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1、参数型传感器电阻第1页，本讲稿共27页第二节第二节 参数型传感器参数型传感器 一、电阻式传感器二、电容式传感器三、电感式传感器第2页，本讲稿共27页第二节第二节 参数型传感器参数型传感器 工作原理：将被测物理量转化为电路参数主要参数：电阻、电容、电感 一、电阻式传感器将被测量变化转换成传感器元件电阻值变化经过转换电路变成电信号输出常用来测量力、压力、位移、应变、扭矩、加速度等基本原理基本原理第3页，本讲稿共27页可变电阻传感器的传感元件可变电阻传感器的传感元件 电位计(a)：直线位移电阻应变片(b)：应变热敏电阻(c)：温度气敏电阻：气体浓度或成分湿敏电阻：介质含水量光敏电阻：光信号强弱热线风
2、速计(d)：加热金属被流动介质冷却，使电阻变化以测量流速金属丝压敏传感元件(e)：流体的压力第4页，本讲稿共27页第5页，本讲稿共27页第6页，本讲稿共27页电阻材料导线覆以绝缘涂层后排绕而成在工作表面上磨去绝缘层弹性导体制成的电刷在工作表面上滑动电刷位移的变化而引起电阻值变化输入量变化时，电阻值在0100%范围内变化，如：测量线位移或角位移的滑线式变阻器(电位器)（一)大电阻变化式 原理：原理：第7页，本讲稿共27页线绕电位器非平滑、连续变化电刷每走一个线径电阻突变一次电阻呈大、小阶梯形变化 降低了被测参数的分辨力电刷处在两导线间时 会造成两圈之间的短路电刷磨损严重甚至会造成三圈短路常见问题
3、：常见问题：第8页，本讲稿共27页采用表面光滑型碳膜、金属膜电阻和导电塑料电位计导电塑料电位计没有线绕，其特性呈连续变化 动态测试中，电刷是弹性振动系统，有固有频率电刷在间断平面上以一定速度滑动，受迫振动频率若与固有频率相近，电刷会引起较大的振动响应振动造成电刷脱离接触或产生噪声，使输出特性急剧恶化弹性振动系统固有频率较低，测量速度受到限制光滑表面的导电塑料可缓解这一问题 解决办法解决办法第9页，本讲稿共27页被测物理量变化时，传感元件电阻值变化范围很小原始阻值的变化小于10%电阻应变片，若原始电阻为120，电阻变化均在1以下（二)微电阻变化式 电阻应变片是应用最广泛的传感元件 体积小、动态响
4、应快、测量精度高、使用简便光刻技术的突破，使精度和可靠性提高 应用领域越来越广 第10页，本讲稿共27页1电阻应变片的工作原理与结构电阻应变片的工作原理与结构工作原理工作原理电阻应变式传感器 机械变形电阻应变片形变电阻变化电量输出被测物理量 由电量变化的大小反映构成 在弹性元件上 电阻应变敏感元件应用 测量力、力矩、压力、加速度、重量等 第11页，本讲稿共27页 导体或半导体材料在外力作用下产生机械变形,其电阻值发生变化的现象“应变效应”。金属电阻丝不受力时的电阻值：式中：电阻丝的电阻率；l 电阻丝的长度；F电阻丝的截面积。应变效应应变效应llforce(3-1)第12页，本讲稿共27页电阻丝
5、在长度方向变形时 长度l、截面积F和电阻率均会变化，并引起电阻R的变化三个增量dl、dF、d所引起的dR可由多元函数微分导出若电阻丝是半径为r的圆形截面，则Fr2，故：电阻的相对变化为由于(3-2)(3-3)第13页，本讲稿共27页若应变片沿长度方向受力而伸长l纵向应变：长度方向的相对变形或长度变化率(无量纲量)=ll电阻丝沿其轴向拉长必然使其沿径向缩小式中：电阻丝材料的泊松比 式(3-3)中的d/是电阻丝的电阻率相对变化，与轴向正应力有关：式中：L电阻丝材料的压阻系数 电阻丝所受轴向正应力(3-3)第14页，本讲稿共27页式中：E电阻丝材料的弹性模量将各参量式代入式(3-3)可得式(3-4)
6、右侧第一项是电阻丝几何尺寸变化而引起的电阻相对变化量第二项是电阻丝材料导电率因材料变形而引起的电阻相对变化电阻应变丝的灵敏度(3-4)(3-5)(3-3)第15页，本讲稿共27页应变电阻丝常采用金属材料，也可采用半导体材料制作应用金属材料制作应变电阻，主要利用式(3-4)中等号右侧的前项 所以(3-6)金属应变片的材料有：铜镍、镍铬、镍铬铝、铁铬铝合金以及贵金属铂和铂钨合金等灵敏度S在1.73.6之间，常用的灵敏度S为2.08。(3-4)第16页，本讲稿共27页电阻应变片的种类电阻应变片的种类组成组成金属应变片：丝式、箔式和薄膜式半导体应变片敏感栅、基片、覆盖层和引线第17页，本讲稿共27页金
7、属材料应变片的早期结构 金属丝排布、粘贴在基体上采用照相光刻，制成金属箔式应变片 适合于大量生产，金属箔与基片的粘结可靠，可制成复杂形状 厚度薄、面积大、散热与稳定性好右图(b)是用来测量多个方向应变的应变片“应变花”光刻工艺的发展，图样、分层和微小的结构不断问世，以适应不同需要。应变片与应变花第18页，本讲稿共27页利用半导体材料的电阻率随应力变化式(3-4)中等号右侧的第二项“压阻效应”。半导体电阻材料应变片半导体电阻材料应变片工作原理工作原理(3-4)压阻效应第19页，本讲稿共27页常用半导体应变材料：有P型和N型硅或锗原理：单晶半导体在外力作用下，原子点阵排列改变，导致载流子迁移率及载
8、流子浓度变化而引起电导率变化 对于P型硅半导体当应力沿1，1，1晶轴方向作用时，对于N型硅半导体当应力沿1，0，0晶轴方向作用时，压阻效应最大确保灵敏度：制造时必须沿晶轴方向切割半导体单晶突出优点：半导体应变片灵敏度100175，比金属应变片大数10倍 机械滞后小、横向效应小，本身体积小性能缺陷：应变灵敏度随温度变化较大 对半导体材料进行适当掺杂可以加以改善 灵敏度离散性大、大应变下的非线性大 第20页，本讲稿共27页使用应变片，需粘贴在被测构件上粘贴工艺和粘结剂很重要 应变片的误差、可靠性等取决于粘贴工艺应充分重视制作工序 对被测构件表面打磨、清洗、胶层涂布、粘贴、胶层固化等 否则会严重影响
9、使用效果，甚至导致失败应变片粘结胶通常有 赛璐璐、酚醛树脂、502胶、环氧树脂等 高温下，使用无机粘结剂如专用陶瓷等根据实际使用条件选择材料 以保证足够的粘结强度、绝缘性能、抗蠕变性能、温度范围等技术要求和粘贴操作方便等。第21页，本讲稿共27页2电阻应变片的误差及其补偿电阻应变片的误差及其补偿 应变片电阻值变化与应变值之间存在单值函数关系环境温度变化、电阻丝工作电流产生热量会使工作温度变化 应变电阻随温度变化，可能大于应变信号引起的电阻变化温度变化引起的电阻变化可造成电阻应变片的“温度误差”应变片在使用时其所处的温度不变的情况下：第22页，本讲稿共27页(1)应变片本身电阻随温度的变化，可表
10、达为(3-7)式中：RT 因温度变化而引起的电阻变化值；f 应变片电阻温度系数，单位温度变化引起的电阻值变化；T 相对于校准温度的温度变化值。该温度引起的电阻变化可折算成相当于应变片的应变值：(3-8)第23页，本讲稿共27页(2)应变丝线胀系数 ag 与基底线胀系数 ab 不同，温度变化，引起附加应变。应变丝由于温度变化引起的相对伸长：基底由于温度变化引起的相对伸长：式中：ag，ab分别为温度变化引起的电阻丝与基底的线胀系数。当agab时，会引起二者长度差，造成应变丝的被拉伸或被压缩，相当于引起一附加应变误差：(3-9)(3-10)(3-11)第24页，本讲稿共27页(3)电阻应变片的灵敏度
11、 S 随温度而变化 变化后的灵敏度为 ST。被测应变在温度变化后，通过应变电阻丝测量，折算出的应变值会变化为(ST/S)。S 为校准温度时的灵敏度。考虑上述因素，被测应变和温度变化时应变片所表现出来的应变为：(3-12)第25页，本讲稿共27页(1)温度修正法：作出应变片的温度-应变曲线，作相应的温度修正。温度误差的实际补偿方法温度误差的实际补偿方法(2)参数补偿法：调整式(3-12)各参数，减小温度误差。使用温度与校准温度相差较小时，可认为STS。温度误差主要由式(3-12)等号右侧的后两项决定。补偿方法有两种。一是局部补偿，应变丝用正、负两种电阻温度系数且数值相近的合金材料制作，各自的温度误差相抵消，从而减小电阻温度系数引起的温度误差。二是相互补偿，为了使引起温度误差的两项值总的效果达到抵消，即：使所选各部分参数满足：(3)电路补偿法：应变片的温度误差在后续电路中采用补偿措施消除第26页，本讲稿共27页The End第27页，本讲稿共27页