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1、PECVD部门(bmn)：电池片部第一页，共36页。PECVD的介绍(jisho)oPECVD:oPlasma Enhance Chemical Vapour Depositiono等离子增强化学气相沉积等离子增强化学气相沉积o等离子体：等离子体：o由于物质分子热运动加剧，相互间的碰撞就由于物质分子热运动加剧，相互间的碰撞就会使气体分子产生会使气体分子产生(chnshng)电离，这电离，这样物质就会变成自由运动并由相互作用的正样物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子和中性粒子组成的混合物。离子、电子和中性粒子组成的混合物。第二页，共36页。PECVD的目的(md)o在太阳电池表面沉积深
2、蓝色减反膜-SiN膜。减少(jinsho)光的反射，增加电池对光线的吸收。o对电池的正表面进行H钝化o对电池正表面进行保护，防止氧化SiNx:H第三页，共36页。SiNx:H介绍(jisho)o正常的SiNx的Si/N之比为0.75，即Si3N4。但是PECVD沉积(chnj)氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，Si/N变化的范围在0.75-2左右。除了Si和N，PECVD的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即SixNyHz或SiNx:HoSi/N比对SiNx薄膜性质的影响o1.电阻率随x增加而降低o2.折射率n随x增加而增加o3.腐蚀速率随密度增加而降低第四页，共36页。PECVD的钝化(
3、dn hu)作用o由于太阳电池级硅材料中不可避免的含有大量的杂质和缺陷，导致(dozh)硅中少子寿命及扩散长度降低从而影响电池的转换效率。oH的钝化机理:o主要原因是:H能与硅中的缺陷或杂质进行反应，从而将禁带中的能带转入价带或者导带。第五页，共36页。PECVD的钝化(dn hu)作用o钝化(dn hu)太阳电池的受光面o钝化(dn hu)膜(介质)的主要作用是保护半导体器件表面不受污染物质的影响，半导体表面钝化(dn hu)可降低半导体表面态密度。o钝化(dn hu)太阳电池的体内o在SiN减反射膜中存在大量的H，在烧结过程中会钝化(dn hu)晶体内部悬挂键。第六页，共36页。PECVD
4、对电性能影响(yngxing)o1.减反射膜提高了对太阳光的利用率，有助于提高光生电流密度，起到提高电流进而提高转换效率的作用。o2.薄膜中的氢对电池的表面钝化降低了发射结的表面复合速率，减小了暗电流，提升了开路电压(diny)，从而提高了光电转换效率；在烧穿工艺中的高温瞬时退火断裂了一些Si-H、N-H键，游离出来的H进一步加强了对电池的钝化。第七页，共36页。PECVD:直接(zhji)式第八页，共36页。PECVD:间接(jin ji)式o间接PECVD的特点：o在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发NH3，而SiH4直接进入(
5、jnr)反应腔。o间接PECVD的沉积速率比直接的要高很多，这对大规模生产尤其重要。第九页，共36页。PECVD的工艺(gngy)原理o通入的特气（硅烷和氨气）在高温和微波(wib)源的激发下电离，形成等离子态，并沉积在硅片的表面。膜的厚度主要与温度，腔体内微波(wib)源的功率和镀膜时间有关。o反应室通入反应气体o 硅烷 SiH4o 氨气 NH3o在微波(wib)源的激发下电离形成等离子态oSiNx:H沉积在硅片上第十页，共36页。第十一页，共36页。等离子体(dnglzt)产生图例第十二页，共36页。SixNyHz的形成(xngchng)过程第十三页，共36页。PECVD特气的性质(xng
6、zh)（1）o氨气（NH3）:是一种刺激性、无色、气体。o氨气会严重灼伤眼、皮肤及呼吸道。当它在空气中的浓度超过15%时有立即造成火灾及爆炸的危险。o暴露在氨气中会对眼睛造成中度到重度的刺激。氨气强烈地刺激鼻子、喉咙和肺。症状包括灼伤感、咳嗽、喘息加重、气短、头痛及恶心。过度(gud)暴露会影响中枢神经系统并会造成痉挛和失去知觉。暴露在5000ppm下5分钟会造成死亡。o紧急救助o眼睛接触：用大量的水冲洗，立即进行医疗处理。o吸入：将人员移到空气清新处，若呼吸困难，则输氧，并迅速进行医务处理。o皮肤接触：用大量水冲洗，立即脱掉被污染的衣服，并立即进行药物处理。第十四页，共36页。PECVD特气
7、的性质(xngzh)（2）o硅烷(SiH4):是一种无色、与空气反应并会引起窒息的气体。o硅烷与空气接触会引起燃烧。它的首要危害是引起严重的热灼伤。严重时会致命。如没有自燃会非常危险，不要靠近，不要试图在切断气源之前灭火。o硅烷会刺激眼睛，硅烷分解产生的无定型二氧化硅颗粒会引起眼睛刺激。o吸入高浓度的硅烷会引起头痛、恶心、头晕并刺激上呼吸道。过度吸入会引起肺炎和肾病。硅烷会刺激皮肤、硅烷分解产生无定型二氧化硅颗粒会引起皮肤刺激。o紧急救助o眼睛接触：应立即用水冲洗至少15分钟，水流不要太快，同时翻开眼睑，立即寻求眼科处理；o皮肤接触：用大量的水清洗至少15分钟，脱掉被污染的衣服，如果(rgu)
8、患者有持续的刺激感或其他影响需立即进行医疗处理。o吸入：尽快移到空气清新处，如有必要须进行输氧或人工呼吸。第十五页，共36页。PECVD的影响(yngxing)因素o1频率o射频PECVD系统大都采用50kHz13.56 MHz的工业频段射频电源。较高频率（4MHz）沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。o2射频功率o增加RF功率通常会改善SiN膜的质量。但是，功率密度不宜过大，超过1W/cm2时器件(qjin)会造成严重的射频损伤。o3衬底温度oPECVD膜的沉积温度一般为250400。这样能保证氮化硅薄膜在HF中有足够低的腐蚀速率，并有较低的本征压力，从而有良好的热稳定性和抗裂能力。
9、低于200下沉积的氮化硅膜，本征应力很大且为张应力，而温度高于450时膜容易龟裂。第十六页，共36页。PECVD的影响(yngxing)因素o4气体流量o影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是SiH4。为了防止富硅膜，选择NH3/SiH4=220（体积比）。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽(ho jn)而降低沉积速率，通常采用较大的气体总流量，以保证沉积的均匀性。o5反应气体浓度oSiH4的百分比浓度及SiH4/NH3流量比，对沉积速率、氮化硅膜的组分及物化性质均有重大影响。o理想Si3N4的Si/N0.75，而PECVD沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化，但
10、多为富硅膜，可写成SiN。因此，必须控制气体中的SiH4浓度，不宜过高，并采用较高的SiN比。除了Si和N外，PECVD的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子，即SixNyHZ或SiNx:H。o6反应压力、和反应室尺寸等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。第十七页，共36页。PECVD设备(shbi)第十八页，共36页。PECVD设备(shbi)第十九页，共36页。PECVD设备(shbi)o设备结构o晶片装载区o炉体o特气柜o真空(zhnkng)系统o控制系统第二十页，共36页。PECVD设备(shbi)结构第二十一页，共36页。PECVD晶片装载(zhungzi)区o桨、LIFT、抽风系统、SL
11、S系统。o桨：由碳化硅材料制成，具有耐高温、防变形等性能。作用是将石墨舟放入或取出石英管。oLIFT：机械臂系统，使舟在机械臂作用下在小车、桨、储存区之间互相移动。o抽风系统：位于晶片装载区上方(shn fn)，初步的冷却石墨舟和一定程度的过滤残余气体 oSLS系统：软着落系统，控制桨的上下，移动范围在23厘米第二十二页，共36页。PECVD炉体o石英管、加热系统、冷却系统o石英管：炉体内有四根石英管，是镀膜的作业区域，耐高温、防反应。o加热系统：位于石英管外，有五个温区。o冷却系统：是一套封闭的循环水系统，位于加热系统的金属外壳，四进四出并有一个主管道，可适量调节流量大小。o冷却系统的优点:
12、o没有消耗净室(jn sh)空气o不同管间无热干涉o炉环境的温度没有被热空气所提升o空气运动（通风装置）没有使房间污染o噪音水平低第二十三页，共36页。PECVD冷却系统示意图第二十四页，共36页。PECVD真空(zhnkng)系统o真空系统o真空泵：每一根(y n)石英管配置一组泵，包括主泵和辅助泵。o蝶阀：可以根据要求控制阀门的开关的大小，来调节管内气压的 第二十五页，共36页。PECVD控制系统(kn zh x tn)o控制系统 CMI:是 Centrotherm 研发的一个控制系统，其中界面(jimin)包括 Jobs（界面(jimin)）、System（系统）、Catalog（目录）
13、、Setup（软件）、Alarms（报警）、Help（帮助）.oJobs:机器的工作状态。oSystem:四根管子的工作状态，舟的状态以及手动操作机器臂的内容。oDatalog:机器运行的每一步。第二十六页，共36页。PECVD控制系统(kn zh x tn)nSetup:舟的资料的更改，工艺内容的更改，使用权限n 的更改，LIFT位置的更改，CMS安区系统（安装的感应器将监控(jin kn)重要系统的运行情况，而一旦不受管的计算机的控制，CMS将会发生作用，所有的错误信息也都会在CIM上得以简洁的文本方式显示出来）的更改等。nAlarms：警报内容 nHelp:简要的说了一下解除警报以及其他
14、方面的方法nCESAR:控制电脑，每一个系统都安装了CESAR控制电脑及CESAR 控制软件，此控制电脑独立于主电脑系统中。第二十七页，共36页。PECVD控制系统(kn zh x tn)示意图第二十八页，共36页。设备(shbi)结构进料腔加热(ji r)腔工艺(gngy)腔冷却腔气压计 气压开关温度计电阻丝加热机械泵罗茨泵返回运输马达和sensorsPosition sensors Driver红外加热出料腔进料腔-加热腔气压 2.01*10-2mbar温度：400摄氏度进料腔：红外加热加热腔、工艺腔：电阻丝加热机械泵、罗茨泵抽真空：GV600 无水泵是一个装有3 对凸轮爪马达的4 冲程泵
15、，包括一台主泵和一台备用泵。EH4200是一种大排水量真空泵，这种泵由一个三相电机通过液态流进行驱动，其允许在较高的压力下进行操作。第二十九页，共36页。PECVD过程(guchng)进料腔(1)加热(ji r)腔(2)工艺(gngy)腔(3)冷却腔(4)出料腔(5)进料腔：有预热的作用,在载板进入腔体后,先冲入N2,再进行抽真空;加热腔：在工艺中起着加热的作用;工艺腔：在等离子及真空条件下,硅烷与氨气在400 C时反应生成Si3N4,覆盖在硅片表面上;进料腔与出料腔 防止特色气体溢出,增加安全性.使电池片体逐渐降低温度第三十页，共36页。冷却水石英管温度(wnd)设置速度(sd)设置气压(q
16、y)设置设置功率实际功率反射比率角阀气体流量冷却水第三十一页，共36页。PECVD等离子体(dnglzt)源简图微波(wib)发生器真空腔(kn qin)基片第三十二页，共36页。PECVD电池片检验(jinyn)标准o看颜色是否合格（合格的颜色为深蓝，蓝色，淡蓝）o色差(s ch)和水印不超过整体面积的5%o镀膜后的折射率在2.02.20，膜厚在80 5nm（生产过程中取每批次任意6片进行折射率和膜厚的测定）第三十三页，共36页。镀膜后电池(dinch)片正常(zhngchng)片常见(chn jin)缺陷表面发白表面脏片色差白点水纹片第三十四页，共36页。PECVD异常(ychng)处理异常异常诊断诊断措施措施整体镀膜颜色不符合要求 氮化硅层厚度偏离正常范围 调整带速至颜色符合要求，偏紫增加带速，偏蓝降低带速。镀膜颜色不稳定 微波反射功率异常，或微波有泄漏 停止工艺，重新安装微波天线或更换石英管。沉压后颜色异常 折射率不在范围内 调整NH3和SiH4流量比例使折射率达到要求。压强达不到工艺要求 腔体有漏气 重新开腔擦拭密封圈或更换密封圈、更换或重装石英管或其管口密封圈，严重时用氦检仪做漏气点检查并排除异常。腔体内有硅片碎片 载板挂钩变形或传动轴异常 有挂钩变形的载板要及时更换，传动轴擦拭或有异常请设备检修。第三十五页，共36页。Thank you!第三十六页，共36页。