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1、技术应用研究与开发 331 技术应用研究与开发中国原子能科学研究院2006年度核应用技术产业年度报告资产经营处2006年是中国原子能科学研究院民品发展不平凡之年，我院核应用技术产业抓住发展契机，按照“积极落实规划，坚决打好开局”的工作思路，经广大民品战线干部职工艰苦努力，圆满完成了2006年民品工作任务，实现经营性收入2.95亿元，同比增长达5%，超额完成了中核集团公司下达的经营性收入指标。为使我院核应用技术产业走上规模化快速发展的道路，院民品工作紧紧抓住核应用技术产业管理体系建设和相关配套政策制定等工作重心，既保证完成年度经营目标，又从体系建设上为核应用技术产业的长久发展奠定坚实的基础。以下
2、是2006年度我院核应用技术产业的基本概况。1 2006年院民品生产经营继续保持稳定增长态势今年我院总体生产经营情况稳定，产品的订货合同及技术服务合同的完成情况良好，各项经济指标继续保持稳定增长态势。2 核应用产业管理体系建设2006年我院核应用技术产业管理体系进行了一系列改革，形成了较完整的各级管理体系。2.1 核应用产业董事局的组建根据2006年9月27日院务会精神，为了进一步规范院核应用技术产业的经营管理行为，行使和维护资产所有者的合法权益；促进我院核应用技术产业的发展，院完成中国原子能科学研究院核应用产业董事局组建工作。作为院核应用技术产业决策的最高机构，核应用产业董事局的职能为：1）
3、根据院党政领导联席会意见，聘任原子能院全资企业的董事长、董事及监事会成员。2）根据院党政领导联席会意见，推荐原子能院控股、参股企业的董事长及院方董事和监事会成员。3）批准院全资及准企业董事会提交的企业中长期发展规划。4）批准院全资及准企业董事会提交的有关企业重大投资、融资方案、利润分配方案及企业负责人年薪制等重大事项。核应用产业董事局的成立，对于完善我院核应用产业管理，使全资、控股、参股企业按照现代企业制度规范管理具有深远的影响。2.2 准企业化管理模式的建立根据我院实际情况，对经营相对独立的氧化锆、工业铱源、核仪器仪表厂等项目进行准企业化管理。2006年11月，由院核应用产业董事局正式批准成
4、立了准企业董事会，其成员主要包括院主管民品的副院长、各所主管民品的相关领导及院相关职能处室人员。并由准企业董事会聘任了部分准企业经理，这是我院在新时期对民品项目管理进行的有益尝试，对培育民品企业，规范民品经营行为有着积极的示范作用。准企业化管理的运作方式是以原子能院为单位，成立准企业董事会，由准企业董事会聘任经理层依法对准企业进行经营管理，自主经营，自负盈亏。资产经营处是原子能院董事会的常务办事机构，代表原子能院对院经营性资产的保值、增值行使监督管理职责。2.3 经营性资产全过程管理资产经营处增设了投资科，担负起核技术应用相关经营资产的投资、运营、收益、激励等全过程管理，对院兴办的公司、企业实
5、施投资人及院派出董事、监事、股东代表的管理等职能，进一步强化了院经营性资产管理职能，明确了院核应用技术产业相关经营性资产归口管理部门。3 制定调整产业政策3.1 制定、落实核应用技术产业“十一五”规划近几年来，核应用技术得到国家的高度重视，并将其纳入国家高新技术发展规划。根据核应用技术产业新的发展形势，为了更好地发挥我院在该领域的作用，按照集团公司核应用技术产业规划精神，经数次讨论、修改，完成了中国原子能科学研究院核应用技术“十一五”规划的编制工作。本规划确立了我院核应用技术产业“十一五”期间发展的指导方针，基本原则和目标，这是我院核应用技术产业“十一五”发展的纲领性文件，是制定民品其他计划目
6、标、配套政策的依据。 3.2 激励政策为充分调动民品经营人员的积极性，院出台了原子能院经营性实体及准企业第一负责人年薪收入实施办法。该办法适用于全资附属企业及准企业第一负责人，企业负责人在一个经营年度内将依据其经营业绩、安全生产、质量管理经综合考核后按政策规定确定年薪收入，该办法的实行将极大地调动各企业经营管理者的积极性。3.3 规范转民基金制度我院现行“转民专用基金”的提取及日常管理不能完全符合军工事业单位会计制度和企业所得税法等现行法规的要求，因此对院转民专用基金项目进行了清理。增设了院科技成果转化基金（下设产业基金），并对产业基金支持范围、对象、审批手续以及监督管理进行规范，使其为我院核
7、应用技术产业发展发挥最大效能。3.4 完成院一般纳税人资格审核根据税务机关要求，2006年我处配合财务资产处完成了一般纳税人资格审核，统一了中国原子能科学研究院经营活动的账号和税号，进一步规范了我院的经营行为。4 培育了新经济增长点2006年院加大了对具有一定市场前景的项目的支持力度，共下拨经费70.85万元。已经通过验收的项目有：蒸汽恒温箱升级改造，吹气液位测量装置开发，高性能陶瓷闪烁体研发等三项。延续项目有：大功率辐照加速器配套科研开发，便携式多道谱仪研发等项目。新开展项目有：氧化锆中试生产线建设，家用报警器的研制，J3000火灾报警系统改造等项目。5 重点项目进展良好5.1 303钴源分
8、装热室建设开展了热室建设工程中的初步设计方案变更以及与加拿大方面进行谈判相关事宜。并按照集团公司组织对303热室改扩建工程初步评审会的意见，编制了职业病危害预评审和职业劳动安全评审两个报告，提交集团公司审核。5.2 钴源退役工程 2006年11月16日我院与中国科学院生物物理研究所就钴源退役工程正式签署总承包协议，目前正按计划积极编制环境影响评价报告和项目实施方案。该工程是我院第一次承接核设施退役任务，为我院在核设施退役领域积累经验，培养技术人才等方面创造了机会，提高了我院在国内放射性退役工程中的地位。5.3 CARR单晶硅辐照孔道建设按照院长办公会会议纪要（原纪要2006422号）精神，经资
9、产经营处与综合计划处和新堆设计部、工程部及堆工所等单位的多次沟通协调，对项目可行性进行分析论证，CARR单晶硅辐照孔道建设目前进入接口设计阶段。5.4 大功率辐照加速器调试安装该示范工程截至2006年底累计投资2 840万元，目前已完成厂房及配套设施的基础建设和加速器安装，经调试，加速器的技术指标已达到生产要求，生产传输系统正在安装调试。6 电子仪器厂改革调整2006年电子仪器厂进行了改革调整，明确了调整改革后电子仪器厂的发展方向、调整改革措施及实施步骤。现已完成电子仪器厂厂级领导班子，中层干部以及员工的招聘工作，下一步将准备开展未竞聘上岗职工的院内分流工作。7 对外合作7.1 与西安核仪器2
10、62厂合作为加强集团公司内部成员单位间合作，结合我院和262厂各自的特点和需求，经过双方友好协商，2006年4月我院与西安262厂签订了合作框架协议，双方在研发、生产、市场开发以及人员培训等方面强强联合，共同开拓市场，实现院、厂双赢，最终促进集团公司乃至我国核应用技术产业的发展。此外，双方签订了实体保卫安装业务培训协议，目前正按计划进行。7.2 丰台科技园区2006年11月28日，我院取得了丰台科技园区二期土地证。至此，丰台科技园区房屋及土地凭证全部办理完毕。2006年丰台科技园区实现安全运行与管理，同时积极做好招租工作，在此基础上进一步完善丰台园区建设规划，争取对外合作开发。8 原子高科平稳
11、发展8.1 经营情况良好作为我院核应用技术产业龙头企业的原子高科也取得了丰硕的成果，实现经营性收入1.82亿元。2006年7月28日，原子高科进入中关村代办转让系统挂牌仪式在深圳证券交易所举行，成为了中核集团公司核技术应用系统第一家在深圳证券交易所代办转让系统挂牌的公司，这标志着原子高科迈出了接通资本市场的第一步，也为原子高科今后上市融资奠定了基础。8.2 重点项目进展良好1）尿素C-13服务中心建设截止11月底，已在北京、广州、天津、上海、石家庄、太原等全国多个主要城市建立尿素C-13服务中心，目前各服务中心运行情况良好,2006年可实现经营性收入200万元。2）99Tcm、PET显像药物供
12、药中心筹建杭州同位素医药中心已完成GMP改造工程，并取得放射性药品生产许可证和放射性药品经营许可证。目前正在向国家药监局申请GMP认证。济南、天津同位素医药中心已完成GMP改造工程，并通过环境评价。目前进入申领放射性药品生产许可证和放射性药品经营许可证阶段。广州正电子药物研发中心投资1 300万，已完成设备安装、调试工作，六月份投入试运行，后半年实现经营性收入400万，利润150万，达到了当年投产，当年收益的目标。广州正电子药物研发中心的落成, 标志着原子高科在放射性药物研发领域已进入一个崭新的发展阶段。9 其它9.1 民品结算及减免税工作完成了2006年年终民品结算工作，在此项工作的基础上，
13、根据国家有关文件精神，完成了本年度技术性收入营业税和所得税的减免税申报工作，使我院充分享受到国家对科研单位的有关税收优惠政策。9.2 技术合同管理工作2006年我院共完成29项技术合同的认定、登记和管理工作，签订合同总金额1 680万元。根据院质量程序文件的有关要求，完成了对技术服务项目的合同评审、方案评审、预验收评审的归口管理工作和对所有技术服务项目定期的监督检查工作，规范了我院技术服务项目的管理和实施。北京市地方税务局于2005年10月发布了取消技术交易免征营业税审批项目后续管理办法(试行)，凡从事技术开发、技术转让和与之相关的技术咨询、技术服务的单位和个人，都需要依照新办法照章履行申报备
14、查程序，根据新免税管理办法和技术合同管理办法，我院制定了相应的开具发票行为管理办法，规范了开具技术性收入发票的行为。9.3 宣传工作为了加强宣传我院核应用技术产业，2006年在网上家园“核技术产业园”栏目及时发布了产业新闻和相关政策法规，并通过院外网宣传了我院的产业信息。9.4 统计工作根据中核集团公司文件的要求，院资产经营处于每月按时上报高新技术产业月报，提交了高新技术产业季度报告和年度分析报告，并按要求上报重点项目进展情况。GaAs化合物半导体电流型探测器丁洪林，张万昌，孟 欣，孙 亮完成了GaAs化合物半导体电流型探测器的结构设计、化学腐蚀表面处理、电极制备。采用高阻半绝缘材料，LEC技
15、术生长的高阻GaAs单晶（=108 cm），用面垒工艺或外延工艺技术，制备薄的pn结层，以得到高的反向偏压和低漏电流，达到快响应和高线性电流。GaAsPIN探测器制备工艺如下。 1）割片：将高阻GaAs单晶割成f25、f20、f16 mm的圆片，研磨到相应厚度（300 m）。2）去油清洗。3）表面处理：配制腐蚀液H2SO4、H2O2、H2O的比例为3:1:1，在50 C的恒温条件下，化学腐蚀抛光24 min；去离子水淬灭、清洗。4）蒸发制备电极：GaAs的两面分别真空蒸发NiGeAu和Au-Zn合金，并在360430 C的温区进行真空热处理，恒温1015 min。5）探测器封装。6）蒸发制备欧
16、姆接触，引出电极。研制成f25、f20、f16 mm GaAsPIN探测器样品，并对f25、f20 mm GaAsPIN探测器进行了漏电流及时间响应测量。图1为f16、f20、f25 mm GaAsPIN探测器初步样品。图2为探测器漏电流测量方法示意图。测量结果为：探测器工作电压500 V时，漏电流约为10 nA。图1 f16、f20、f25 mm GaAsPIN探测器初步样品图2 探测器漏电流测量方法示意图CdZnTe化合物半导体探测器郝晓勇完成了CdZnTe化合物半导体探测器的设计。CdZnTe材料具有较高的原子序数（48、30、52），较高的材料密度（5.78 g/cm3）和较宽的禁带宽度（Eg1.57 eV），单晶的电阻率高（1010 cm）。用CdZnTe单晶制备的CdZnTe探测器对X、射线有较高的探测效率，可在室温工作。采用甄别级的CdZnTe材料经化学腐蚀、表面处理、电极制备等加工工艺处理后，得到了电极结构简单，具有较好能量分辨率的探测器。可用于对X、射线的能量分析，放射性核素检测，核医学，构成便携式的能谱分析，核保障监测，以及对有特殊用途的放射性核素的监测、放射性操作中的监控、核电站放射性监测、核成像等。