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1、习题习题5.5.1 1 ，两种两种BJTBJT晶体管的名字是什么？描述各自的基本结晶体管的名字是什么？描述各自的基本结构图，标示出多数载流子和少数载流子，并画出其电路符号。构图，标示出多数载流子和少数载流子，并画出其电路符号。解：两种晶体管分别为NPN型和PNP型。N区的多子为自由电子P区的多子为空穴习题习题5.5.2 2在在NPNNPN型晶体三极管中，发射结加正偏，集电结加反型晶体三极管中，发射结加正偏，集电结加反偏。已知偏。已知I IS S 4.5 4.51010 1515A A，=0.98=0.98，I ICBOCBO忽略不计。试求当忽略不计。试求当V VBEBE=0.65V=0.65V
2、、0.7V0.7V、0.75V0.75V时，时，I IE E、I IC C和和I IB B的值，并分析比的值，并分析比较。较。以（1）为基准，（2）中VBE增加7.69%，IC增加了638.71%以（1）为基准，（3）中VBE增加15.38%，IC增加了5358.46%习题习题5.3 5.3 电路如图题电路如图题5.15.1所示，设三极管所示，设三极管=100=100，求电路，求电路中中I IE E、I IB B、I IC C和和V VE E、V VB B、V VC C。习题习题5.45.4对于图题对于图题5.25.2所示的电路，求标注的电压和电流值所示的电路，求标注的电压和电流值习题习题5.
3、55.5设计图题设计图题5.35.3所示放大器的偏置电路，使得电流所示放大器的偏置电路，使得电流I IE E=2mA=2mA，电源，电源V VCCCC=+15V=+15V。晶体管的。晶体管的 额定值为额定值为100100。V VCEQCEQ=5V=5V习题习题5.5.6 6 在图题在图题5.45.4所示电路中，已知室温下硅管的所示电路中，已知室温下硅管的=100=100，V VBE(on)BE(on)=0.7V=0.7V，I ICBOCBO=10=10 1515A A，试问：室温下的，试问：室温下的I ICQCQ、V VCEQCEQ值，并分析值，并分析其工作模式。其工作模式。习题习题5.5.7
4、 7对于图题对于图题5.55.5所示的电路，当所示的电路，当V VCCCC=10V=10V，V VEEEE=10V10V，I I=1mA=1mA，=100=100，R RB B=100k=100k，R RC C=7.5k=7.5k 时，求基极、集时，求基极、集电极和发射极的直流电电极和发射极的直流电压压。习题习题5.5.8 8 分析图题分析图题5.65.6所示的电路并确定电压增益所示的电路并确定电压增益，=100=100。习题习题5.5.9 9 图题图题5.75.7所示的晶体管放大器由电流源所示的晶体管放大器由电流源I I偏置，并有非常高的偏置，并有非常高的 值。求集电极的直流电压值。求集电极
5、的直流电压V VC C。画出用简化混合模型来替代晶体管的交。画出用简化混合模型来替代晶体管的交流等效电路，求电压增益流等效电路，求电压增益v vC C/v vi i的值。的值。习题习题5.105.10在图题在图题5.85.8所示电路中，已知晶体三极管的所示电路中，已知晶体三极管的=200=200，V VBE(on)BE(on)=0.7V0.7V，I ICBOCBO 0 0。（1 1）试求）试求I IB B、I IC C、V VCECE。（2 2）若电路中元件分别做如下变化，试指出晶体三极管的工作模式：）若电路中元件分别做如下变化，试指出晶体三极管的工作模式：R RB2B2=2k=2k；R RB
6、1B1=15k=15k；R RE E=100=100。(1)采用戴维南等效（2）考虑到第二问只需要判断工作模式，不需要精确计算，且则因此产生的电流很小，VCE间压差很大，故应该在放大区的边缘5.11(1)将VDZ反接后，VDZ处于正向导通状态，则根据戴维南定理，可将偏置电路部分改为如下图所示，假设VT工作在放大区，其中故假设成立，VT依然工作在放大区，ICQ变大5.11VDZ不管正向导通还是反向击穿，等效电阻Rd都比较小（欧姆级），直流通路是分压式偏置习题5.12 5.12 在图题5.105.10所示的共基放大电路中，三极管=100=100，求：（1 1）电压放大倍数A Av v；（2 2）输
7、入电阻R Ri i、输出电阻R Ro o。习题5.13 5.13 射极跟随器如图题5.115.11所示，已知三极管=1.5k=1.5k，=49=49。（1 1）画出小信号等效电路；（2 2）计算A Av v、R Ri i、R Ro o。解：交流小信号电路如图所示习题5.14 考虑图题考虑图题5.125.12所示的所示的CBCB放大器，放大器，R RL L=10k=10k，R RC C=10k=10k，V VCCCC=10V=10V，R Rsigsig=100=100。为了使。为了使E E极的输入电阻等于源电阻（即极的输入电阻等于源电阻（即100100），则），则I I必须为多少？从源到负载的电
8、压增益为多少？已知必须为多少？从源到负载的电压增益为多少？已知=100=100。习题5.15 对于图题对于图题5.135.13所示电路，求输入电阻所示电路，求输入电阻R Rinin和电压增益和电压增益v voo/v vsigsig。假。假设信号源提供小信号设信号源提供小信号v vsigsig且且=100=100。解：直流通路习题5.165.16考虑图题考虑图题5.145.14所示的射极跟随器，所示的射极跟随器，I I=1mA=1mA，=100=100，V VAA=100V100V，R RBB=100k100k，R Rsigsig=20k=20k，R RLL=1k1k。（1 1）求）求I IE
9、E、V VE E和和V VB B；（；（2 2）求）求R Ri i；（；（3 3）求电压增益）求电压增益v voo/v vsigsig和输出电阻和输出电阻R Ro o。习题5.15.17 7 对于图题对于图题5.155.15所示的晶体管级联放大器，计算每一级的直流偏所示的晶体管级联放大器，计算每一级的直流偏置电压置电压V VB B及每一级的集电极电流及每一级的集电极电流I IC C。=100=100。解：图中两级电路偏置一致，且为电容耦合，因此两级电路的静态工作点一样，求解一级即可。习题习题5.18 5.18 共射共射-共集组合电路如图题共集组合电路如图题5.165.16所示，设所示，设 11=22=100100。（1 1）确定两管的静态工作点；（）确定两管的静态工作点；（2 2）求）求A Av v、R Ri i和和R Ro o。（2）