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1、OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心研发中心专题专题(zhunt)四、太阳能电池的主要参四、太阳能电池的主要参数数主讲主讲(zhjing)：光光电学院电学院 钟钟 建建第一页，共27页。OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心研发中心.提纲提纲(tgng)一、太阳能电池一、太阳能电池(dinch)的等效电路的等效电路 二、太阳能电池二、太阳能电池(dinch)的主要技术参数的主要技术参数 第二页，共27页。OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心研发中心一、太阳能电池一、太阳能电池(dinch)的等效电路的等效电路(1).理想的太阳电池
2、等效电路理想的太阳电池等效电路 理想的太阳电池等效电路如图所示。理想的太阳电池等效电路如图所示。当连接负载当连接负载(fzi)的太阳电池受到光照的太阳电池受到光照射时，太阳电池可看做是产生光生电流射时，太阳电池可看做是产生光生电流Iph的恒流源。的恒流源。与之并联的有一个处于正偏置下的二极与之并联的有一个处于正偏置下的二极管，通过二极管管，通过二极管P-N结的漏电流结的漏电流ID称为暗电称为暗电流，是在无光照时，由于外电压作用下流，是在无光照时，由于外电压作用下P-N结内流过的电流，其方向与光生电流方向结内流过的电流，其方向与光生电流方向相反，会抵消部分光生电流。相反，会抵消部分光生电流。第三
3、页，共27页。OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心研发中心一、太阳能电池一、太阳能电池(dinch)的等效电路的等效电路(1).理想理想(lxing)的太阳电池等效电路的太阳电池等效电路暗电流暗电流ID表达式为：表达式为：式中式中 I0反向饱和电流，在黑暗中通过反向饱和电流，在黑暗中通过P-N结的少数载流子的空穴电流和电子电流的代数结的少数载流子的空穴电流和电子电流的代数和；和；U等效二极管的端电压；等效二极管的端电压；q电子电量；电子电量；T绝对温度；绝对温度；A二极管曲线因子，取值在二极管曲线因子，取值在12之间。之间。因此，流过负载两端的工作电流为：因此，流过负载两
4、端的工作电流为：第四页，共27页。OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心研发中心一、太阳能电池一、太阳能电池(dinch)的等效电路的等效电路(2)实际的太阳电池等效电路实际的太阳电池等效电路 太阳电池本身还有电阻，太阳电池本身还有电阻，一类是串联电阻，另一类是并一类是串联电阻，另一类是并联电阻（又称旁路电阻）联电阻（又称旁路电阻）;串联电阻主要是由于半导串联电阻主要是由于半导体材料体材料(cilio)的体电阻、金属的体电阻、金属电极与半导体材料电极与半导体材料(cilio)的接的接触电阻、扩散层横向电阻以及触电阻、扩散层横向电阻以及金属电极本身的电阻四个部分金属电极本身的
5、电阻四个部分产生的产生的Rs;其中扩散层横向电阻是串其中扩散层横向电阻是串联电阻的主要形式，串联电阻联电阻的主要形式，串联电阻通常小于通常小于1；第五页，共27页。OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心研发中心一、太阳能电池一、太阳能电池(dinch)的等效电路的等效电路(2)实际的太阳电池等效电路实际的太阳电池等效电路 太阳电池本身还有电阻，一太阳电池本身还有电阻，一类是串联电阻，另一类是并联电类是串联电阻，另一类是并联电阻（又称旁路电阻）阻（又称旁路电阻）;并联电阻是由于电池表面污并联电阻是由于电池表面污染、半导体晶体缺陷引起的边缘染、半导体晶体缺陷引起的边缘漏电或耗尽
6、区内的复合电流等原漏电或耗尽区内的复合电流等原因产生因产生(chnshng)的旁路电阻的旁路电阻Rsh，一般为几千欧。实际的太，一般为几千欧。实际的太阳电池等效电路如图所示。阳电池等效电路如图所示。第六页，共27页。OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心研发中心一、太阳能电池一、太阳能电池(dinch)的等效电路的等效电路(2)实际的太阳电池等效实际的太阳电池等效电路电路 在旁路电阻在旁路电阻(dinz)Rsh两端的电压两端的电压为为Uj=（U+IRs），因此），因此流过旁路电阻流过旁路电阻(dinz)Rsh的电流为的电流为Ish=（U+IRs）/Rsh而流而流过负载的电流
7、为：过负载的电流为：第七页，共27页。OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心研发中心一、太阳能电池一、太阳能电池(dinch)的等效电路的等效电路(2)实际实际(shj)的太阳电池等效的太阳电池等效电路电路 显然，太阳电池的串联电阻越小，旁路显然，太阳电池的串联电阻越小，旁路电阻越大，越接近于理想的太阳电池，该太电阻越大，越接近于理想的太阳电池，该太阳电池的性能也越好。阳电池的性能也越好。目前目前(mqin)的太阳电池制造工艺水平，的太阳电池制造工艺水平，在要求不很严格时，可以认为串联电阻接近在要求不很严格时，可以认为串联电阻接近于零，旁路电阻趋近于无穷大，也就可当做于零，
8、旁路电阻趋近于无穷大，也就可当做理想的太阳电池看待。理想的太阳电池看待。第八页，共27页。OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心研发中心一、太阳能电池一、太阳能电池(dinch)的等效电路的等效电路(2)实际的太阳电池等效电路实际的太阳电池等效电路 实际的太阳电池等效电路实际的太阳电池等效电路还应该还应该(ynggi)包含由于包含由于P-N结形成的结电容和其他分布电结形成的结电容和其他分布电容，但考虑到太阳电池是直流容，但考虑到太阳电池是直流设备，通常没有交流分量，因设备，通常没有交流分量，因此这些电容的影响也可以忽略此这些电容的影响也可以忽略不计。不计。第九页，共27页。
9、OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心研发中心二、太阳能电池二、太阳能电池(dinch)的主要技术参数的主要技术参数(1)伏安特性曲线伏安特性曲线(2)由上式可知，当负载由上式可知，当负载R从从0变到无穷大时，负载变到无穷大时，负载R两端的电压两端的电压U和流过的电流和流过的电流I之间的关系曲线，即为太阳之间的关系曲线，即为太阳电池的负载特性曲线，通常电池的负载特性曲线，通常称为太阳电池的伏安特性曲称为太阳电池的伏安特性曲线，以前线，以前(yqin)也按习惯也按习惯称为称为I-V特性曲线。特性曲线。第十页，共27页。OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心
10、研发中心二、太阳能电池二、太阳能电池(dinch)的主要技术参数的主要技术参数(1)伏安特性曲线伏安特性曲线 实际上，通常并不是通过计实际上，通常并不是通过计算，而是通过实验测试的方法来算，而是通过实验测试的方法来得到。得到。在太阳电池的正负极两端，在太阳电池的正负极两端，连接一个可变电阻连接一个可变电阻(dinz)R，在，在一定的太阳辐照度和温度下，改一定的太阳辐照度和温度下，改变电阻变电阻(dinz)值，使其由值，使其由0（即（即短路）变到无穷大（即开路），短路）变到无穷大（即开路），同时测量通过电阻同时测量通过电阻(dinz)的电流的电流和电阻和电阻(dinz)两端的电压。两端的电压。在
11、直角坐标图上，以纵坐标代在直角坐标图上，以纵坐标代表电流，横坐标代表电压，测得表电流，横坐标代表电压，测得各点的连线，即为该电池在此辐各点的连线，即为该电池在此辐照度和温度下的伏安特性曲线，照度和温度下的伏安特性曲线，如图所示。如图所示。第十一页，共27页。OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心研发中心二、太阳能电池二、太阳能电池(dinch)的主要技术参数的主要技术参数(2)开路电压开路电压 在一定的温度和辐照度条件在一定的温度和辐照度条件下，太阳电池在空载（开路）下，太阳电池在空载（开路）情况下的端电压，也就是伏安情况下的端电压，也就是伏安特性特性(txng)曲线与横坐
12、标的曲线与横坐标的交点所对应的电压，通常用交点所对应的电压，通常用Uoc来表示。来表示。第十二页，共27页。OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心研发中心二、太阳能电池二、太阳能电池(dinch)的主要技术参数的主要技术参数(2)开路开路(kil)电压电压 对于一般的太阳电池，可近对于一般的太阳电池，可近似认为接近于理想的太阳电池，似认为接近于理想的太阳电池，即太阳电池的串联电阻值为零，即太阳电池的串联电阻值为零，旁路电阻为无穷大。当开路旁路电阻为无穷大。当开路(kil)时，时，I=0，电压，电压U即为开路即为开路(kil)电压电压Uoc，太阳电池的开路太阳电池的开路(ki
13、l)电压电压Uoc与电池面积大小无关，一般与电池面积大小无关，一般单晶硅太阳电池的开路单晶硅太阳电池的开路(kil)电电压约为压约为450600mV，最高可达，最高可达700mV左右。左右。第十三页，共27页。OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心研发中心二、太阳能电池二、太阳能电池(dinch)的主要技术参数的主要技术参数(3)短路电流短路电流 在一定的温度和辐照度条件在一定的温度和辐照度条件下，太阳电池在端电压为零时的下，太阳电池在端电压为零时的输出电流，也就是输出电流，也就是(jish)伏安特伏安特性曲线与纵坐标的交点所对应的性曲线与纵坐标的交点所对应的电流，通常用电
14、流，通常用Isc来表示。由下来表示。由下式可知：式可知：当当U=0时，时，Isc=Iph。太阳电池的短路电流太阳电池的短路电流Isc与与太阳电池的面积大小有关，面积太阳电池的面积大小有关，面积越大，越大，Isc越大，一般越大，一般1cm2的单的单晶硅太阳电池晶硅太阳电池Isc=1630mA。第十四页，共27页。OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心研发中心二、太阳能电池二、太阳能电池(dinch)的主要技术参数的主要技术参数(4)填充因子（曲线因子）填充因子（曲线因子）填充因子是表征太阳电池性填充因子是表征太阳电池性能优劣的一个重要参数，定义为能优劣的一个重要参数，定义为太
15、阳电池的最大功率与开路电压太阳电池的最大功率与开路电压和短路电流的乘积之比，通常用和短路电流的乘积之比，通常用FF(或或CF)表示表示(biosh)：式中式中 IscUoc极限输出功率；极限输出功率；ImUm最大输出功率。最大输出功率。第十五页，共27页。OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心研发中心二、太阳能电池二、太阳能电池(dinch)的主要技术参数的主要技术参数(4)填充因子（曲线因子）填充因子（曲线因子）在太阳电池伏安特性曲线图上，在太阳电池伏安特性曲线图上，通过开路电压所作垂直线与通过短路通过开路电压所作垂直线与通过短路(dunl)电流所作水平线和纵坐标及横电流
16、所作水平线和纵坐标及横坐标所包围的矩形面积坐标所包围的矩形面积A，是该电池有，是该电池有可能达到的极限输出功率值；可能达到的极限输出功率值；通过最大功率点所作垂直线和水通过最大功率点所作垂直线和水平线与纵坐标及横坐标所包围的矩形平线与纵坐标及横坐标所包围的矩形面积面积B，是该电池的最大输出功率值；，是该电池的最大输出功率值；两者之比，就是该电池的填充因两者之比，就是该电池的填充因子，即子，即 FF=B/A。第十六页，共27页。OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心研发中心二、太阳能电池二、太阳能电池(dinch)的主要技术参数的主要技术参数(4)填充因子（曲线因子）填充因子
17、（曲线因子）太阳电池太阳电池(dinch)的串联的串联电阻越小，旁路电阻越大，则电阻越小，旁路电阻越大，则填充因子越大，该电池填充因子越大，该电池(dinch)的伏安特性曲线所包的伏安特性曲线所包围的面积也越大，表示伏安特围的面积也越大，表示伏安特性曲线越接近于正方形，这就性曲线越接近于正方形，这就意味着该太阳电池意味着该太阳电池(dinch)的的最大输出功率越接近于所能达最大输出功率越接近于所能达到的极限输出功率，因此性能到的极限输出功率，因此性能越好。越好。第十七页，共27页。OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心研发中心二、太阳能电池二、太阳能电池(dinch)的主要
18、技术参数的主要技术参数(5)最大功率点最大功率点 在一定的太阳辐照度和工作在一定的太阳辐照度和工作温度的条件下，伏安特性曲线上温度的条件下，伏安特性曲线上的任何一点的任何一点(y din)都是工作点，都是工作点，工作点和原点的连线称为负载线；工作点和原点的连线称为负载线；负载线斜率的倒数即为负载负载线斜率的倒数即为负载电阻电阻RL的值，与工作点对应的横的值，与工作点对应的横坐标为工作电压坐标为工作电压U，纵坐标为工，纵坐标为工作电流作电流I。电压电压U和电流和电流I的乘积即为输的乘积即为输出功率。出功率。第十八页，共27页。OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心研发中心二、
19、太阳能电池二、太阳能电池(dinch)的主要技术参数的主要技术参数(5)最大功率点最大功率点 调节负载电阻调节负载电阻RL到某一值到某一值Rm时，时，在曲线上得到一点在曲线上得到一点(y din)M，对应的，对应的工作电流工作电流Im和工作电压和工作电压Um的乘积为最的乘积为最大，即大，即 则称则称M点为该太阳电池的最佳工作点为该太阳电池的最佳工作点（或最大功率点），点（或最大功率点），Im为最佳工作电为最佳工作电流，流，Um为最佳工作压，为最佳工作压，Rm为最佳负载为最佳负载电阻，电阻，Pm为最大输出功率。为最大输出功率。第十九页，共27页。OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED
20、研发中心研发中心二、太阳能电池二、太阳能电池(dinch)的主要技术参数的主要技术参数(5)最大功率点最大功率点 通过伏安特性曲线上的某个工通过伏安特性曲线上的某个工作点，作一水平线，与纵坐标相交作点，作一水平线，与纵坐标相交点为点为I；再作一垂直线，与横坐标；再作一垂直线，与横坐标相交点为相交点为U。这两条线与横坐标和纵坐标所这两条线与横坐标和纵坐标所包围的矩形包围的矩形(jxng)面积，在数值面积，在数值上就等于电压上就等于电压U和电流和电流I的乘积，的乘积，即输出功率。即输出功率。伏安特性曲线上的任意一个工伏安特性曲线上的任意一个工作点，都对应一个确定的输出功率。作点，都对应一个确定的输
21、出功率。第二十页，共27页。OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心研发中心二、太阳能电池二、太阳能电池(dinch)的主要技术参数的主要技术参数(5)最大功率点最大功率点 不同的工作点输出功率也不一样，不同的工作点输出功率也不一样，但总可以找到一个工作点，其包围但总可以找到一个工作点，其包围(bowi)的矩形（的矩形（OImMUm）面积最大，）面积最大，也就是其工作电压也就是其工作电压U和电流和电流I的乘积最大，的乘积最大，因而输出功率也最大，该点即为最佳工因而输出功率也最大，该点即为最佳工作点，即作点，即 在此最大功率点，有在此最大功率点，有dPm/dU=0，因此有：因此
22、有：第二十一页，共27页。OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心研发中心二、太阳能电池二、太阳能电池(dinch)的主要技术参数的主要技术参数(5)最大功率点最大功率点 由图看出，如果太阳电池由图看出，如果太阳电池工作在最大功率点左边，也就工作在最大功率点左边，也就是电压从最佳工作电压下降时，是电压从最佳工作电压下降时，输出功率要减少；而超过最佳输出功率要减少；而超过最佳工作电压后，随着工作电压后，随着(su zhe)电压电压的上升，输出功率也要减少。的上升，输出功率也要减少。通常太阳电池所标明的功通常太阳电池所标明的功率，是指在标准工作条件下最率，是指在标准工作条件下最大
23、功率点所对应的功率。大功率点所对应的功率。第二十二页，共27页。OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心研发中心二、太阳能电池二、太阳能电池(dinch)的主要技术参数的主要技术参数(5)最大功率点最大功率点 实际工作时，往往实际工作时，往往(wngwng)并不是在标准测试并不是在标准测试条件下工作，而且一般也不一条件下工作，而且一般也不一定符合最佳负载的条件，再加定符合最佳负载的条件，再加上一天中太阳辐照度和温度也上一天中太阳辐照度和温度也在不断变化，所以真正能够达在不断变化，所以真正能够达到额定输出功率的时间很少。到额定输出功率的时间很少。有些光伏系统采用有些光伏系统采用
24、“最大最大功率跟踪器功率跟踪器”，可在一定程度上，可在一定程度上增加输出的电能。增加输出的电能。第二十三页，共27页。OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心研发中心二、太阳能电池二、太阳能电池(dinch)的主要技术参数的主要技术参数(6)太阳电池太阳电池(ti yn din ch)的转换效率的转换效率 太阳电池太阳电池(ti yn din ch)接受光照的最大功率与入接受光照的最大功率与入射到该电池上的全部辐射功率射到该电池上的全部辐射功率的百分比称为太阳电池的百分比称为太阳电池(ti yn din ch)的转换效率，即的转换效率，即。第二十四页，共27页。OLED研发中
25、心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心研发中心二、太阳能电池二、太阳能电池(dinch)的主要技术参数的主要技术参数(6)太阳电池的转换效率太阳电池的转换效率(xio l)式中式中 Um、Im最大输出功率最大输出功率点的电压、电流；点的电压、电流；At包括栅线面积在内的太包括栅线面积在内的太阳电池总面积（也称全面积）；阳电池总面积（也称全面积）；Pin单位面积入射光的功单位面积入射光的功率。率。第二十五页，共27页。OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心研发中心二、太阳能电池二、太阳能电池(dinch)的主要技术参数的主要技术参数(6)太阳电池的转换效率太阳电池的转换
26、效率 研究表明，造成太阳能电池研究表明，造成太阳能电池能量损失的主要因素有：能量损失的主要因素有：第一位的损失是热损失，光生第一位的损失是热损失，光生载流子对能很快地将能带多余载流子对能很快地将能带多余(duy)的能量以热的形式损失掉。的能量以热的形式损失掉。为减少热损失，可设法让通过电为减少热损失，可设法让通过电池的光子能量恰好大于能带能量，池的光子能量恰好大于能带能量，使光子的能量激发出的光生载流使光子的能量激发出的光生载流子无多余子无多余(duy)的能量可损失。的能量可损失。第二十六页，共27页。OLED研发中心 电子科技大学电子科技大学OLED研发中心研发中心二、太阳能电池二、太阳能电
27、池(dinch)的主要技术参数的主要技术参数(6)太阳电池的转换效率太阳电池的转换效率 研究研究(ynji)表明，造成太阳表明，造成太阳能电池能量损失的主要因素有：能电池能量损失的主要因素有：另一主要损失是电子空穴对引另一主要损失是电子空穴对引起的。为减少电子空穴结合所造起的。为减少电子空穴结合所造成的损失，可设法延长光生载流成的损失，可设法延长光生载流子寿命，这可通过消除不必要的子寿命，这可通过消除不必要的缺陷来实现。缺陷来实现。还有一部分能量是由还有一部分能量是由p-n结和结和接触电压损失引起的。为减少接触电压损失引起的。为减少p-n结的接触电压损失，可通过聚焦结的接触电压损失，可通过聚焦太阳光以加大光子密度的方法来太阳光以加大光子密度的方法来实现。实现。第二十七页，共27页。