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1、苏州阿特特斯阳光光电力科科技有限限公司年年产太阳阳能电池池片2000MWW建设项项目环境影响响报告书书简本一、项目目简况项目名称称：苏州州阿特斯斯阳光电电力科技技有限公公司年产产太阳能能电池片片2000MW建建设项目目建设单位位：苏州州阿特斯斯阳光电电力科技技有限公公司建设规模模：年产产太阳能能电池片片2000MW建设性质质：外商商独资扩扩建建设地点点：江苏苏省苏州州高新区区鹿山路路1999号厂区区二期厂厂房预留留车间内内（一楼楼）投资总额额99880万美元占地面积积：总占占地6666600m2（本项项目车间间50000m2），总绿化化面积1192005m2（不变变）二、现有有项目情情况1、现
2、有有建设项项目主体体工程及及产品方方案现有建设设项目主主体工程程及产品品方案序号工程名称称（车间间、生产产装置或或生产线线）产品名称称及规格格设计能力力年运行时时数1太阳能电电池片多多晶硅有有铬生产产线（6条线线）太阳能电电池片100MMW/aa480002太阳能电电池片单单晶硅无无铬生产产线（4条线线）太阳能电电池片100MMW/aa3太阳能电电池组件件组装线线（6条条线）太阳能电电池组件件100MMW/aa（6条线线）*现有一一期项目目申报并并通过审审批的1100MMW/aa太阳能能电池组组件组装装项目目目前尚未未建设、生生产，并并将取消消该项目目，今后后也不再再建设、生生产；2、现有有项
3、目公公用配套套工程现有项目目公用配配套工程程一览表表项目建设名称称设计能力力备注贮运工程程原料等由供应商商负责送送货汽车（88t/dd）产品由本单位位用专车车辆负责责送货汽车（55t/dd）公用工程给水、排排水、供供热、供供汽、供供气、供供电、绿绿化等输送最大大管径225cmm雨污分流流变压器最最大输送送5000KVAA由高新区区统一供供水12000万度/年由高新区区统一供供电绿化2336855平方米米厂房施工工时实施施环保工程程废气处理理酸碱雾洗洗涤塔4套（44个155米排气气筒）一期项目目已建设设实施（88个排气气筒）硅烷燃烧烧塔3套（33个155米排气气筒）活性炭吸吸附塔1套（11个15
4、5米排气气筒）酸碱废气气洗涤塔塔处理系系统1套套（1个个25米米排气筒筒）二期扩建建项目已已建设实实施（55个排气气筒）铬酸雾废废气洗涤涤+塔处处理系统统1套（11个255米排气气筒）有机废气气活性炭炭吸附系系统1套套（1个个20米米排气筒筒）硅烷燃烧烧塔1套套（1个个20米米排气筒筒）多孔碳酸酸钙+活活性炭吸吸附塔11套（11个255米排气气筒）制纯水设设施膜过滤纯纯水设施施（设计规规模1000t/h）一期项目目已建设设实施膜过滤制制纯水设设施（设计规规模2000t/h）二期扩建建项目已已建设实实施废水处理理酸碱废水水处理+混凝沉沉淀系统统（设计计规模1100tt/h）一期项目目已建设设实施
5、酸性废水水处理+混凝沉沉淀系统统（设计计规模2200tt/h）二期扩建建项目已已建设实实施含氢氟酸酸废水处处理设施施（设计规规模500t/hh）含铬酸废废水处理理设施（设计规规模500t/hh）废水（尾尾水）后后续处理理系统（设计规规模2000t/h）固废处理理零排放有资质单单位回收收处理不不产生二二次污染染危废临时时贮存场场所50一、二期期项目共共建实施施一般工业业固废贮贮存场所所50成品仓库库100一般原料料仓库100气罐区30危险品仓仓库100噪声隔音设施施、合理理布局、厂厂界绿化化隔音已实施辅助工程程办公建筑面积积11774m22已实施用餐地点点面积1000m22门卫室1个依托工程程苏
6、州新区区第二污污水处理理厂设计日处处理8万万吨/天天，一期期4万吨吨/天，运运营稳定定3、现有有（一期期）项目目生产工工艺流程程简述及及产污环环节（1）一一期项目目工艺流流程硅片腐蚀（制绒）、制纯水废水579.62清损耗6.262洗96.3自来水硅片甩干硅片扩散去硅玻璃硅片甩干加减反射膜硅片背面印刷银铝浆W3 清排水烘干硅片背面印刷铝浆烘干硅片正面印刷银浆烧结刻蚀太阳能电池片纯水、N2POCl3、N2、O2纯水、HF纯水、N2SiH4、NH3、N2银铝浆铝浆银浆CF4、O2G1 HCl、HF、H2、异丙醇W1含 HF、HCl废水；W2含NaOH废水S1 含碱、异丙醇废液W3 清排水W5 清排水
7、G2 Cl2、P2O5G4 HF、SiF4W4含 HF废水G5 NH3、SiH4S2 少量废铝浆G6 少量有机物S3 少量废铝浆G7 少量有机物S4 少量废银浆G8 有机物 G3 CF4、SiF4NaOH、异丙醇、HCl、HF、纯水委外加工单晶硅片（单晶电池片）现有项目目生产工工艺流程程图（一一期项目目）一期项目目主要工工序流程程简述：1.硅片片腐蚀(制绒)、清洗洗:P型单晶晶硅薄片片，经碱碱腐蚀清清洗烘干干，制绒绒主要是是使用碱碱性溶液液腐蚀硅硅表面形形成绒面面。清洗洗主要是是处理制制绒后的的硅片表表面，使使其净化化，用氢氢氟酸清清洗残留留的碱性性物质，接接着用盐盐酸去除除表面残残留的物物质
8、，最最后再用用纯水清清洗。此此过程有有废气产产生，废废气中含含有HCCl、HHF、HH2；此工工序还有有碱性废废水、酸酸性废水水产生，碱碱性废水水中主要要含有氢氢氧化钠钠，酸性性废水中中主要含含盐酸、氢氟酸酸；另外外在碱腐腐蚀过程程还会有有碱性废废液产生生，其中中含有较较高浓度度的异丙丙醇。碱腐蚀的的反应方方程式为为：2NNaOHH+Sii+H22O=NNaSiiO3+2HH22.硅片片扩散：硅片扩散散也称磷磷扩散，是是在氧气气存在的的条件下下，磷源源分解在在硅中扩扩散而形形成P-N结，PPOCll3为电子子级纯度度，在过过程中所所起作用用是为扩扩散提供供磷源，各各反应化化学式如如下：5POC
9、Cl3=3PPCl55+P2O52P2OO5+O2+6SSi=44P+66SiOO24PCll5+5OO2=2PP2O5+100Cl224POCCl3+3OO2=2PP2O5+6CCl2因而硅片片扩散工工序,有有废气产产生，该该废气成成分有PP2O5、Cll2等。3.刻蚀蚀：主要是去去除边缘缘的N型型硅，此此工序为为干法刻刻蚀，主主要是利利用四氟氟化碳和和硅以及及氧气的的反应来来去除边边缘硅，其其化学反反应式为为：CF4+Si+O2=SiiF4+COO2因而此工工序有未未反应完完全的四四氟化碳碳和反应应生成的的四氟化化硅气体体逸出。4.去硅硅玻璃（PPSG）：主要是用用氢氟酸酸腐蚀硅硅片表面面
10、的氧化化层，即即清除硅硅片表面面的SiiO2层，反反应生成成为微量量的SiiF4和HH2SiFF62-少量量的络合合物，其其一起进进入酸性性废水处处理。因因而此工工序会有有少量的的氢氟酸酸和四氟氟化硅挥挥发。5.加减减反射膜膜：利用硅烷烷、氨气气之间的的反应在在硅片表表面形成成一层加加减反射射膜，NN2不发生生反应，作作为保护护气体，此此工序会会有少量量的氨气气和硅烷烷挥发。6.丝网网印刷(即在硅硅片上印印刷铝浆浆、银浆浆、银铝铝浆)：使用浆料料印刷电电极，使使之形成成良好接接触,收收集电流流。主要要是使用用银浆，铝铝浆，银银铝浆，一一般由金金属粉末末和有机机溶剂以以及固体体树脂构构成，经经过
11、烧结结后有机机溶剂和和固体树树脂都被被挥发，剩剩余金属属与硅形形成合金金层。7烧结结烧结工序序主要是是将印刷刷好银浆浆、铝浆浆、银铝铝浆的电电极放入入烧结炉炉中，使使浆料中中的水分分、树脂脂及某些些有机物物挥发出出来。烧结自然然冷却后后即为成成品单晶晶硅太阳阳能电池池片。（2）二二期扩建建项目工工艺流程程（多晶电池片）G10有机物太阳能电池片G3 Cl2 G4P2O5委外加工多晶硅片G1铬酸雾、HFG2 HCl、HF、异丙醇W1含铬、HF废水W2 HF、HCl废水S1 含铬、异丙醇废液三氧化铬、HF、纯水异丙醇、HCl烧结S4 少量废银浆银浆G9少量有机物S3 少量废铝浆铝浆G8 少量有机物S
12、2 少量废铝银浆银铝浆G7 NH3、SiH4SiH4、NH3、N2W5 清排水纯水、N2G6 HF、SiF4W4含 HF废水纯水、HFG5 CF4、SiF4CF4、O2POCl3、N2、O2W3 清排水纯水、N2硅片正面印刷银浆烘干硅片背面印刷铝浆烘干硅片背面印刷银铝浆加减反射膜硅片甩干去硅玻璃硅片扩散刻蚀硅片甩干硅片腐蚀（制绒）清洗二期扩建建项目主主要工序序流程简简述1.硅片片腐蚀(制绒)、清洗洗：二期扩建建项目使使用原材材料为PP型多晶晶硅薄片片，使用用碱腐蚀蚀已无法法满足产产品质量量需求，因因此本扩扩建项目目使用铬铬酸腐蚀蚀硅表面面形成绒绒面（使使用浓度度约在11.255%）。清清洗主要
13、要是处理理制绒后后的硅片片表面，使使其净化化，用氢氢氟酸清清洗残留留的碱性性物质，接接着用盐盐酸去除除表面残残留的物物质，最最后再用用纯水清清洗。此此过程有有废气产产生，废废气中含含有铬酸酸雾、HHCl、HHF、HH2；此工工序还有有含铬废废水、含含氟废水水、酸性性废水产产生，同同时产生生一定的的废液，其其中含有有较高浓浓度的异异丙醇。2.硅片片扩散：硅片扩散散也称磷磷扩散，是是在氧气气存在的的条件下下，磷源源分解在在硅中扩扩散而形形成P-N结，PPOCll3为电子子级纯度度，在过过程中所所起作用用是为扩扩散提供供磷源，各各反应化化学式如如下：5POCCl3=3PPCl55+P2O52P2OO
14、5+O2+6SSi=44P+66SiOO24PCll5+5OO2=2PP2O5+100Cl224POCCl3+3OO2=2PP2O5+6CCl2因而硅片片扩散工工序,有有废气产产生，该该废气成成分有PP2O5、Cll2等。3.刻蚀蚀：主要是去去除边缘缘的N型型硅，此此工序为为干法刻刻蚀，主主要是利利用四氟氟化碳和和硅以及及氧气的的反应来来去除边边缘硅，其其化学反反应式为为：CF4+Si+O2=SiiF4+COO2因而此工工序有未未反应完完全的四四氟化碳碳和反应应生成的的四氟化化硅气体体逸出。4.去硅硅玻璃（PPSG）：主要是用用氢氟酸酸腐蚀硅硅片表面面的氧化化层，即即清除硅硅片表面面的SiiO
15、2层，反反应生成成为为微微量的SSiF44和HH2SiFF62-少量量的络合合物，其其一起进进入酸性性废水处处理。因因而此工工序会有有少量的的氢氟酸酸和四氟氟化硅挥挥发。5.加减减反射膜膜：利用硅烷烷、氨气气之间的的反应在在硅片表表面形成成一层加加减反射射膜，NN2不发生生反应，作作为保护护气体，此此工序会会有少量量的氨气气和硅烷烷挥发。6.丝网网印刷(即在硅硅片上印印刷铝浆浆、银浆浆、银铝铝浆)：使用浆料料印刷电电极，使使之形成成良好接接触,收收集电流流。主要要是使用用银浆，铝铝浆，银银铝浆，一一般由金金属粉末末和有机机溶剂以以及固体体树脂构构成，经经过烧结结后有机机溶剂和和固体树树脂都被被
16、挥发，剩剩余金属属与硅形形成合金金层。7烧结结烧结工序序主要是是将印刷刷好银浆浆、铝浆浆、银铝铝浆的电电极放入入烧结炉炉中，使使浆料中中的水分分、树脂脂及某些些有机物物挥发出出来。烧结自然然冷却后后即为成成品单晶晶硅太阳阳能电池池片。4、现有有项目污污染物排排放“三本帐帐”现有项目目污染物物“三本帐帐”一览表表（一期期+二期期）类别项目一期（已已建）二期（在在建）公司目前前排放总量量t/aa核准总量量t/aa排放总量量t/aa核准总量量t/aa排放总量量t/aa核准总量量t/aa废气铬酸雾000.01120.01120.01120.0112氟化物（FF）0.0664*0.40070.40070
17、.40070.4771*0.4771HCl0.3660.3660.3660.3660.7220.722异丙醇0.044*0.20.20.20.2004*0.2004Cl20.11150.111501155011550.2330.233P2O550.29930.29930.29930.29930.58860.5886NH30.71150.71150.57710.57711.4331.433SiH4400.000420.000420.000420.000420.00042TVOCC0.69910.69910.69910.69911.38821.3882废水废水量34.886万34.886万19.3
18、302778万19.3302778万54.1162778万54.1162778万COD36.55236.55226.552326.552363.004363.0043SS11.88411.88411.11511.11522.99922.999NH3-N0.5440.5440.8110.8111.3551.355TP0.10080.10080.16630.16630.2770.277氟化物1.2991.2990.49990.49991.78891.7889六价铬000.0330.0330.0330.033总铬000.0660.0660.0660.066固废危险固废废000000一般工业业固废00
19、0000生活垃圾圾000000*氟化物物、异丙丙醇由于于在一期期项目“三同时时”验收时时未检出出，因此此按照检检出限的的一半计计算其排排放量；5、现有有项目环环保验收收情况1、现有有苏州阿阿特斯阳阳光电力力科技有有限公司司年产太太阳能电电池片1100MMW、太太阳能电电池组建建1000MW新新建项目目（一期期项目）已已于20008年年通过苏苏州市环环保局环环保“三同时时”竣工验验收（见见苏环验验【20008】1184号号）。2、苏州州阿特斯斯阳光电电力科技技有限公公司年产产太阳能能电池片片1000MW二二期扩建建项目目目前正在在进行试试生产。根根据企业业介绍及及现场勘勘查情况况，目前前该项目目
20、各项环环保治理理措施已已全部到到位，现现已委托托进行验验收监测测。3、在该该试生产产期间，建建设单位位中水回回用水量量达到660t/h，已已满足环环评批复复（苏环环建【220088】4115号）要求的60%中水回用率。4、现有有一期项项目在后后续生产产过程中中将4条条无铬生生产线中中的1条条改变至至有铬生生产线，在在后续的的二期扩扩建过程程中已将将6条有有铬生产产线中的的1条改改变至无无铬生产产线，建建设单位位从而已已满足环环保主管管部门环环评批复复对建设设单位生生产线设设置要求求。6、现有有项目主主要存在在的环保保问题a. 未未按照江江苏省排排污口设设置及规规范整治治管理办办法（苏苏环控【1
21、19977】1222号）的的规定规规范排污污口标志志牌；b. 需需进一步步完善事事故应急急预案和和应急措措施；三、本项项目工程程分析1、本项项目主体体工程及及产品方方案建设项目目（技改改、扩建建项目）主主体工程程及产品品方案序号工程名称称（车间间、生产产装置或或生产线线）产品名称称及规格设计能力力年运行时时数扩建前扩建后增量1太阳能电电池片多多晶硅有有铬生产产线（6条线线）太阳能电电池片100MMW/aa（6条线线）260MMW/aa（100条线）160MMW/aa（4条线线）48000太阳能电电池片单单晶硅无无铬生产产线（4条线线）太阳能电电池片100MMW/aa（4条线线）100MMW/a
22、a（4条线线）0480002太阳能电电池片多多晶硅无无铬生产产线（4条线）太阳能电电池片040MWW/a（1条线线）40MWW/a（11条线） 480002、本项项目公用用配套工工程本项目公公用配套套工程一一览表项目建设名称称设计能力力备注贮运工程程原料等由供应商商负责送送货按实际情情况贮运运产品由本单位位用专车车辆负责责送货公用工程排水雨污分流流厂房建设设实施给水输送最大大管径225cmm由高新区区统一供供水供电变压器最最大输送送5000KVAA由高新区区统一供供电绿化不变厂房施工工时已实实施纯水设施施膜过滤（设计规规模2000t/h）依托二期期扩建项项目设施施含N废水水膜过滤滤纯水设设施1
23、套套（100t/d）新建，委委托专门门单位设设计施工工“三同时时”实施含P废水水膜过滤滤纯水设设施1套套(10tt/d)环保、辅辅助工程程废气处理理酸碱废气气洗涤塔塔处理系系统1套套新建，委委托专门门单位设设计施工工“三同时时”实施铬酸雾废废气洗涤涤塔处理理系统11套有机废气气活性炭炭吸附系系统1套套硅烷燃烧烧塔1套套含N废气气洗涤塔塔1套含P废气气洗涤塔塔1套废水处理理酸碱废水水处理+混凝沉沉淀系统统1套（设设计规模模2000t/hh）依托一、二期期扩建项项目设施施含氢氟酸酸废水处处理设施施1套（设计规规模500t/hh）含铬酸废废水处理理设施11套（设计规规模500t/hh）废水（尾尾水）
24、深深度处理理系统11套（设设计规模模2000t/hh）含磷废水水处理系系统（110t/d）新建，委委托专门门单位设设计施工工“三同时时”实施含氮废水水处理系系统（1100tt/d）噪声治理理噪音隔音音设施、合合理布局局、厂界界绿化隔隔音新建，“三同时时”实施固废处置置零排放由资质单单位回收收处理不不产生二二次污染染危废临时时贮存场场所50依托一、二二期项目目已建设设施一般工业业固废贮贮存场所所50成品仓库库100一般原料料仓库100气罐区30危险品仓仓库100办公建筑面积积11774m22用餐地点点面积1000m22门卫室1个废水事故故及消防防应急共共用池40000m31个依托工程程苏州新区区
25、第二污污水处理理厂设计日处处理8万万吨/天天，一期期4万吨吨/天，运运营稳定定3、本项项目生产产工艺流流程及简简述（1）含含铬多晶晶硅生产产工艺流流程W3清排水W4 含磷废水G6 CF4、SiF4 S3 含CF4废液G7 HF、SiF4W5 含HF废水太阳能电池片洗涤塔1纯含P废水2水回用循环量240纯水设备纯0.352水1321.564苏制纯水废水579.62州损耗6制纯水废水579.62.损耗6.26296.3G1铬酸雾G2 HClG3 HFW1含铬、HF、HCl废水S1 含盐酸、氢氟酸、铬酸废液三氧化铬、HF、HCl、纯水（多晶电池片）G11 有机物G4 Cl2 G5 P2O5委外加工多
26、晶硅片烧结S6 少量废银浆银浆G10 少量有机物S5 少量废铝浆铝浆G9 少量有机物S4 少量废铝银浆银铝浆G8 NH3、SiH4SiH4、NH3、N2W6 清排水纯水、N2HF、纯水CF4、O2POCl3、N2、O2W2 清排水纯水、N2硅片正面印刷银浆烘干硅片背面印刷铝浆烘干硅片背面印刷银铝浆加减反射膜硅片甩干去硅玻璃硅片扩散刻蚀硅片甩干硅片腐蚀（制绒）清洗本项目有有铬生产产工艺流流程图简述：由于本项项目有铬铬生产线线在工艺艺、设备备上基本本与现有有项目同同相，只只有在原原辅料上上不在使使用异丙丙醇（经经工艺探探索可不不用该异异丙醇，不不会影响响产品品品质），因因此本项项目有铬铬生产线线工
27、艺简简述可见见本报告告书现有有项目有有铬生产产线工艺艺简述。（2）无无铬多晶晶硅生产产工艺流流程G5 酸雾（NOx）、HF、硫酸雾、SiF4W6 含（N）、HF酸性废水W7 碱性废水G6 HFW7 酸性（HF）废水空气1、HNO3、HF、H2SO4、纯水2、KOH、纯水3、HF、纯水去硅玻璃S2 含磷废液W5 含磷废水纯水、HFW4 清排水G1 酸雾（NOx）、HFG2 HCl、HF W1含（N）、HF废水W2 碱性废水W3 含酸（HF、HCl）废水S1 含硝酸、氢氟酸、盐酸废液纯水空气1、HNO3、HF、纯水2、KOH、纯水3、HF、HCl、纯水（多晶电池片）G10有机物太阳能电池片G3 C
28、l2 G4 P2O5委外加工多晶硅片烧结S5 少量废银浆银浆G9少量有机物S4 少量废铝浆铝浆G8 少量有机物S3 少量废铝银浆银铝浆G7 NH3、SiH4SiH4、NH3、N2POCl3、N2、O2硅片正面印刷银浆烘干硅片背面印刷铝浆烘干硅片背面印刷银铝浆加减反射膜干燥硅片扩散干燥硅片腐蚀（制绒）清洗本项目无无铬生产产工艺流流程图简述：本工艺为为无铬多多晶硅工工艺，是是目前较较先进工工艺，无无重金属属污染问问题，具具体如下下：1.硅片片腐蚀(制绒)、清洗洗：本项目使使用原材材料为PP（硅片片类型）型型多晶硅硅薄片，使使用硝酸酸、氢氟氟酸、盐盐酸的混混合酸（按按一定比比例配比比）腐蚀蚀硅表面面
29、形成绒绒面。喷喷淋清洗洗处理制制绒后的的硅片表表面，使使其净化化；然后后再用氢氢氧化钾钾（浓度度65%）腐蚀蚀并喷淋淋清洗，接接着用氢氢氟酸、盐盐酸的混混合酸（按按一定比比例配比比）去除除表面残残留的物物质，最最后再用用纯水喷喷淋清洗洗。此过过程有废废气产生生，废气气中含有有氮氧化化物、硫硫酸雾、HCl、HF、H2；此工序还有含N废水、含氟废水、酸性废水产生，同时产生一定的废液。经以上清洗后进行空气干燥。2.硅片片扩散：硅片扩散散也称磷磷扩散，是是在氧气气存在的的条件下下，磷源源分解在在硅中扩扩散而形形成P-N结，PPOCll3为电子子级纯度度，在过过程中所所起作用用是为扩扩散提供供磷源，各各
30、反应化化学式如如下：5POCCl3=3PPCl55+P2O52P2OO5+O2+6SSi=44P+66SiOO24PCll5+5OO2=2PP2O5+100Cl224POCCl3+3OO2=2PP2O5+6CCl2因而硅片片扩散工工序,有有废气产产生，该该废气成成分有PP2O5、Cll2等。3.去硅硅玻璃：本工艺分分为三段段腐蚀，先先用硝酸酸、氢氟氟酸、硫硫酸的混混合酸（按按一定比比例配比比）腐蚀蚀硅片表表面的氧氧化层，再再用纯水水喷淋清清洗，再再用氢氧氧化钾（浓浓度455%）腐腐蚀后纯纯水喷淋淋清洗，最最后用氢氢氟酸、硫硫酸的混混合酸（按按一定比比例配比比）腐蚀蚀后纯水水喷淋清清洗，以以上工
31、序序为清除除硅片表表面的SSiO22层，反反应生成成为为微微量的SSiF44和HH2SiFF62-少量量的络合合物，以以上清洗洗废水分分别进入入含N废废水处理理设施处处理及酸酸碱废水水处理设设施处理理。因而而此工序序会有少少量的氮氮氧化物物、硫酸酸雾、HHCl、HHF和四四氟化硅硅挥发。5.加减减反射膜膜：利用硅烷烷、氨气气之间的的反应在在硅片表表面形成成一层加加减反射射膜，NN2不发生生反应，作作为保护护气体，此此工序会会有少量量的氨气气和硅烷烷挥发。6.丝网网印刷(即在硅硅片上印印刷铝浆浆、银浆浆、银铝铝浆)：使用浆料料印刷电电极，使使之形成成良好接接触,收收集电流流。主要要是使用用银浆，
32、铝铝浆，银银铝浆，一一般由金金属粉末末和有机机溶剂以以及固体体树脂构构成，经经过烧结结后有机机溶剂和和固体树树脂都被被挥发，剩剩余金属属与硅形形成合金金层。7烧结结烧结工序序主要是是将印刷刷好银浆浆、铝浆浆、银铝铝浆的电电极放入入烧结炉炉中，使使浆料中中的水分分、树脂脂及某些些有机物物挥发出出来。烧结自然然冷却后后即为成成品单晶晶硅太阳阳能电池池片。4、资源源及能源源消耗本项目原原辅材料料及能源源序号原辅料名名称年耗量1原料硅片（SSi）900tt（约772000万片）2辅料氮气(999.999%)690tt（约885万mm3）3硅烷(999.9999%)28000kg4氨气(999.9999
33、%)20400kg5CF4(99.9999%)6.0448t（约约37660m33）6氧气(999.999%)142.8566t(约约12.5万mm3）7三氯氧磷磷（99%）3.922t（约约23333m33）8银浆42000kg9铝浆540000kgg10银铝浆42000kg11盐酸（336%）134.5688t12氢氟酸（440%分分析纯）449.14888t13三氧化铬铬（999.5%）91.22t14硝酸（665%分分析纯）365.04tt15氢氧化钾钾（455%分析析纯）30.112t16硫酸（998%工工业级）2.522t17水处理药药剂聚合氯化化铝（工工业级、固固体）25吨18高
34、分子混混凝剂（工工业级、固固体）0.3吨吨19氢氧化钠钠(900%工业业级、固固体)16吨19CaCll2(700%工业业级)13吨20能源水26.337万21电12000万度5、主要要生产设设备、公公用及贮贮运设备备本项目主主要设备备表序号设备名称称规格（型型号）数量备注1生产设备备有铬线扩散前清清洗机/8台新增2扩散炉/4台3扩散后清清洗机/4台4PECVVD镀膜膜机SLPCC-711HR444台5等离子刻刻蚀机M42220016台6丝网印刷刷机J17662CLLD/CCUL4台7烧结炉PVD-60004台8甩干机/8台9无铬线扩散前清清洗机/1台10扩散炉/1台11扩散后清清洗机/1台1
35、2PECVVD镀膜膜机/1台13丝网印刷刷机/1台14烧结炉/1台15辅助设备备冷冻机/2台新增16空压机/6台17组合式空空调净化化系统0-200T4套18通风系统统（风机机）4套为备备用48套19水泵/10台20氮气、氧氧气储罐氧气200m31个依托21氮气200m31个22膜过滤制制纯水设设施设计能力力2000t/hh1套23含N废水水膜过滤滤纯水设设施100tt/d1套新增24含P废水水膜过滤滤纯水设设施10t/d1套26环保设备备酸性废水水处理+混凝沉沉淀系统统设计能力力2000t/hh1套依托27含氢氟酸酸废水处处理设施施设计能力力50tt/h1套28含铬酸废废水处理理设施设计能力
36、力50tt/h1套29废水（尾尾水）深深度处理理系统（中中水回用用）设计能力力2000t/hh1套30含N废水水处理系系统（回回用）100tt/d1套新建31含P废水水处理系系统（回回用）10t/d1套32含铬酸雾雾废气洗洗涤塔处处理系统统设计风量量700000mm3/h1套新建33酸性废气气洗涤塔塔处理系系统设计风量量700000mm3/h1套34含N废气气洗涤塔塔设计风量量700000mm3/h1套35含P废气气洗涤塔塔设计风量量700000mm3/h1套36有机废气气活性炭炭纤维吸吸附系统统风量4000000m3/h1套37硅烷燃烧烧风量64400mm3/h1套38噪音隔音音设施/4套6
37、、污染染源强及及污染物物排放量量分析（1）本本项目的的废气产产生情况况本项目废废气产生生情况一一览表废气类别别排气筒编编号主要污染染因子产生环节节防治措施施有组织排排放废气气工艺废气气G14铬酸雾有铬线腐腐蚀（制制绒）铬酸雾洗洗涤+高高空集中中25mm高排气气筒排放放G15氟化物、HHCl、CCl2、CF4、SiiF4、硫酸酸雾腐蚀（制制绒）、硅硅片扩散散、去硅硅玻璃洗涤塔+高空集集中255m高排气筒排排放G16P2O55硅片扩散散洗涤塔+高空集集中255m高排气筒排排放G17NOx无铬线腐腐蚀（制制绒）、去去硅玻璃璃洗涤塔+高空集集中255m高排气筒排排放G18SiH44、NHH3加减反射射
38、膜硅烷燃烧烧+高空空集中225m高排气气筒排放放G19挥发性有有机废气气（TVVOC）印刷、烘烘干活性炭纤纤维+高高空集中中25m高排气气筒排放放无组织排排放废气气-铬酸雾、氟氟化物、硫硫酸雾、HHCl、CCl2、P2O5、NHH3、SiiH4、TVOOC等未收集废废气及化化学品仓仓库无组织排排放本项目废废气产生生排放情情况一览览表废气类型型废气量m3/hh污染因子子产生浓度度（mg/m3）产生速率率（kg/h）处理方案案处理效率率排放浓度度（mg/m3）排放速率率（kg/h）工艺废气气G14700000铬酸雾0.1220.0008铬酸雾洗洗涤塔90%0.01120.00008工艺废气气G57
39、00000氟化物25.551.78857洗涤塔98.66%0.35570.0225HCl7.5990.5331380%3.1220.1006266硫酸雾0.40.022860%0.1660.01112Cl21.20.088440%0.7220.05504工艺废气气G16700000P2O552.46660.17726洗涤塔40%1.4880.1003566工艺废气气G17700000NOx12.77380.8992洗涤塔80%5.09950.17784工艺废气气G188400000NH378.6623.14448硅烷燃烧烧95%7.86620.1557244SiH440.922080.0336
40、895%0.04460.000184有机废气气G1964000TVOCC461.82.9555活性炭纤纤维90%46.1180.29955废气类型型废气量m3/hh污染因子子产生量（tt/a）处理方案案处理效率率排放量（tt/a）无组织排排放废气气（车间间+化学学品库）-铬酸雾0.00002-0.00002氟化物0.00060.0006HCl0.02260.0226硫酸雾0.000280.00028NOx0.000450.00045P2O550.000260.00026Cl20.01120.0112NH30.03390.0339SiH440.00004660.0000466TVOCC0.077
41、40.0774注：车间间有机废废气未收收集排放放量以55%计；化学品品原料仓仓库挥发发量按万万分之一一计；（2）本本项目的的废谁产产生情况况本项目废废水产生生情况一一览表(t/aa)编号名称产生量pHCODCCrmg/llSSmg/llNH3-Nmg/llTPmg/llFmg/ll六价铬mmg/llW1含铬废水水8009963-5100250/50W2含氟废水水12022453-550250/150/W3含N废水水1888823-510050500/100/W4含P废水水204663-510050/300/W5酸碱废水水10499872-14410070/W6生活污水水1200006-9400200204/W7工艺甩干干水、制制纯水废废水（清清下水）32633646-94030/废水总排排口排放放指标表表(t/a)编号名称排放量pHCODCCrmg