%，财务净现值7072.41万元，全部投资回收期6.34年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。IGBT根据使用电压范围可分为低压、中压和高压IGBT。按照使用电
9、压范围，可以将IGBT分为低压、中压和高压三大类产品，不同电压范围对应着不同的应用场景。低压通常为1200V以下，主要用于低消耗的消费电子和太阳能逆变器领域；中压通常为1200V2500V，主要用于新能源汽车、风力发电等领域；高压通常为2500V以上，主要用于高压大电流的高铁、动车、智能电网、工业电机等领域。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目绪论一、 项目名称及建设性质（一）项目名称迪庆IGBT项目（二）项目建设性质本项目属于新建项目二、 项目承办单位
10、（一）项目承办单位名称xx投资管理公司（二）项目联系人戴xx（三）项目建设单位概况公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念，将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念，不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。公司依据公司法等法律法规、规范性文件及公司章程的有关规定，制定并由股东大会审议通过了董事会议事规则，董事会议事规则对董事会的职权、召集、提案、出席、议事、表决、决议及会议记录等进行了规范。 公司按照“布局合理、产业协同、资源节约、生态环保”的原则，加强规划引导，推动智慧集群建设，带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动作用大的重点产业集群。加强产业集群对外合作交流，
11、发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制，承担社会责任，营造和谐发展环境。公司全面推行“政府、市场、投资、消费、经营、企业”六位一体合作共赢的市场战略，以高度的社会责任积极响应政府城市发展号召，融入各级城市的建设与发展，在商业模式思路上领先业界，对服务区域经济与社会发展做出了突出贡献。 三、 项目定位及建设理由IGBT是现代电力电子器件中的主导型器件，被誉为电力电子行业里的“CPU”。IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor的缩写，即绝缘栅双极型晶体管，是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品。IGBT作为工业控制及自动化
12、领域的核心元器件，能够根据信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等，以实现精准调控的目的，被称为现代电力电子行业里的“CPU”，广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等众多领域。四、 坚持项目引领，推动基础设施更加完善加大基础设施领域补短板力度，围绕“十四五”规划，聚焦新型基础设施、新型城镇化，以及交通、水利等重大工程，加快构建系统完备、高效实用、智能绿色、安全可靠的现代化基础设施体系。围绕内通外联，抓好公路、铁路、机场建设，构建互联互通的立体交通网络。科学规划布局物流枢纽，推进现代综合物流体系建设。深入推进水源地保护、水土保持、防汛
13、抗旱等工程建设，加快补齐水利基础设施短板，提升水资源优化配置和水旱灾害防御能力。以保障能源需求、提高能源供给质量为重点，构建安全高效绿色的能源网。推进“数字迪庆”建设，实现移动4G网络深度覆盖、移动5G网络全面覆盖。五、 项目实施的可行性（一）不断提升技术研发实力是巩固行业地位的必要措施公司长期积累已取得了较丰富的研发成果。随着研究领域的不断扩大，公司产品不断往精密化、智能化方向发展，投资项目的建设，将支持公司在相关领域投入更多的人力、物力和财力，进一步提升公司研发实力，加快产品开发速度，持续优化产品结构，满足行业发展和市场竞争的需求，巩固并增强公司在行业内的优势竞争地位，为建设国际一流的研发
14、平台提供充实保障。（二）公司行业地位突出，项目具备实施基础公司自成立之日起就专注于行业领域，已形成了包括自主研发、品牌、质量、管理等在内的一系列核心竞争优势，行业地位突出，为项目的实施提供了良好的条件。在生产方面，公司拥有良好生产管理基础，并且拥有国际先进的生产、检测设备；在技术研发方面，公司系国家高新技术企业，拥有省级企业技术中心，并与科研院所、高校保持着长期的合作关系，已形成了完善的研发体系和创新机制，具备进一步升级改造的条件；在营销网络建设方面，公司通过多年发展已建立了良好的营销服务体系，营销网络拓展具备可复制性。六、 报告编制说明（一）报告编制依据1、国家经济和社会发展的长期规划，部门
15、与地区规划，经济建设的指导方针、任务、产业政策、投资政策和技术经济政策以及国家和地方法规等；2、经过批准的项目建议书和在项目建议书批准后签订的意向性协议等；3、当地的拟建厂址的自然、经济、社会等基础资料；4、有关国家、地区和行业的工程技术、经济方面的法令、法规、标准定额资料等；5、由国家颁布的建设项目可行性研究及经济评价的有关规定；6、相关市场调研报告等。（二）报告编制原则1、项目建设必须遵循国家的各项政策、法规和法令，符合国家产业政策、投资方向及行业和地区的规划。2、采用的工艺技术要先进适用、操作运行稳定可靠、能耗低、三废排放少、产品质量好、安全卫生。3、以市场为导向，以提高竞争力为出发点，
16、产品无论在质量性能上，还是在价格上均应具有较强的竞争力。4、项目建设必须高度重视环境保护、工业卫生和安全生产。环保、消防、安全设施和劳动保护措施必须与主体装置同时设计，同时建设，同时投入使用。污染物的排放必须达到国家规定标准，并保证工厂安全运行和操作人员的健康。5、将节能减排与企业发展有机结合起来，正确处理企业发展与节能减排的关系，以企业发展提高节能减排水平，以节能减排促进企业更好更快发展。6、按照现代企业的管理理念和全新的建设模式进行规划建设，要统筹考虑未来的发展，为今后企业规模扩大留有一定的空间。7、以经济救益为中心，加强项目的市场调研。按照少投入、多产出、快速发展的原则和项目设计模式改革
17、要求，尽可能地节省项目建设投资。在稳定可靠的前提下，实事求是地优化各成本要素，最大限度地降低项目的目标成本，提高项目的经济效益，增强项目的市场竞争力。8、以科学、实事求是的态度，公正、客观的反映本项目建设的实际情况，工程投资坚持“求是、客观”的原则。（二） 报告主要内容按照项目建设公司的发展规划，依据有关规定，就本项目提出的背景及建设的必要性、建设条件、市场供需状况与销售方案、建设方案、环境影响、项目组织与管理、投资估算与资金筹措、财务分析、社会效益等内容进行分析研究，并提出研究结论。七、 项目建设选址本期项目选址位于xxx，占地面积约46.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划
18、电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。八、 项目生产规模项目建成后，形成年产xx个IGBT的生产能力。九、 原辅材料及设备（一）项目主要原辅材料该项目主要原辅材料包括xx、xx、xxx。（二）主要设备主要设备包括：xxx、xx等。十、 建筑物建设规模本期项目建筑面积49997.60，其中：生产工程36199.82，仓储工程4121.65，行政办公及生活服务设施5438.69，公共工程4237.44。十一、 环境影响项目建设区域生态及自然环境良好，该项目建设及生产必须严格按照环保批复的控制性指标要求进行建设，不要在企业创造经济效益的同时对当地环境造成破坏。本项目如能在项目的
19、建设和运营过程中落实以上针对主要污染物的防止措施，那么污染物的排放就能达到国家标准的要求，从而保证不对环境产生影响，从环保角度确保项目可行。项目建设不会对当地环境造成影响。从环保角度上，本项目的选址与建设是可行的。十二、 项目总投资及资金构成（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资20178.66万元，其中：建设投资14823.29万元，占项目总投资的73.46%；建设期利息332.96万元，占项目总投资的1.65%；流动资金5022.41万元，占项目总投资的24.89%。（二）建设投资构成本期项目建设投资14823.29万元，包括
20、工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用12664.11万元，工程建设其他费用1693.34万元，预备费465.84万元。十三、 资金筹措方案本期项目总投资20178.66万元，其中申请银行长期贷款6795.19万元，其余部分由企业自筹。十四、 项目预期经济效益规划目标（一）经济效益目标值（正常经营年份）1、营业收入（SP）：42300.00万元。2、综合总成本费用（TC）：34981.68万元。3、净利润（NP）：5345.72万元。（二）经济效益评价目标1、全部投资回收期（Pt）：6.34年。2、财务内部收益率：18.42%。3、财务净现值：7072.41万元。十五、 项目建设进
21、度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设，本期项目建设期限规划24个月。十四、项目综合评价本期项目技术上可行、经济上合理，投资方向正确，资本结构合理，技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积30667.00约46.00亩1.1总建筑面积49997.601.2基底面积19626.881.3投资强度万元/亩313.122总投资万元20178.662.1建设投资万元14823.292.1.1工程费用万元12664.112.1.2其他费用万元1693.342.1.3预备费万元465
22、.842.2建设期利息万元332.962.3流动资金万元5022.413资金筹措万元20178.663.1自筹资金万元13383.473.2银行贷款万元6795.194营业收入万元42300.00正常运营年份5总成本费用万元34981.686利润总额万元7127.627净利润万元5345.728所得税万元1781.909增值税万元1589.1710税金及附加万元190.7011纳税总额万元3561.7712工业增加值万元12049.6913盈亏平衡点万元17965.70产值14回收期年6.3415内部收益率18.42%所得税后16财务净现值万元7072.41所得税后第二章 项目背景分析一、 I
23、GBT结构不断升级，协同第三代半导体技术创新IGBT是一个电路开关，透过开关控制改变电压。IGBT（绝缘栅双极型晶体管，InsulatedGateBipolarTransistor）是一个三端器件，也是重要的分立器件分支，属于分立器件中的全控型器件，可以同时控制开通与关断，具有自关断的特征，即是一个非通即断的开关。IGBT拥有栅极G（Gate）、集电极C（Collector）和发射极E（Emitter），其开通和关断由栅极和发射极间的电压UGE决定；在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通。IGBT结合了TMOSFET与与TBJT的优
24、势。IGBT结合了MOSFET与BJT的优点，既有MOSFET的开关速度快，输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，此外为了提升IGBT耐压，减小拖尾电流，结构相对复杂。IGBT被各类下游市场广泛使用，是电力电子领域较为理想的开关器件。IGBT工艺与设计难度高，产品生命周期长。IGBT芯片结构分为正面（Emitterside）和背面（Collectoerside）。从80年代初到现在，IGBT正面技术从平面栅（Planar）迭代至沟槽栅(Trench)，并演变为微沟槽（MicroPatternTrench）；背面技术从穿通型（PT
25、,PunchThrough）迭代至非穿通型（NPT,NonPunchThrough），再演变为场截止型（FS,FieldStop）。技术的迭代对改善IGBT的开关性能和提升通态降压等性能上具有较大帮助，但是实现这些技术对于工艺有着相当高的要求，尤其是薄片工艺（8英寸以上的硅片当减薄至100200um后极易破碎）以及背面工艺（因正面金属熔点的限制，所以背面退火激活的难度大），这也是导致IGBT迭代速度较慢。此外，IGBT产品具有生命周期长的特点，以英飞凌IGBT产品为例，该产品已迭代至第七代，但其发布于2000年代初的第三代IGBT芯片技术在3300V、4500V、6500V等高压应用领域依旧占
26、据主导地位，其发布于2007年的第四代IGBT则依旧为目前使用最广泛的IGBT芯片技术，其IGBT4产品的收入增长趋势甚至持续到了第15年。高密度、高可靠性、更好的集成散热功能是IGBT未来发展趋势。英飞凌作为全球IGBT龙头企业，产品技术已成为本土厂商的对标。截至2021年，英飞凌产品已迭代至第七代。其中，第五代与第六代均属于第四代的优化版（第五代属于大功率版第四代，第六代属于高频版第四代）。IGBT器件需要承受高电压和大电流，对于稳定性、可靠性要求较高。未来，IGBT会朝着更小尺寸、更大晶圆、更薄厚度发展，并通过成本、功率密度、结温、可靠性等方面的提升来实现整个芯片结束的进步。此外，IGB
27、T模块的未来趋势也将朝着更高的热导率材料、更厚的覆铜层、更好的集成散热功能和更高的可靠性发展。第三代半导体物理特性相较于iSi在工作频率、抗高温和抗高压具备较强的优势。半导体材料领域至今经历了多个发展阶段，相较而言，第三代半导体在工作频率、抗高温和抗高压等方面更具优势。第一代半导体材料主要包括硅（Si）和锗（Ge），于20世纪40年代开始登上舞台，目前主要应用于大规模集成电路中。但硅材料的禁带宽度窄、电子迁移率低，且属于间接带隙结构，在光电子器件和高频高功率器件的应用上存在较大瓶颈，因此其性能已难以满足高功率和高频器件的需求。新材料推进新产品发展，高压高频领域适用SiC。碳化硅在绝缘破坏电场界
28、强度为硅的10倍，因此SiC可以以低电阻、薄膜厚的漂移层实现高耐压，意味着相同的耐压产品SiC的面积会比Si还要小，比如900VSiC-MOSFET的面积是Si-MOSFET的1/35。因此，硅基的SJ-MOSFET只有900V左右的产品，SiC可以做到1700V以上且低导通电阻。Si为了改善高耐压化所带来的导通电阻增大主要采用IGBT结构，但由于其存在开关损耗大产生发热、高频驱动受到限制等问题，所以需借由改变材料提升产品性能。SiC在MOSFET的结构就可实现高耐压，因此可同时实现高耐压、低导通电阻、高速，即使在1200V或更高的击穿电压下也可以制造高速MOSFET结构。SiCMTOSFET
29、具备一定优势，但成本较高。就器件类型而言，SiCMOSFET与SiMOSFET相似。但是，SiC是一种宽带隙（WBG）材料，其特性允许这些器件在与IGBT相同的高功率水平下运行，同时仍然能够以高频率进行开关。这些特性可转化为系统优势，包括更高的功率密度、更高的效率和更低的热耗散。然而，受制于制造成本和产品良率影响，SiC产品价格较高。由于Si越是高耐压的组件、每单位面积的导通电阻变高(以耐压的约22.5倍增加)，因此600V以上的电压则主要使用IGBT。但是IGBT是藉由注入少数载子之正孔于漂移层内，比MOSFET可降低导通电阻，另一方面由于少数载子的累积，断开时产生尾电流、造成开关的损耗。S
30、iC由于漂移层的电阻比Si组件低，不须使用传导度调变，可用高速组件构造之MOSFET以兼顾高耐压与低电阻，可实现开关损耗的大幅削减与冷却器的小型化。SiC在制造和应用方面又面临很高的技术要求，因此SiCMosfet价格较SiIGBT高。根据功率器件的特性，不同功率器件的应用领域各有不同。虽然IGBT结合了MOSFET与BJT的优势，但三者根据各自的器件性能优势，都有适合的应用领域。BJT更强调工作功率，MOSFET更强调工作频率，IGBT则是工作功率与频率兼具。BJT因其成本优势，常被用于低功率低频率应用市场，MOSFET适用于中功率高频率应用市场，IGBT适用于高功率中频率应用市场。高功率密
31、度的IGBT在性能、可靠性等方面将继续发展，因此在较长一段时间内仍会是汽车电动化的主流器件。SiC组件具有高压、高频和高效率的优势，在缩小体积的同时提高了效率，相关产品则主要用于高压高频领域。部分IGBT厂商已开始布局SiC产业。SiC具有较大发展潜力，已吸引多家功率器件厂商进行布局。英飞凌于2018年收购德国厂商Siltectra，弥补自身晶体切割工艺，又于2018年12月与Cree签署长期协议，保证自身光伏逆变器和新能源汽车领域的产品供应，旗下CoolSiC系列产品已走入量产。2019年，意法半导体与Cree签署价值2.5亿美元的长单协议，且收购了瑞典SiC晶圆厂商NorstelAB，以满
32、足汽车和工业客户对MOSFET与二极管的需求。2021年，意法半导体宣布造出8英寸SiC晶圆。此外，斯达半导、华润微、等本土厂商也已在SiC领域布局。二、 国内IGBT模块百亿级市场空间，占全球40%以上根据英飞凌年报，2019年英飞凌模块产品全球市占率35.6%，斯达半导2.5%，英飞凌IGBT器件产品市占率32.5%，士兰微2.2%。2019年斯达半导IGBT模块营业收入7.6亿元，士兰微IGBT器件营业收入约1亿元，由此可推算2019年全球IGBT模块市场规模约300亿元，IGBT器件市场规模约45亿元。根据ASMC研究显示，全球IGBT市场规模预计在2022年达到60亿美元，全球IGB
33、T市场规模在未来几年时间仍将继续保持稳定增长的势头。根据中国产业信息网和头豹研究院数据整理，2014年，我国IGBT行业市场规模为79.8亿元，预测到2020年，我国IGBT行业将实现197.7亿元的收入，年复合增长率达16.32%。预计到2023年中国IGBT行业整体市场规模有望达到290.8亿元，市场前景广阔。根据Yole预测，2024年我国行业IGBT产量预期达到0.78亿只，需求量达到1.96亿只，仍存在巨大供需缺口。IGBT市场长期被英飞凌、富士电机等海外公司垄断，英飞凌占据绝对领先的地位。2019年英飞凌模块产品全球市占率35.6%，器件产品全球市占率32.5%，IGBT模块领域国
34、内斯达半导是唯一进入前十的企业，市占率2.5%，IGBT器件领域国内士兰微是唯一进入前十的企业，市占率2.2%。国内产品供需不平衡，“国产替代”将是未来IGBT行业发展的主要方向。三、 坚持优化升级，推动特色产业提质增效加强产业规划布局引导，坚持走产业集聚、资源集约、土地节约、绿色发展的产业发展新路子。全面推进文化旅游产业提质升级。围绕大滇西旅游环线建设，加快推进景区景点、旅游公路、综合服务站等文化旅游基础设施建设，深入实施“旅游+”行动，创新发展文化旅游新业态，全力打造国际旅游目的地和全域旅游示范区。大力发展高原特色现代农业。优化布局特色农业基地，抓好龙头企业培育，加大农畜产品加工、仓储保鲜
35、、冷链物流、农村电商等体系建设，着力打造香格里拉特色农业品牌。大力发展清洁能源产业，加快建设“两江”流域大中型水电站，推动大数据中心、新材料制造等绿色载能产业发展。积极稳妥开发矿产资源，提升产业附加值，努力构建节约高效、环境友好的绿色矿业发展模式。四、 新能源汽车的电力系统中，功率IGBT价值占比达达52%新能源汽车核心三电系统（电池、电机、电控）。1）电池是新能源汽车的能量来源，替换传统燃油汽车的油箱；动力电池系统主要由电芯、电池管理系统等组成。2）电机负责将电能转换为机械能，包含定子、转子等；3）电控如同汽车的大脑，用来控制电机的启动、暂停、转速、扭矩等各项“动作”。三电系统需要大量的半导
36、体产品包括功率半导体、模拟芯片、控制芯片等；随着电动汽车的发展与普及，汽车半导体迎来快速发展期。电力系统主要分为四大类：DC/DC转换器、电池管理系统(BMS)、逆变器、车载充电器。逆变器是汽车的关键部件，主要用到的半导体芯片为为IGBT。逆变器类似于燃油车的发动机管理系统EMS，决定着驾驶行为。无论电机是同步、异步还是无刷直流电机，逆变器始终以类似的方式运行，其设计应最大限度地减少开关损耗并最大限度地提高热效率。IGBT是电动汽车逆变器的核心电子器件，重要性类似电脑里的CPU。DC-DC。转换器供电给汽车低压电子系统。DC/DC变换器是新能源汽车必须配置的功能，类似燃油汽车中配置的低电压发电
37、机总成，其功能是给车载12V或24V低压电池充电，并为整车提供全部的低压供电。在新能源汽车中会配置一个DC/DC变换器作为能量传递部件，从车载动力电池取电，提高能源的利用率，给车载12V或24V低压电池充电，并为整车提供全部的低压电子系统供电。BMS电池管理系统是电动汽车中电池组的大脑。BMS可根据起动能力对充电状态、健康状态和功能状态进行快速、可靠的监测，以提供必要的信息。因此，BMS能够最大限度地降低因为电池意外失效而导致的汽车故障次数，从而尽可能地提升电池使用寿命和电池效率，并实现二氧化碳减排功能。OBC车载充电器主要功能是为电池充电。OBC的核心功能是整流电源输入，并将其转换为适合电池
38、的充电电压可能是400V或越来越多的800V。一个典型的OBC由多个级联级组成，包括功率因数校正（PFC）、DC/DC转换器、次级整流、辅助电源、控制及驱动电路。OBC具有多种功率等级，功率等级越高，充电时间就越短。最流行的OBC功率等级是3.3kW、6.6kW、11kW和22kW。新能源汽车动力系统中，器逆变器IGBT价值量比占比52%。在电动传统系统中，主逆变器负责控制电动机，是汽车中的一个关键元器件，决定了驾驶行为和车辆的能源效率。并且，主逆变器还用于捕获再生制动释放的能量并将此能量回馈给电池，所以，车辆的最大行程与主逆变器的效率直接相关。五、 IGBT基本情况电力电子技术是以电子（弱电
39、）为手段去控制电力（强电）的技术，使电网的工频电能最终转换成不同性质、不同用途的电能，以适应不同用电装臵的不同需求。电力电子技术以电子学、电力学和控制论相互交叉结合为基础，研究电能的变换和利用，广泛应用于高压直流输电、电力机车牵引、交直流转换、电加热、电解等各种领域中。电力电子器件是电力电子技术的核心。电力电子器件即功率半导体器件，也称为功率电子器件，是进行功率处理的半导体器件。典型的功率处理功能包括变频、变压、变流、功率放大、功率管理等，是电力电子装臵的心脏。虽然功率器件在整台电力电子装臵中的价值通常不会超过总价值的20%-30%，但对整机的总价值、尺寸、总量、动态性能、过载能力、耐用性和可
40、靠性起着十分重要的作用。IGBT是现代电力电子器件中的主导型器件，被誉为电力电子行业里的“CPU”。IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor的缩写，即绝缘栅双极型晶体管，是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品。IGBT作为工业控制及自动化领域的核心元器件，能够根据信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等，以实现精准调控的目的，被称为现代电力电子行业里的“CPU”，广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等众多领域。IGBT既有MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关
41、损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，是电力电子领域较为理想的开关器件。IGBT可以看做由BJT（双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）组成的复合功率半导体器件。BJT即三极管，是电流驱动器件，基本结构是两个背靠背的PN结，基极和发射极之间的PN结称为发射结，基极和集电极之间的PN结称为集电结，通过控制输入电压和基极电流可以使三极管出现电流放大或开关效应。MOSFET是电压型驱动器件，以常用的N沟道MOS管为例，通过在P型半导体上方加入金属板和绝缘板，即栅极，在使用中保持源级和漏级电压不变，栅极加正电压，MOS管呈导通状态，降低栅极电压，MOS管呈关闭
42、状态。由于栅极所带来的电容效应，使得MOS管只需要很小的驱动功率即可实现高速的开关作用。BJT通态压降小、载流能力大，但驱动电流小，MOSFET驱动功率小、快关速度快，但导通压降大、载流密度小。IGBT可以等效为MOS管和BJT管的复合器件，在保留MOS管优点的同时增加了载流能力和抗压能力，自20世纪80年代末开始工业化应用以来发展迅速，成为电力电子领域中最重要的功率开关器件之一，在6500V以下的大功率高频领域逐渐取代了晶闸管和功率MOSFET器件。六、 新能源发电为IGBT带来持续发展动力目前新能源发电以光伏和风力发电为主，以光伏发电为例，在太阳光照射下太阳能电池阵列产生电能输出直流电，但
43、输出的电能不符合电网要求，需通过逆变器将其整流，再逆变成符合电网要求的交流电后输入并网。以往光伏发电系统是采用MOSFET构成的逆变器，然而随着电压的升高，MOSFET会因其通态电阻过大而导致增加开关损耗，IGBT因其通态电流大、耐压高、电压驱动等特点，在中、高压容量的系统中更具优势，在实际项目中IGBT已逐渐取代MOSFET作为光伏逆变器和风力发电逆变器的核心器件，新能源发电行业的迅速发展将成为IGBT行业持续增长的全新动力。据欧洲光伏产业协会预测,全球光伏装机量未来5年将保持15%以上的复合增速，假设光伏逆变器出货量每年保持15%增长，预计到2025年全球光伏IGBT市场规模将达到53亿元
44、。国内逆变器厂商在全球光伏市场上持续突破，据Solaredge数据，2018年华为在全球逆变器市场的份额达22%。据阳光电源2020年报披露，公司2015年起出货量首次超越连续多年排名全球发货量第一的欧洲公司，销售收入7.51亿元，全球市占率27%，已批量销往德国、意大利、澳大利亚、美国、日本、印度等150多个国家和地区，国内光伏逆变器厂商的快速发展也为国产IGBT替代带来更多产品应用的机会。第三章 项目建设单位说明一、 公司基本信息1、公司名称：xx投资管理公司2、法定代表人：戴xx3、注册资本：1010万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6
45、、成立日期：2013-2-277、营业期限：2013-2-27至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事IGBT相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司按照“布局合理、产业协同、资源节约、生态环保”的原则，加强规划引导，推动智慧集群建设，带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动作用大的重点产业集群。加强产业集群对外合作交流，发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制，承担社会责任，营造和谐发
46、展环境。公司全面推行“政府、市场、投资、消费、经营、企业”六位一体合作共赢的市场战略，以高度的社会责任积极响应政府城市发展号召，融入各级城市的建设与发展，在商业模式思路上领先业界，对服务区域经济与社会发展做出了突出贡献。 三、 公司竞争优势（一）公司具有技术研发优势，创新能力突出公司在研发方面投入较高，持续进行研究开发与技术成果转化，形成企业核心的自主知识产权。公司产品在行业中的始终保持良好的技术与质量优势。此外，公司目前主要生产线为使用自有技术开发而成。（二）公司拥有技术研发、产品应用与市场开拓并进的核心团队公司的核心团队由多名具备行业多年研发、经营管理与市场经验的资深人士组成，与公司利益捆绑一致。公司稳定的核心团队促使公司形成了高效务实、团结协作的企业文化和稳定的干部队伍，为公司保持持续技术创新和不断扩张提供了必要的人力资源保障。（三）公司具有优质的行业头部客户群体公司凭借出色的技术