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1、微细加工与微细加工与MEMSMEMS技术张庆中技术张庆中1414外延外延 大多数的外延工艺都可利用各种大多数的外延工艺都可利用各种 CVD 技术来实现，例如技术来实现，例如 LPCVD、PECVD、快速热处理、快速热处理 CVD（RTCVD）、金属有机）、金属有机物物 CVD（MOCVD）、超高真空）、超高真空 CVD（UHVCVD），以及激），以及激光、可见光、光、可见光、X 射线辅助射线辅助 CVD 等等。有些外延工艺则可以利用。有些外延工艺则可以利用蒸发技术来实现蒸发技术来实现，例如分子束外延（，例如分子束外延（MBE）、离子束外延和）、离子束外延和离化团束外延等。离化团束外延等。对外延
2、膜质量的评价指标有：对外延膜质量的评价指标有：膜的厚度、组分、掺杂浓度膜的厚度、组分、掺杂浓度膜的厚度、组分、掺杂浓度膜的厚度、组分、掺杂浓度及其均匀性、缺陷密度等及其均匀性、缺陷密度等及其均匀性、缺陷密度等及其均匀性、缺陷密度等。可以利用可以利用 SiH4 热分解法来进行硅的气相外延。但这种方法热分解法来进行硅的气相外延。但这种方法虽然温度较低虽然温度较低，却因，却因 SiH4 会在气相中成核而产生较多的颗粒会在气相中成核而产生较多的颗粒 ，除非使用超高真空，否则外延层的质量很差。除非使用超高真空，否则外延层的质量很差。硅的气相外延多利用硅氯化物硅的气相外延多利用硅氯化物 SiHxCl4-x
3、(x=0、1、2、3)与与 H2 的反应来淀积单晶硅的反应来淀积单晶硅。反应气体分子中氯原子数越少。反应气体分子中氯原子数越少，所需的化学反应激活能就越小，反应温度就越低。最早使用的所需的化学反应激活能就越小，反应温度就越低。最早使用的是是 SiCl4，激活能为，激活能为 1.6 1.7 eV，反应温度在，反应温度在 1150oC 以上。现在以上。现在普遍使用的是普遍使用的是 SiH2Cl2，激活能为，激活能为 0.3 0.6 eV。二、生长速率与反应剂浓度的关系二、生长速率与反应剂浓度的关系二、生长速率与反应剂浓度的关系二、生长速率与反应剂浓度的关系 所有的氯硅烷都有相似的反应途径，先通过同
4、质反应产生所有的氯硅烷都有相似的反应途径，先通过同质反应产生气态的次生反应物气态的次生反应物 SiCl2 和和 HCl，然后再发生以下可逆反应，然后再发生以下可逆反应 SiCl2+H2 Si+2 HCl 以以 SiCl4 为例，当反应剂浓度较低时为例，当反应剂浓度较低时，SiCl2 和和 HCl 的浓度的浓度都较低都较低，正向反应占优势，进行外延生长，生长速率随反应剂，正向反应占优势，进行外延生长，生长速率随反应剂浓度的提高而加快浓度的提高而加快。由于。由于 HCl 浓度比浓度比 SiCl2 浓度提高得更快浓度提高得更快，当反应剂浓度达到某值时，生长速率达到最大，之后随反应剂当反应剂浓度达到某
5、值时，生长速率达到最大，之后随反应剂浓度的提高而变慢。当反应剂浓度继续提高到某值时，逆向反浓度的提高而变慢。当反应剂浓度继续提高到某值时，逆向反应占优势，发生对硅的腐蚀，且腐蚀速率随反应剂浓度的提高应占优势，发生对硅的腐蚀，且腐蚀速率随反应剂浓度的提高而加快。而加快。生长速率太快也会导致形成多晶层。生长速率太快也会导致形成多晶层。定义气体的超饱和度为定义气体的超饱和度为 当当 为正时发生外延生长，当为正时发生外延生长，当 为负时发生硅的腐蚀。为负时发生硅的腐蚀。反应剂浓度反应剂浓度生生长长速速率率多晶多晶单晶单晶腐蚀腐蚀0 气体流速将影响滞流层的厚度。滞流层平均厚度与气体流气体流速将影响滞流层
6、的厚度。滞流层平均厚度与气体流速之间的关系是速之间的关系是 三、生长速率与气体流速的关系三、生长速率与气体流速的关系三、生长速率与气体流速的关系三、生长速率与气体流速的关系 一般的外延工艺条件下，生长速率由气相质量转移系数一般的外延工艺条件下，生长速率由气相质量转移系数 hg 决定，生长速率随气体流速的增加而增加。但当气体流速很大决定，生长速率随气体流速的增加而增加。但当气体流速很大时，滞流层厚度很薄，时，滞流层厚度很薄，hg 变得很大，使外延生长由反应剂输运变得很大，使外延生长由反应剂输运限制过渡到化学反应速率限制，这时生长速率由化学反应速率限制过渡到化学反应速率限制，这时生长速率由化学反应
7、速率常数常数 ks 决定而与气体流速的关系不大。决定而与气体流速的关系不大。外延生长时存在外延生长时存在 非故意掺杂非故意掺杂非故意掺杂非故意掺杂 和和 故意掺杂故意掺杂故意掺杂故意掺杂 。14.4 掺杂剂的引入掺杂剂的引入 非故意掺杂非故意掺杂非故意掺杂非故意掺杂 当杂质扩散速率远小于外延生长速率时，可看作恒定表面当杂质扩散速率远小于外延生长速率时，可看作恒定表面浓度扩散，杂质分布为余误差分布。当在掺杂浓度为浓度扩散，杂质分布为余误差分布。当在掺杂浓度为 NS 的衬底的衬底上生长本征外延层时，外延层的杂质浓度分布为上生长本征外延层时，外延层的杂质浓度分布为 1、衬底中的杂质和外延膜中的杂质在
8、外延生长时的高温、衬底中的杂质和外延膜中的杂质在外延生长时的高温下的下的 互相扩散效应互相扩散效应互相扩散效应互相扩散效应 。当在本征衬底上生长掺杂浓度为当在本征衬底上生长掺杂浓度为 的外延层时，外延层的外延层时，外延层的杂质浓度分布为的杂质浓度分布为 当衬底和外延层都掺杂时，外延层的杂质浓度分布为当衬底和外延层都掺杂时，外延层的杂质浓度分布为 上式中，上式中，“+”号对应于衬底和外延层的掺杂类型相同时；号对应于衬底和外延层的掺杂类型相同时；“-”号对应于衬底和外延层的掺杂类型相反时。号对应于衬底和外延层的掺杂类型相反时。2、衬底杂质通过蒸发和衬底的腐蚀而进入滞流层，然后、衬底杂质通过蒸发和衬
9、底的腐蚀而进入滞流层，然后再进入外延膜中，称为再进入外延膜中，称为 自掺杂效应自掺杂效应自掺杂效应自掺杂效应 。当在掺杂浓度为当在掺杂浓度为 NS 的衬底上生长本征外延层时，因自掺杂的衬底上生长本征外延层时，因自掺杂效应引起的外延层杂质浓度分布为效应引起的外延层杂质浓度分布为式中，式中，xm 称为迁移宽度。当在本征衬底上生长掺杂浓度为称为迁移宽度。当在本征衬底上生长掺杂浓度为 的外延层时，因自掺杂效应引起的外延层杂质浓度分布为的外延层时，因自掺杂效应引起的外延层杂质浓度分布为 当衬底和外延层都掺杂时，外延层的杂质浓度分布为当衬底和外延层都掺杂时，外延层的杂质浓度分布为 减轻非故意掺杂的措施减轻
10、非故意掺杂的措施减轻非故意掺杂的措施减轻非故意掺杂的措施 1、降低外延温度；、降低外延温度；2、采用不存在逆向反应的外延方法，如、采用不存在逆向反应的外延方法，如 SiH4 热分解法；热分解法；3、两步外延法；、两步外延法；4、用、用 SiO2、Si3N4、多晶硅等封闭衬底背面和基座；、多晶硅等封闭衬底背面和基座；5、尽量选用扩散系数低和蒸汽压低的杂质做衬底的掺杂、尽量选用扩散系数低和蒸汽压低的杂质做衬底的掺杂杂质；杂质；6、采用低压外延。、采用低压外延。故意掺杂故意掺杂故意掺杂故意掺杂 在反应气体中加入少量的掺杂气体，如在反应气体中加入少量的掺杂气体，如 B2H6、AsH3、PH3 等，杂质
11、原子在外延生长过程中被结合到外延层的晶格位置上等，杂质原子在外延生长过程中被结合到外延层的晶格位置上而实现掺杂。而实现掺杂。对于杂质来说，也存在气相质量输运限制和化学反应速率对于杂质来说，也存在气相质量输运限制和化学反应速率限制，只是情况更为复杂。例如，硼的掺入量随外延温度的上限制，只是情况更为复杂。例如，硼的掺入量随外延温度的上升而增加，而磷和砷的掺入量却随外延温度的上升而下降。升而增加，而磷和砷的掺入量却随外延温度的上升而下降。另外，由于掺杂剂和硅之间存在竞争反应，对生长速率也另外，由于掺杂剂和硅之间存在竞争反应，对生长速率也会产生一定的影响。例如，当进行砷的高浓度掺杂时，大量的会产生一定
12、的影响。例如，当进行砷的高浓度掺杂时，大量的砷会占据表面位置而阻碍硅的正常生长，但自身又不成膜。砷会占据表面位置而阻碍硅的正常生长，但自身又不成膜。外延生长时会产生某些缺陷，这些缺陷将直接或间接导致外延生长时会产生某些缺陷，这些缺陷将直接或间接导致集成电路的失效。集成电路的失效。14.5 外延生长缺陷外延生长缺陷 一、表面缺陷一、表面缺陷一、表面缺陷一、表面缺陷 1、尖峰、尖峰 这是一种存在于外延层表面的角锥形小尖峰，起源于衬底这是一种存在于外延层表面的角锥形小尖峰，起源于衬底与外延层的交界面。产生原因是衬底表面质量差和反应系统的与外延层的交界面。产生原因是衬底表面质量差和反应系统的沾污。外延
13、温度较低和反应气体浓度较高时更容易出现。沾污。外延温度较低和反应气体浓度较高时更容易出现。2、云雾状表面、云雾状表面 由大量呈浅正三角形的小坑形成由大量呈浅正三角形的小坑形成。产生原因是气体不纯。产生原因是气体不纯，系统漏气，衬底表面抛光不好，清洗不干净等。系统漏气，衬底表面抛光不好，清洗不干净等。二、体内缺陷二、体内缺陷二、体内缺陷二、体内缺陷 1、堆垛层错、堆垛层错 这是一种面缺陷，是晶体中多余或缺少的原子层面，一般这是一种面缺陷，是晶体中多余或缺少的原子层面，一般发生在发生在(111)方向上。产生层错的原因很多。层错本身并不改变方向上。产生层错的原因很多。层错本身并不改变外延层的电学特性
14、，但会引起杂质扩散的不均匀，成为重金属外延层的电学特性，但会引起杂质扩散的不均匀，成为重金属的淀积中心等。的淀积中心等。2、位错、位错 位错是一种线缺陷，由外延层中的应力引起。由快速加热位错是一种线缺陷，由外延层中的应力引起。由快速加热和冷却或热场分布不均匀产生的热应力所引起的位错称为滑移和冷却或热场分布不均匀产生的热应力所引起的位错称为滑移位错；由衬底与外延层的掺杂种类和浓度不同产生的晶格失配位错；由衬底与外延层的掺杂种类和浓度不同产生的晶格失配应力所引起的位错称为失配位错。应力所引起的位错称为失配位错。三、图形的漂移和畸变三、图形的漂移和畸变三、图形的漂移和畸变三、图形的漂移和畸变 原因：
15、原因：原因：原因：外延过程中外延生长速率在不同晶面上的差异。外延过程中外延生长速率在不同晶面上的差异。(111)面上最容易发生图形的漂移和畸变。若偏离面上最容易发生图形的漂移和畸变。若偏离 2 4 o，则漂移和畸变将明显减小。则漂移和畸变将明显减小。(100)面上的图形漂移和畸变很小。面上的图形漂移和畸变很小。一般气体中的含一般气体中的含 Cl 量越低，外延层越薄，生长速率越低，则量越低，外延层越薄，生长速率越低，则图形的漂移和畸变就越小。图形的漂移和畸变就越小。四、外延层厚度的测量四、外延层厚度的测量四、外延层厚度的测量四、外延层厚度的测量 1、层错法、层错法 由于层错面上原子排列不规则，所
16、以腐蚀速度快。经腐蚀由于层错面上原子排列不规则，所以腐蚀速度快。经腐蚀后外延层上会出现三角形的腐蚀坑。外延层厚度后外延层上会出现三角形的腐蚀坑。外延层厚度 T 与三角形边与三角形边长长 l 之间有如下关系，之间有如下关系，2、红外干涉法、红外干涉法 3、电学方法、电学方法 与测量与测量 PN 结结深的方法类似，如磨角染色法、电容法、结结深的方法类似，如磨角染色法、电容法、扩展电阻法等。扩展电阻法等。外延的生长速率在不同的衬底上是不同的，例如在外延的生长速率在不同的衬底上是不同的，例如在 Si 上的上的最大，在最大，在 Si3N4 上的次之，在上的次之，在 SiO2 上的最小甚至不生长。利用上的
17、最小甚至不生长。利用这种特性可实现选择性生长。这种特性可实现选择性生长。14.6 选择性生长选择性生长 实验发现，选择外延的生长速率比非选择外延的生长速率实验发现，选择外延的生长速率比非选择外延的生长速率大若干倍。窗口面积越小则生长速率越快。大若干倍。窗口面积越小则生长速率越快。增加气体中增加气体中 HCl 的浓度可以降低的浓度可以降低 SiO2 上的外延生长速率而上的外延生长速率而提高选择性，因为提高选择性，因为 HCl 可以将可以将 SiO2 层上成核的层上成核的 Si 腐蚀掉。腐蚀掉。选择性生长的用途之一是在选择性生长的用途之一是在 SiO2 层上开的接触孔内填硅，层上开的接触孔内填硅，
18、以降低接触孔的深宽比，使接触孔平坦化。以降低接触孔的深宽比，使接触孔平坦化。当外延层与衬底是同一种材料时，称为当外延层与衬底是同一种材料时，称为 同质外延同质外延同质外延同质外延，反之，反之，则称为则称为 异质外延异质外延异质外延异质外延。14.8 不共度和应变异质外延不共度和应变异质外延 当外延层与衬底的晶格结构和晶格常数相同时，称为当外延层与衬底的晶格结构和晶格常数相同时，称为 共度共度共度共度生长生长生长生长。反之，则称为。反之，则称为 不共度生长不共度生长不共度生长不共度生长。在不共度生长中，当外延层。在不共度生长中，当外延层较薄时，晶格失配只产生较薄时，晶格失配只产生 应力应力应力应
19、力，称为，称为 应变异质外延应变异质外延应变异质外延应变异质外延，得到的是，得到的是 赝晶赝晶赝晶赝晶。但当外延层较厚时，晶格失配的应力将以产生。但当外延层较厚时，晶格失配的应力将以产生 缺陷缺陷缺陷缺陷 的方的方式释放，不利于制作集成电路式释放，不利于制作集成电路。应变层的临界厚度取决于晶格。应变层的临界厚度取决于晶格失配的程度和外延层的机械性质失配的程度和外延层的机械性质。对于百分之几的晶格失配。对于百分之几的晶格失配，典型的临界厚度为几十纳米。典型的临界厚度为几十纳米。异质外延需要采用异质外延需要采用 MOCVD、RTCVD、UHVCVD、MBE 等先进外延技术来实现。等先进外延技术来实
20、现。例例例例 1 1、兰宝石上外延硅（、兰宝石上外延硅（、兰宝石上外延硅（、兰宝石上外延硅（SOSSOS）主要问题是外延层上的缺陷较多。解决办法是将外延层长主要问题是外延层上的缺陷较多。解决办法是将外延层长得很厚，因为缺陷虽然会向上传播，但不会贯穿整个外延层。得很厚，因为缺陷虽然会向上传播，但不会贯穿整个外延层。SOS 技术现正受到技术现正受到 SIMOX 技术和键合技术和键合 SOI 技术的挑战。技术的挑战。例例例例 2 2、硅上外延、硅上外延、硅上外延、硅上外延 GaAsGaAs GaAs 与与 Si 有相同的晶格结构，但晶格常数则大有相同的晶格结构，但晶格常数则大 4%。也。也可生长厚外
21、延层以减少缺陷，或交替淀积多层异质薄膜（称为可生长厚外延层以减少缺陷，或交替淀积多层异质薄膜（称为应变层超晶格）来分散应力。应变层超晶格）来分散应力。例例例例 3 3、硅上外延、硅上外延、硅上外延、硅上外延 GeSiGeSi 在硅上可外延出在硅上可外延出 GeSi 赝晶层，并已制作出各种赝晶层，并已制作出各种 GeSi 异质异质结电子器件和光电子器件。结电子器件和光电子器件。14.9 金属有机物金属有机物 CVD（MOCVD）MOCVD 能够生长高质量的能够生长高质量的-族化合物半导体薄膜族化合物半导体薄膜，使用使用 族元素的有机化合物族元素的有机化合物族元素的有机化合物族元素的有机化合物和和
22、族元素的氢化物。以族元素的氢化物。以 GaAs 为为例，以液态三甲基镓（例，以液态三甲基镓（Ga(CH3)3）或三乙基镓（）或三乙基镓（Ga(C2H5)3）作）作为镓源，以气态的砷烷（为镓源，以气态的砷烷（AsH3）作为砷源，以）作为砷源，以 H2 作为稀释携带作为稀释携带气体，以二甲基锌作为气体，以二甲基锌作为 P 型掺杂剂，以型掺杂剂，以 SiH4 作为作为 N 型掺杂剂。型掺杂剂。若要生长若要生长 AlGaAs，则可在镓的有机物中添加铝的有机物，如三，则可在镓的有机物中添加铝的有机物，如三甲基铝。甲基铝。液态源可放在起泡器中，让携带气体鼓泡带走。各种液态液态源可放在起泡器中，让携带气体鼓
23、泡带走。各种液态源的蒸汽压差别很大，为获得适当的蒸汽压，有的需要加热，源的蒸汽压差别很大，为获得适当的蒸汽压，有的需要加热，有的则需要冷却。有的则需要冷却。GaAs 的的 MOCVD 通常在中温区进行，生长速率取决于反通常在中温区进行，生长速率取决于反应气体的输运，对气流的要求非常高，必须是严格的层流，而应气体的输运，对气流的要求非常高，必须是严格的层流，而不能有任何湍流或环流。早期的不能有任何湍流或环流。早期的 MOCVD 系统是常压的，现在系统是常压的，现在大多是低压的。大多是低压的。MOCVD 最重要的问题之一是碳沾污，这将导致非故意的最重要的问题之一是碳沾污，这将导致非故意的 P 型掺
24、杂。早期的型掺杂。早期的 MOCVD 膜中的空穴浓度高达膜中的空穴浓度高达 1019cm-3。虽然。虽然可掺入反型杂质来加以补偿，但会使迁移率降低可掺入反型杂质来加以补偿，但会使迁移率降低。加大气流中。加大气流中族元素对族元素对 族元素的比例，或用三乙基镓而非三甲基镓，可族元素的比例，或用三乙基镓而非三甲基镓，可以极大地减少这种非故意掺杂以极大地减少这种非故意掺杂。也可以利用这种非故意掺杂来。也可以利用这种非故意掺杂来实现实现 P 型掺杂。型掺杂。用用 MOCVD 工艺生长的高质量工艺生长的高质量-族化合物半导体薄膜，族化合物半导体薄膜，具有原子层或接近原子层的突变界面。具有原子层或接近原子层
25、的突变界面。14.10 先进的硅气相外延生长技术先进的硅气相外延生长技术 影响硅气相外延质量的一个重要因素是高温下杂质的互扩影响硅气相外延质量的一个重要因素是高温下杂质的互扩散和自掺杂效应。采用快速热处理散和自掺杂效应。采用快速热处理 CVD（RTCVD）和超高真）和超高真空空 CVD（UHVCVD）可以解决这个问题。）可以解决这个问题。一、一、一、一、RTCVD RTCVD时间时间温温度度预清洗预清洗生长生长冷却冷却 RTCVD 的主要问题是不易控制温度的均匀性。的主要问题是不易控制温度的均匀性。UHVCVD 的生长速率极慢。对不掺杂或的生长速率极慢。对不掺杂或 P 型外延层，生长型外延层，
26、生长速率每分钟不到速率每分钟不到 1 纳米，而对纳米，而对 N 型外延层则几乎不能生长。此型外延层则几乎不能生长。此外，由于超高真空下的加热主要靠辐射，为保持温度均匀性必外，由于超高真空下的加热主要靠辐射，为保持温度均匀性必须缓慢升温，这不利于对硅片的预清洗。须缓慢升温，这不利于对硅片的预清洗。二、二、二、二、UHVCVD UHVCVD SiH4 热分解法气相外延的温度较低，但因热分解法气相外延的温度较低，但因 SiH4 会在气相中会在气相中成核而产生较多的颗粒。成核而产生较多的颗粒。SiH4 在气相中的反应需要与气体分子在气相中的反应需要与气体分子发生碰撞才能进行，所以在真空度高达发生碰撞才
27、能进行，所以在真空度高达 10-9 Torr 的超高真空中的超高真空中可以防止可以防止 SiH4 的气相反应，从而在低温下实现外延生长。的气相反应，从而在低温下实现外延生长。14.11 分子束外延技术分子束外延技术 分子束外延系统的主要组成部分分子束外延系统的主要组成部分分子束外延系统的主要组成部分分子束外延系统的主要组成部分 1、蒸发源、蒸发源 有有 3 种类型的蒸发源：种类型的蒸发源：(1)Knudsen 单元（喷射盒）单元（喷射盒）(2)电子束源电子束源 (3)气态源气态源 分子束外延是在真空蒸发镀合金和化合物材料的基础上发分子束外延是在真空蒸发镀合金和化合物材料的基础上发展起来的。其基
28、本原理与双蒸发源三温度法相同，只是要求更展起来的。其基本原理与双蒸发源三温度法相同，只是要求更精确更严格。分子束外延系统是一种可以实时监控的多源多温精确更严格。分子束外延系统是一种可以实时监控的多源多温度定向分子流蒸发系统，是含有众多先进技术的复杂系统。度定向分子流蒸发系统，是含有众多先进技术的复杂系统。2、真空系统、真空系统 通常由机械泵、吸附泵、离子泵和钛升华泵等组成，要求通常由机械泵、吸附泵、离子泵和钛升华泵等组成，要求能达到能达到 10-10 Torr 的超高真空。真空室采用三室结构，的超高真空。真空室采用三室结构，样品交换室（预真空室）：样品交换室（预真空室）：10-5 10-6 T
29、orr 样品分析室：样品分析室：10-10 Torr 外延生长室：外延生长室：10-10 Torr 3、监测系统、监测系统 包含热电偶（监测温度）、质谱仪（监测超高真空中残余包含热电偶（监测温度）、质谱仪（监测超高真空中残余气体及分子束中各成分的分压强）、俄歇电子能谱仪（监测衬气体及分子束中各成分的分压强）、俄歇电子能谱仪（监测衬底表面的化学成分及各成分的深度分布）、电子衍射仪（监测底表面的化学成分及各成分的深度分布）、电子衍射仪（监测表面结构与表面平整度）、膜厚仪（监测外延膜的厚度）等。表面结构与表面平整度）、膜厚仪（监测外延膜的厚度）等。4、控制系统与显示系统、控制系统与显示系统 5、其它
30、系统、其它系统 如电源系统、加热系统、机械系统等。如电源系统、加热系统、机械系统等。以以 GaAs 为例，为例，Ga 和和 As 在在 700 K 时的蒸汽压分别为时的蒸汽压分别为 10-13 Torr 和和 1 Torr。而它们的蒸汽压同为。而它们的蒸汽压同为 10-3 Torr 时的温度分别为时的温度分别为 1280 K 和和 510 K。要生长出良好的要生长出良好的 GaAs 单晶薄膜，必须分别严格控制好单晶薄膜，必须分别严格控制好 As 源、源、Ga 源和衬底这三个温度。典型的温度是，源和衬底这三个温度。典型的温度是，As 源源 295oC、Ga 源源 910oC、衬底、衬底 450
31、580oC。两种元素的粘着系数也极不一致。两种元素的粘着系数也极不一致。Ga 的粘着系数约为的粘着系数约为 1，As 当单独存在时其粘着系数约为当单独存在时其粘着系数约为 0，而当衬底上已有一层，而当衬底上已有一层 Ga 时可接近于时可接近于 1。所以生长速率由。所以生长速率由 Ga 的流量决定，而的流量决定，而 As 的流量应的流量应高出高出 5 10 倍。倍。为了得到单晶的化合物膜，衬底也必须加热到一定温度。为了得到单晶的化合物膜，衬底也必须加热到一定温度。分子束外延的工艺特点分子束外延的工艺特点分子束外延的工艺特点分子束外延的工艺特点 1、能得到原子级的膜厚控制和原子级的表面平整度，达、
32、能得到原子级的膜厚控制和原子级的表面平整度，达 0.5 2 nm，可制成极薄的多层结构；，可制成极薄的多层结构；2、在超高真空中进行，可获得超纯薄膜；、在超高真空中进行，可获得超纯薄膜；3、衬底温度低（与气相外延相比），热扩散效应小，便于、衬底温度低（与气相外延相比），热扩散效应小，便于精确控制特定掺杂分布，掺杂浓度范围：精确控制特定掺杂分布，掺杂浓度范围：1013 1022 cm-3；4、可以实现多种物质的边生长、边分析、边控制，是一、可以实现多种物质的边生长、边分析、边控制，是一种自动化水平极高的综合性精密制膜技术；种自动化水平极高的综合性精密制膜技术；5、生长速率慢。、生长速率慢。硅的气
33、相外延生长技术已经是一项比较成熟的工艺。反应硅的气相外延生长技术已经是一项比较成熟的工艺。反应室和气体的洁净度对外延膜的质量至关重要。硅氯烷是硅气相室和气体的洁净度对外延膜的质量至关重要。硅氯烷是硅气相外延的主要反应剂，它可以在硅片表面均匀生长，也可以在刻外延的主要反应剂，它可以在硅片表面均匀生长，也可以在刻有窗口的介质表面选择性生长。讨论了生长速率与温度、反应有窗口的介质表面选择性生长。讨论了生长速率与温度、反应剂浓度和气体流速的关系，给出了外延膜中的杂质浓度分布。剂浓度和气体流速的关系，给出了外延膜中的杂质浓度分布。14.14 小结小结 本章第二部分主要介绍一些可控的薄外延层的生长技术，本
34、章第二部分主要介绍一些可控的薄外延层的生长技术，包括异质外延和化合物半导体外延，其中有些工艺可以把膜厚包括异质外延和化合物半导体外延，其中有些工艺可以把膜厚控制在原子级水平。这些方法可分为化学性的各种控制在原子级水平。这些方法可分为化学性的各种 CVD 工艺和工艺和物理性的分子束外延。但随着真空度的提高和在分子束外延中物理性的分子束外延。但随着真空度的提高和在分子束外延中使用气态源，两种方法的区别正变得模糊。使用气态源，两种方法的区别正变得模糊。习习 题题 1、根据下式及下、根据下式及下图图确定，确定，对对于于 SiH4，大，大约约在什么温度在什么温度时时，外延生外延生长长成成为为由由质质量量转转移所控制？移所控制？2、分子束外延技术的工艺特点是什么、分子束外延技术的工艺特点是什么?