电子元器件综合知识大全..docx

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1、第一章电子元器件第一节、电阻器1.1 电阻器的含义:在电路中对电流有阻碍作用并且造成能量消耗的局部叫电阻.1.2 电阻器的英文缩写：R （Resistor）及阻RN1.3 电阻器在电路符号：R 1|或TWW 1.4 电阻器的常见单位:千欧姆（KQ）,兆欧姆（MQ）1.5 电阻器的单位换算：1兆欧二1。3千欧=106欧1.6 电阻器的特性：电阻为线性原件，即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比，通过这段导体的电流强度与这段导体的电阻成反比。即欧姆定律：U/Ro表 1.7电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。1.8 电阻器在电路中用“R”加数字表示，如：R15表示

2、编号为15的电阻器。1.9 电阻器的在电路中的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。a、直标法是将电阻器的标称值用数字和文字符号直接标在电阻体上，其允许偏差那么用百分数表示，未标偏差值的即为20%.b、数码标示法主要用于贴片等小体积的电路，在三为数码中，从左至右第一，二位数表示 有效数字，第三位表示10的倍幕或者用R表示（R表示0.）如：472表示47X102。（即4.7K Q ）； 104 那么表示 1001一、;1 1402=14000 Q=14K Q R22R.22Q、500324*100=32. 4KQ、17R8=17. 8Q 000=0Q、 0=0 Q.c、色环标注法使用最多

3、，普通的色环电阻器用4环表示，精密电阻器用5环表示，紧靠电 阻体一端头的色环为第一环，露着电阻体本色较多的另一端头为末环,现举例如下：如果色环电阻器用四环表示，前面两位数字是有效数字，第三位是10的倍基，第四环是色环电阻器的误差范围（见图一）四色环电阻器（普通电阻）标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字一 标称值有效数字后0的个数（1。的倍累）I允许误差颜 色第一位有效值第二位有效值倍率允许偏差里 八、0010棕111011%红221022%橙33103反向电阻为零，说明二极管以击穿，内部断开或击穿的二极管均不能使 用。第五节半导体三极管5.1 半导体三极管英文缩写：Q/T5.2 半导体三极

4、管在电路中常用加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。5.3 半导体三极管特点：半导体三极管（简称晶体管）是内部含有2个PN结，并且具有放 大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相 弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。按材料来分可分岁曝萱弋国目前生产的硅管多为NPN型，错管多为PNP型。 E （发射极）/ X C （集电极）EX发零LC （集电极）/ IB （基极）B （基极）NPN型三极管PNP型三极管5.4 半导体三极管放大的条件:要实现放大作用，必须给三极管加合适的电压，即管子 发射结必须具备正向偏压，而集电极

5、必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条 件。5. 5半导体三极管的主要参数a;电流放大系数：对于三极管的电流分配规律Ie=Ib+Ic,由于基极电流lb的变化，使 集电极电流Ic发生更大的变化，即基极电流lb的微小变化控制了集电极电流较大，这就是三 极管的电流放大原理。即P = AIc/AIbob；极间反向电流，集电极与基极的反向饱和电流。c;极限参数：反向击穿电压，集电极最大允许电流、集电极最大允许功率损耗。5.6 半导体三极管具有三种工作状态，放大、饱和、截止，在模拟电路中一般使用放大作 用。饱和和截止状态一般合用在数字电路中。a;半导体二极管的二种基本的放大电路。共射极放大电路共

6、集电极放大电路共基极放大电路电路形式RL直流通道Ucc时 态 工 作 占 八、，C =B /BUCE = Ucc _ IeRejU cc/r =凡+(1 + 041C = 01BU CEUB =生一Ucc即 + Rb2/4一071 c = 1E =比UcE=u“a)父 流 通 道微 变 等 效 电 路RlYbeR/Sbe +( 1 + 仍Rl)(有Re/rbe+ Rs1+2，Rs=RbRsRc多级放大电路的中间级 输入、输出级或缓冲级高频电路或恒流源电路b;三极管三种放大电路的区别及判断可以从放大电路中通过交流信号的传输路径来判断，没有交流信号通过的极，就叫此极为公共极。 注：交流信号从基极输

7、入，集电极输出，那发射极就叫公共极。交流信号从基极输入，发射极输出，那集电极就叫公共极。交流信号从发射极输入，集电极输出，那基极就叫公共极。5.7 用万用表判断半导体三极管的极性和类型（用指针式万用表）.a；先选量程：R* 100或R* 1K档位.b;判别半导体三极管基极：用万用表黑表笔固定三极管的某一个电极，红表笔分别接半导体三极管另外两各电极， 观察指针偏转，假设两次的测量阻值都大或是都小，那么改脚所接就是基极（两次阻值都小的 为NPN型管，两次阻值都大的为PNP型管），假设两次测量阻值一大一小，那么用黑笔重新固定 半导体三极管一个引脚极继续测量，直到找到基极。c；.判别半导体三极管的c极

8、和e极：确定基极后，对于NPN管，用万用表两表笔接三极管另外两极，交替测量两次，假设两次 测量的结果不相等，那么其中测得阻值较小得一次黑笔接的是e极，红笔接得是c极（假设是 PNP型管那么黑红表笔所接得电极相反）。d;判别半导体三极管的类型.如果某个半导体三极管的基极,可以用红表笔接基极,黑表笔分别测量其另外两个电 极引脚,如果测得的电阻值很大,那么该三极管是NPN型半导体三极管,如果测量的电阻值都很小, 那么该三极管是PNP型半导体三极管.5.8 现在常见的三极管大局部是塑封的，如何准确判断三极管的三只引脚哪个是b、c、e? 三极管的b极很容易测出来，但怎么断定哪个是c哪个是e?a;这里推荐

9、三种方法：第一种方法：对于有测三极管hFE插孔的指针表，先测出b极后， 将三极管随意插到插孔中去（当然b极是可以插准确的），测一下hFE值，b;然后再将管子倒过来再测一遍，测得hFE值比拟大的一次，各管脚插入的位置是正确的。 第二种方法：对无hFE测量插孔的表，或管子太大不方便插入插孔的，可以用这种方法：对NPN 管，先测出b极（管子是NPN还是PNP以及其b脚都很容易测出，是吧？）,将表置于RXlkQ 档，将红表笔接假设的e极（注意拿红表笔的手不要碰到表笔尖或管脚），黑表笔接假设的c极， 同时用手指捏住表笔尖及这个管脚，将管子拿起来，用你的舌尖舔一下b极，看表头指针应有 一定的偏转，如果你各

10、表笔接得正确，指针偏转会大些，如果接得不对，指针偏转会小些，差 别是很明显的。由此就可判定管子的c、e极。对PNP管，要将黑表笔接假设的e极（手不要碰 到笔尖或管脚），红表笔接假设的C极，同时用手指捏住表笔尖及这个管脚，然后用舌尖舔一下 b极，如果各表笔接得正确，表头指针会偏转得比拟大。当然测量时表笔要交换一下测两次， 比拟读数后才能最后判定。这个方法适用于所有外形的三极管，方便实用。根据表针的偏转幅 度，还可以估计出管子的放大能力，当然这是凭经验的。c;第三种方法：先判定管子的NPN或PNP类型及其b极后，将表置于RX 10k Q档，对NPN管, 黑表笔接e极，红表笔接c极时，表针可能会有一

11、定偏转，对PNP管，黑表笔接c极，红表笔 接e极时，表针可能会有一定的偏转，反过来都不会有偏转。由此也可以判定三极管的c、e极。 不过对于高耐压的管子，这个方法就不适用了。对于常见的进口型号的大功率塑封管，其c极基本都是在中间（我还没见过b在中间的）。 中、小功率管有的b极可能在中间。比方常用的9014三极管及其系列的其它型号三极管、 2SC1815、2N5401、2N5551等三极管，其b极有的在就中间。当然它们也有c极在中间的。所 以在维修更换三极管时，尤其是这些小功率三 极管，不可拿来就按原样直接安上，一定要先测一下.5.9 半导体三极管的分类：a;按频率分：高频管和低频管b;按功率分：

12、小功率管，中功率管和的功率管c;按机构分:PNP管和NPN管d;按材质分：硅管和错管e;按功能分：开关管和放大5.10 半导体三极管特性：三极管具有放大功能（三极管是电流控制型器件一通过基极电 流或是发射极电流去控制集电极电流；又由于其多子和少子都可导电称为双极型元件）NPN型三极管共发射极的特性曲线。输出特性曲线三极管各区的工作条件：1 .放大区：发射结正偏，集电结反偏：2 .饱和区：发射结正偏，集电结正偏；3 .截止区：发射结反偏，集电结反偏。4 .11半导体三极管的好坏检测a;先选量程：R* 100或R* 1K档位b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值：红表笔接基极,黑

13、表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,假设将黑表笔接集电 极（红表笔不动），所测得阻值便是集电极的正向电阻值，正向电阻值愈小愈好.c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值：将黑表笔接基极,红表笔分别接发射极与集电极,所测得阻值分别为发射极和集电极的 反向电阻,反向电阻愈小愈好.d;测量NPN型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的方法和测量PNP型半导体三 极管的方法相反.第六节场效应管（MOS管）6. 1 场效应管央文缩写：FET（Field-effect transistor）6.2 场效应管分类：结型场效应管和绝缘栅型场效应管6.3 场效应管电路符号：D）-I结

14、型场效应管SSN沟道P沟道6. 4场效应管的三个引脚分别表示为:G （栅极）,D （漏极）,S （源极）增强型SN沟道P沟道G二 G1 -s|is耗尽型N沟道 P沟道绝缘栅型场效应管注：场效应管属于电压控制型元件，又利用多子导电故称单极型元件，且具有输入电阻高, 噪声小，功耗低，无二次击穿现象等优点。6.5场效应晶体管的优点：具有较高输入电阻高、输入电流低于零，几乎不要向信号源吸取电流，在在基极注入电流的大小，直接影响集电极电流的大小，利用输出电流控制输出 电源的半导体。6. 6场效应管与晶体管的比拟（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流 的情况下，应

15、选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选 用晶体管。（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流 子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把 很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管6.7场效应管好坏与极性判别:将万用表的量程选择在RX1K档，用黑表笔接D极,红表笔接S 极,用手同时触及一下G, D极,场效应管应呈瞬时导通状态，即表针摆向阻值较小的位置,再用手 触及一

16、下G, S极，场效应管应无反响，即表针回零位置不动.此时应可判断出场效应管为好管.将万用表的量程选择在RX1K档,分别测量场效应管三个管脚之间的电阻阻值,假设某脚 与其他两脚之间的电阻值均为无穷大时，并且再交换表笔后仍为无穷大时，那么此脚为G极，其它 两脚为S极和D极.然后再用万用表测量S极和D极之间的电阻值一次,交换表笔后再测量一次, 其中阻值较小的一次,黑表笔接的是S极,红表笔接的是D极.第七节集成电路7. 1集成电路的英文缩写IC（integrate circuit）7.2电路中的表示符号：U7 . 3集成电路的优点是:集成电路是在一块单晶硅上,用光刻法制作出很多三极管,二极管，电 阻和

17、电容,并按照特定的要求把他们连接起来,构成一个完整的电路.由于集成电路具有体积小, 重量轻,可靠性高和性能稳定等优点,所以特别是大规模和超大规模的集成电路的出现，是电子 设备在微型化,可靠性和灵活性方面向前推进了一大步.8 .4集成电路常见的封装形式BGA（ball grid array）球栅阵列（封装）见图二QFP （quad flat package）四面有鸥翼型脚（封装）见图一SOIC （small outline integrated circuit）两面有鸥翼型脚（封装）见图五PLCC（plastic leaded chip carrier）四边有内勾型脚（封装）见图三SOJ（sma

18、ll outline junction）两边有内勾型脚（封装）见图四图一图二图三图五图四7. 5集成电路的脚位判别；1 .对于BGA封装（用坐标表示）：在打点或是有颜色标示处逆时针开始数用英文字 母表示一A,B,C,D,E（其中L0基本不用）,顺时针用数字表示一 1, 2, 3, 4,5, 6其中字母位横坐标，数字为纵坐标 如：A1,A22 .对于其他的封装：在打点，有凹槽或是有颜色标示处逆时针开始数为第一脚，第 二脚，第三脚7.6集成电路常用的检测方法有在线测量法、非在线测量法和代换法。1 .非在线测量 非在线测量潮在集成电路未焊入电路时，通过测量其各引脚之间的直流 电阻值与正常同型号集成电

19、路各引脚之间的直流电阻值进行比照，以确定其是否正常。 2.在线测量 在线测量法是利用电压测量法、电阻测量法及电流测量法等，通过在电路上 测量集成电路的各引脚电压值、电阻值和电流值是否正常，来判断该集成电路是否损坏。3.代换法代换法是用完好的同型号、同规格集成电路来代换被测集成电路，可以判 断出该集成电路是否损坏。黄44104绿551050.5%蓝661060.25%紫771070.1%灰88108白99109-20% +50%金10-15%银10-2 10%无色20%图1-1两位有效数字阻值的色环表示法如果色环电阻器用五环表示，前面三位数字是有效数字，第四位是10的倍幕.第五环 是色环电阻器的

20、误差范围.（见图二）五色环电阻器（精密电阻）一标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字标称值第三位有效数字厂标称值有效数字后0的个数（10的倍累）L 允许误差颜色第一位有效值第二位有效 值第三位有 效值倍率允许偏差里 八、00010棕111101 1%红2221022%橙333103黄444104绿5551050.5%蓝6661060.25紫7771070.1%灰888108白999109-20%+50%金10-15%银10-210%图1-2三位有效数字阻值的色环表示法d、SMT精密电阻的表示法，通常也是用3位标示。一般是2位数字和1位字母表示, 两个数字是有效数字，字母表示10的倍累，但是要

21、根据实际情况到精密电阻查询表里出查找,下 面是精密电阻的查询表：代码阻值代码阻值代 码阻值代码阻值代码阻值第八节 SocketSlot8.1 Socket和Slot的异同：Socket是一种插座封装形式，是一种矩型的插座（见图六）;Slot 是一种插槽封装形式，是一种长方形的插槽（图七）.图六图七第九节PCB的简介9.1 PCB 的英文缩写 PCB（Printed Circuit Board）9.2 PCB的作用:PCB作为一块基板，他是装载其它电子元器件的 载体，所以一块PCB设计的好坏将直接影响到产品质量的好坏.9.3 PCB的分类和常见的规格:根据层数可分为单面板，双面板和 多层板.我们

22、主机板常用的是4层板或者6层板，而显示卡用的是8层 板.而主机板的尺寸为:AT规格的主机板尺寸一般为13X12（单位为英 寸）;ATX主机板的尺寸一般为12X96（单位为英寸）;Micro Atx主机板 尺寸一般为9.6X9.6（单位为英寸）.注明:1英寸=2.54CM第十节晶振10. 1晶振在线路中的符号是X， Y10. 2晶振的名词解释:能产生具有一定幅度及频率波形的振荡器.10. 3晶振在线路图中的表示符号:一 口 一10. 4晶振的测量方法：测量电阻方法:用万用表RX10K档测量石英晶体振荡器的正，反 向电阻值.正常时应为无穷大.假设测得石英晶体振荡器有一定的阻值 或为零,那么说明该石

23、英晶体振荡器已漏电或击穿损坏.动态测量方法:用是波器在电路工作时测量它的实际振荡频是否符 合该晶体的额定振荡频率，如果是,说明该晶振是正常的，如果该晶 体的额定振荡频率偏低,偏高或根本不起振,说明该晶振已漏电或击 穿损坏第十一节基本逻辑门电路1.1. 电路的概念：实现基本和常用逻辑运算的电子电路，叫逻辑门电路。实现与运算的叫与门，实现或运 算的叫或门，实现非运算的叫非门，也叫做反相器，等等（用逻辑I表示高电平；用逻辑0表 示低电平）1.2. 门：逻辑表达式F=A B(a)(b)(c)即只有当输入端A和B均为1时，输出端Y才为1,不然Y为0.与门的常用芯片型号 有：74LS08, 74LS09

24、等.1.3. 门：逻辑表达式F=A+ BVDvd2B囹FA31F B(b)(c)即当输入端A和B有一个为1时,输出端Y即为1,所以输入端A和B均为0时,Y才会为0.或门的常用芯片型号有：74LS32等. _1.4. 非门逻辑表达式之屋即输出端总是与输入端相反.非门的常用芯片型号有:74LS04, 74LS05, 74LS06, 74LS14等.1.5. 与非门 逻辑表达式F=ABA &0-FB 即只有当所有输入端A和B均为1时,输出端Y才为0,不然Y为1 .与非门的常用芯片型号 有:74LS00,74LS03,74S31,74LS132 等.1.6. 或非门：逻辑表达式F=A+B即只要输入端A

25、和B中有一个为1时,输出端Y即为0,所以输入端A和B均为0时,丫才会为 1 ,或非门常见的芯片型号有：74LS02等.1.7. 同或门：逻辑表达式F二A再A下AB1L8.异或门：逻辑表达式正A B+A-BIL 9.与或非门：逻辑表逻辑表达式F=AB+CD11. 10. RS触发器：电路结构把两个与非门Gl、G2的输入、输出端交叉连接，即可构成基本R1!虫发器，其逻辑电路如图7.2.L(a)所示。它有两个输入端R、S和两个输出端Q、Q。(b)逻辑符号(a)逻辑电路图7.21两与非门组成的基本RS触发器 工作原理：基本rs触发器的逻辑方程为：Q=RQ 根据上述两个式子得到它的四种输入与输出的关系:

26、1.当R=l、S=0时,那么Q=0,Q=l,触发器置1。2.当R=0、S=1时,那么Q=l, Q=0,触发器置Q如上所述，当触发器的两个输入端加入不同逻辑电平时，它的两个输出端Q和Q有两种互补的 稳定状态。一般规定触发器Q端的状态作为触发器的状态。通常称触发器处于某种状态，实际 是指它的Q端的状态。Q=l、Q=0时、称触发器处于1态，反之触发器处于0态。S=O,R=1使触 发器置L或称置位。因置位的决定条件是S=0,故称S端为置1端。R=0, S=1时，使触发器置 0,或称复位。同理，称R端为置0端或复位端。假设触发器原来为1态，欲使之变为0态，必须令R端的电平 由1变0, S端的电平由0变1

27、。这里所加的输入信号（低电平）称为触发信号，由它们导致的 转换过程称为翻转。由于这里的触发信号是电平，因此这种触发器称为电平控制触发器。从功能 方面看，它只能在S和R的作用下置0和置1,所以又称为置0置1触发器，或称为置位复位 触发器。其逻辑符号如图7.2.1（b）所示。由于置0或置1都是触发信号低电平有效，因此，S 端和R端都iffll有小圆圈。3 .当R二S口时，触发器状态保持不变。触发器保持状态时，输入端都加非有效电平（高电平），需要触发翻转时，要求在某一输入端 加一负脉冲，例如在S端加负脉冲使触发器置1,该脉冲信号回到高电平后，触发器仍维持1 状态不变，相当于把S端某一时刻的电平信号存

28、储起来，这表达了触发器具有记忆功能。4 .当R=S=0时，触发器状态不确定在此条件下，两个与非门的输出端Q和Q全为1,在两个输入信号都同时撤去（回到1）后，由 于两个与非门的延迟时间无法确定，触发器的状态不能确定是1还是0,因此称这种情况为不定 状态，这种情况应当防止。从另外一个角度来说，正因为R端和S端完成置0、置1都是低电 平有效，所以二者不能同时为0。此外,还可以用或非门的输入、输出端交叉连接构成置0、置1触发器,其逻辑图和逻辑符号分 别如图7.2.2 （a）和7.2.2 （b）所示。这种触发器的触发信号是高电平有效，因此在逻辑符号 的S端和R端没有小圆圈。图7.22两或非门组成的基本R

29、S触发器5 .特征方程表基本RS触发器状态转移真值表表简化真值表KS001010111Q00不定基本RS触发器的特性：L基本RS触发器具有置位、复位和保持（记忆）的功能；2 .基本RS触发器的触发信号是低电平有效，属于电平触发方式；3 .基本RS触发器存在约束条件（R+S=l）,由于两个与非门的延迟时间无法确定；当R=S二0时, 将导致下一状态的不确定。4 .当输入信号发生变化时，输出即刻就会发生相应的变化，即抗干扰性能较差。第十二节TTL逻辑门电路以双极型半导体管为基本元件，集成在一块硅片上，并具有一定的逻辑功能的电路称为双极 型逻辑集成电路，简称TTL逻辑门电路。称Transistor-T

30、ransistor Logic,即BJT-BJT逻辑门电路， 是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路，应用较早，技术已比拟成熟。TTL主要有BJT(Bipolar Junction Transistor即双极结型晶体管，晶体三极管)和电阻构成，具有速度快的特点。最早的 TTL门电路是74系列，后来出现了 74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALs等系列。但是由 于TTL功耗大等缺点，正逐渐被CMOS电路取代。12. 1 CMOS逻辑门电路CMOS逻辑门电路是在TTL电路问世之后，所开发出的第二种广泛应用的数字集 成器件，从开展趋势来看，由于制造工艺的改进，CMOS电路的性能有可能超越

31、TTL 而成为占主导地位的逻辑器件。CMOS电路的工作速度可与TTL相比拟，而它的功耗 和抗干扰能力那么远优于TTL。止匕外，几乎所有的超大规模存储器件，以及PLD器件都 采用CMOS艺制造，且费用较低。早期生产的CMOS门电路为4000系列，随后开展为4000B系列。当前与TTL 兼容的CMO器件如74HCT系列等可与TTL器件交换使用。下面首先讨论CMOS反 相器，然后介绍其他CMO逻辑门电路。(a)结构示意图(h)电用符号MOS管结构图MOS管主要参数:1 ,开启电压VT 开启电压(又称阈值电压)：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道 所需的栅极电压； 标准的N沟道MOS管，Vt约为3

32、6V； 通过工艺上的改进，可以使MOS管的Vt值降到23V。2 .直流输入电阻Rgs即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比这一特性有时以流过栅极的栅流表示MOS管的Rgs可以很容易地超过1010。3 .漏源击穿电压BVds在Vgs=O （增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使Id开始剧增时 的Vds称为漏源击穿电压BVdsId剧增的原因有以下两个方面：（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿（2）漏源极间的穿通击穿有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加Vds会使漏区的耗尽层一直 扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后,源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的Id

33、4,栅源击穿电压BVgs在增加栅源电压过程中，使栅极电流Ig由零开始剧增时的Vgs，称为栅源 击穿电压BVgso5 .低频跨导gm 在Vds为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的 栅源电压微变量之比称为跨导 gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力 是表征MOS管放大能力的一个重要参数 一般在十分之儿至儿mA/V的范围内6 .导通电阻Ron 导通电阻Ron说明了 Vds对Id的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的 倒数 在饱和区，Id几乎不随Vds改变，Ron的数值很大，一般在几十千欧到几 百千欧之间 由于在数字电路中，MOS管导通时经常工作在Vds=0的状态下，所以这 时的导通

34、电阻Ron可用原点的Ron来近似 对一般的MOS管而言，Ron的数值在几百欧以内7 .极间电容三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容Cgs、栅漏电容Cgd和漏源电 容CDS,Cgs和Cgd约为13pFCds约在0.11pF之间8 .低频噪声系数NF 噪声是由管子内部载流子运动的不规那么性所引起的 由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输 出端 也出现不规那么的电压或电流变化 噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB） 这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小 低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数 场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小code

35、resiscanecoderesiscanc ecod eresiscan cecoderesiscanc ecoderesiscanc e1100211624126161422816812102221654226762432826983105231694327463442837154107241744428064453847325110251784528765464857506113261824629466475867687115271874730167487877878118281914830968499888069121290. 19649316695118982510124302005

36、032470523908451112731320551332715369186612130322105234072549928871313333215533487356293909141373422154357745769493115140352265536575590949811614336232563747660495953171473723757383/388776199697618150382435839278634969761915439249594027964920153402556041280665symbolABcDI-1?GIIXYzmultipliers1010110210

37、310l105106107IO-110 210 31. 10 SMT电阻的尺寸表示：用长和宽表示（如0201, 0603, 0805, 1206等，具体如02表示长为0. 02英寸宽为0. 01英寸）。1.11 一般情况下电阻在电路中有两种接法：串联接法和并联接法R=R1+R2并联:R=1/R1+1/R21.12 多个电阻的串并联的计算方法:串联：R 总串=R1+R2+R3+Rn.并联：1/R 总并= 1/R+2/R+3/R1/Rn1.13 电阻器好坏的检测:第十三节单元电路13. 1 CMOS反相器由本书模拟局部，MOSFET有P沟道和N沟道两种，每种中又有耗 尽型和增强型两类。由N沟道和P

38、沟道两种MOSFET组成的电路称为互补MOS 或CMOS电路。以下图表示CMOS反相器电路，由两只增强型MOSFET组成，其中一个为 N沟道结构，另一个为P沟道结构。为了电路能正常工作，要求电源电压Vdd 大于两个管子的开启电压的绝对值之和，即 Vdd(Vtn+|Vtp|) oLi、沟道简化电路电路1 .工作原理首先考虑两种极限情况：当VI处于逻辑0时，相应的电压近似为0V；而 当VI处于逻辑1时，相应的电压近似为Vdd。假设在两种情况下N沟道管TN 为工作管P沟道管Tp为负载管。但是，由于电路是互补对称的，这种假设可以 是任意的，相反的情况亦将导致相同的结果。以下图分析了当Vi=Vdd时的工

39、作情况。在TN的输出特性iDVds(Vgsn = Vdd) (注意Vdsn=v)上，叠加一条负载线，它是负载管Tp在Vsgp=0V时的输出特 性ipvsd。由于vsgpVt (Vtn=|Vtp|=Vt),负载曲线几乎是一条与横轴重合 的水平线。两条曲线的交点即工作点。显然，这时的输出电压vol=0V (典型值 (Vtn + |Vtp|),因此,当 Vdd-|Vtp|vIVtn 时,Tn和 Tp两管 同时导通。考虑到电路是互补对称的，一器件可将另一器件视为它的漏极负载。 还应注意到，器件在放大区(饱和区)呈现恒流特性，两器件之一可当作高阻 值的负载。因此，在过渡区域，传输特性变化比拟急剧。两管在

40、V尸Vdd/2处转 换状态。vo/VUqh a V ddIO8642Tn截止Tn在饱和区Tp在可变电阻区Tn和Tp均在饱和区). T p在饱和区： K Tn在可变电阻区 IJXLipYTp 截止.246810 vz/V3 .工作速度vx = 0 VCMOS反相器在电容负载情况下，它的开通时间与关闭时间是相等的，这 是因为电路具有互补对称的性质。以下图表示当Vi=0V时,Tn截止，Tp导通， 由Vdd通过Tp向负载电容Cl充电的情况。由于CMOS反相器中，两管的gm 值均设计得较大，其导通电阻较小，充电回路的时间常数较小。类似地，亦可 分析电容Cl的放电过程。CMOS反相器的平均传输延迟时间约为

41、10nso4 3.2CMOS逻辑门电路1 .与非门电路以下图是2输入端CMOS与非门电路，其中包括两个串联的N沟道增强型 MOS管和两个并联的P沟道增强型MOS管。每个输入端连到一个N沟道和一 个P沟道MOS管的栅极。当输入端A、B中只要有一个为低电平时，就会使与 它相连的NMOS管截止，与它相连的PMOS管导通，输出为高电平；仅当A、 B全为高电平时，才会使两个串联的NMOS管都导通，使两个并联的PMOS 管都截止，输出为低电平。I L Tni因此，这种电路具有与非的逻辑功能，即乙=/8n个输入端的与非门必须有n个NMOS管串联和n个PMOS管并联。2 .或非门电路以下图是2输入端CMOS或

42、非门电路。其中包括两个并联的N沟道增强型 MOS管和两个串联的P沟道增强型MOS管。VpD当输入端A、B中只要有一个为高电平时，就会使与它相连的NMOS管导 通，与它相连的PMOS管截止，输出为低电平；仅当A、B全为低电平时，两 个并联NMOS管都截止，两个串联的PMOS管都导通，输出为高电平。因此，这种电路具有或非的逻辑功能，其逻辑表达式为工=不钺显然，n个输入端的或非门必须有n个NMOS管并联和n个PMOS管并联。比拟CMOS与非门和或非门可知，与非门的工作管是彼此串联的，其输出 电压随管子个数的增加而增加；或非门那么相反，工作管彼此并联，对输出电压 不致有明显的影响。因而或非门用得较多。13. 3,异或门电路IM上图为CMOS异或门电路。它由一级或非门和一级与或非门组成。或非门的输出X = / + B。而与或非门的输出L即为输入A、B的异或L = A-B+X=4 B + A+B=A- B + A a B=月B如在异或门的后面增加一级反相器就构成异或非门，由于具有=力吆 + H,E的功能,因而称为同或门。异成门和同或门的逻辑符号如以下图所示。同或门异或门13. 4 BiCMOS 门电路双极型CMOS或BiCMOS的特点在于，利用了双极型器