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1、EXIT第十章半导体存储器第十章半导体存储器 1 1概述概述2 2顺序存取存储器顺序存取存储器(SAM)3 3只读存储器只读存储器(ROM)4 4随机存取存储器随机存取存储器(RAM)5 5本章小结本章小结本章目标本章目标 通过对本章的学习，读者可以具备下述实力：通过对本章的学习，读者可以具备下述实力：1了解半导体存储器的基本结构、工作原理了解半导体存储器的基本结构、工作原理和用途和用途 2了解依次存储器的结构和工作原理了解依次存储器的结构和工作原理 3驾驭只读存储器的类型特点、工作原理和驾驭只读存储器的类型特点、工作原理和应用应用 4驾驭随机存储器的类型特点、工作原理和驾驭随机存储器的类型特
2、点、工作原理和应用应用 5驾驭用存储器实现组合逻辑函数驾驭用存储器实现组合逻辑函数10.1概述概述 了解半导体存储器的了解半导体存储器的作用、类型与特点作用、类型与特点一、一、半导体存储器的作用半导体存储器的作用 存放二值数据存放二值数据二、二、半导体存储器的分类半导体存储器的分类 按制造工艺分类：按制造工艺分类：双极型：工作速度快、功耗大、价格较高。双极型：工作速度快、功耗大、价格较高。MOSMOS型：集成度高、功耗小、工艺简洁、价格低。型：集成度高、功耗小、工艺简洁、价格低。10.1.1 半导体存储器的特点与应用半导体存储器的特点与应用例例如如计计算算机机中中的的自自检检程程序序、初初始始
3、化化程程序序便便是是固固化化在在 ROM 中中的的。计计算算机机接接通通电电源源后后，首首先先运运行行它它，对对计计算算机机硬硬件件系系统统进进行行自自检检和和初初始始化化，自自检检通通过过后后，装装入入操操作作系系统统，计算机才能正常工作。计算机才能正常工作。只读存储器只读存储器(ROM，即即Read-Only Memory)随机存取存储器随机存取存储器(RAM，即即Random Access Memory)RAM 既既能能读读出出信信息息又又能能写写入入信信息息。它它用用于于存存放放需需常常常常变变更更的的信信息息，断断电电后后其其数数据据将将丢丢失失。常常用用于于存存放放临临时时性数据或
4、中间结果。性数据或中间结果。例如例如 计算机内存就是计算机内存就是 RAM ROM 在在工工作作时时只只能能读读出出信信息息而而不不能能写写入入信信息息。它它用用于于存存放放固固定定不不变变的的信信息息，断断电电后后其其数数据据不不会会丢丢失失。常常用用于于存存放放程序、常数、表格等。程序、常数、表格等。2、按存取方式不同，半导体存储器可分成只读存、按存取方式不同，半导体存储器可分成只读存储器储器ROM、随机存取存储器、随机存取存储器RAM和依次存取存储器和依次存取存储器SAM。2.存储容量及其表示存储容量及其表示用用“M”表示表示“1024 K”，即，即 1 M=1024 K=210 K=2
5、20 1.存储容量及其表示存储容量及其表示 指存储器中存储单元的数量指存储器中存储单元的数量 例如，一个例如，一个 64 8 的的 ROM，表示它有，表示它有 64 个字，个字，字长为字长为 8 位，存储容量是位，存储容量是 64 8=512。对于大容量的对于大容量的 ROM常用常用“K”表示表示“1024”，即，即 1 K=1024=210 ；例如，一个例如，一个 64 K 8 的的 ROM，表示它有，表示它有 64 K 个字，个字，字长为字长为 8 位，存储容量是位，存储容量是 64 K 8=512 K。一般用一般用“字数字数 字字长长(即位数即位数)”)”表示表示10.1.2 半导体存储
6、器的主要技术指标半导体存储器的主要技术指标2.存取时间和存取周期存取时间和存取周期 存储器的一次操作存储器的一次操作(读或写读或写)所须要的时间。称存储器存所须要的时间。称存储器存取访问时间。取访问时间。了解依次存取存储器了解依次存取存储器(SAM)的作用的作用了解依次存取存储器的电路结构和组成了解依次存取存储器的电路结构和组成 10.2依次存取存储器（依次存取存储器（SAM）10.2.1 先入先出的依次存取存储器先入先出的依次存取存储器 时钟信号时钟信号CPCP的周期为的周期为TCTC，则存储深度为，则存储深度为N N的的SAMSAM完成一完成一次读写须要的时间为次读写须要的时间为T=NTC
7、T=NTC。写操作：数据从写操作：数据从DI端逐位输入，从端逐位输入，从D0端输出端输出 读操作：数据从读操作：数据从D0输出，同时数据返回到移位寄输出，同时数据返回到移位寄存器的输入端，实现存储数据的循环移位。存器的输入端，实现存储数据的循环移位。10.2.2 先入后出的依次存取存储器先入后出的依次存取存储器 读操作：读操作：移移存存器器执执行行右右移移操操作作，存存于于各各移移存存器器最最右右端端的的数数据据最最先先由由I/O端端读出。读出。移移存存器器执执行行左左移移操操作作，由由I/O端端最最先先送送入入的的数数据据存存于于各各移移存存器器的的最右端。最右端。写操作：写操作：了解了解
8、ROM 的类型和结构，理解其工作原理的类型和结构，理解其工作原理 了解集成了解集成 EPROM 的运用的运用 理解理解字、位、存储容量字、位、存储容量等概念等概念 10.3只读存储器只读存储器按按数数据据写写入入方方式式不不同同分分掩模掩模 ROM 可编程可编程 ROM(Programmable ROM，简称，简称 PROM)可擦除可擦除 PROM(Erasable PROM，简称，简称 EPROM)电可擦除电可擦除 EPROM(Electrically EPROM，简称，简称 E2PROM)10.3.1 ROM 的类型及其特点的类型及其特点 写写入入的的数数据据可可电电擦擦除除，用用户户可可
9、以以多次改写存储的数据。运用便利。多次改写存储的数据。运用便利。其其存存储储数数据据在在制制造造时时确确定定，用用户不能变更。用于批量大的产品。户不能变更。用于批量大的产品。其其存存储储数数据据由由用用户户写写入入。但但只能写一次。只能写一次。写写入入的的数数据据可可用用紫紫外外线线擦擦除除，用户可以多次改写存储的数据。用户可以多次改写存储的数据。10.3.2 ROM 的结构和工作原理的结构和工作原理 一、存储矩阵一、存储矩阵 由存储单元按字由存储单元按字(Word)和位和位(Bit)构成的距阵构成的距阵 由存储距阵、地址译码器由存储距阵、地址译码器(和输出电路和输出电路)组成组成 存存储储矩
10、矩阵阵输输出出电电路路EN1111D3RY3Y2Y1Y0W0A0A1地地址址译译码码器器位位线线W1W2W3RRREND2D1D0(a)电路图 44位二极管固定ROM字线字线芯芯片片在在制制造造时时就就把把须须要要存存储储的的内内容容用用电电路路结结构构固固定定下来，运用时无法再变更。下来，运用时无法再变更。二极管固定二极管固定ROM字字线线和和位位线线的的交交叉叉处处代代表表一一个个存存储储单单元元，有有二二极极管管表示存表示存1，否则表示存，否则表示存0。A1 A0D3D2D1D00 000000 100011 011101 1111144位ROM数据表1.存储矩阵的结构与工作原理存储矩阵
11、的结构与工作原理 4 4 存储矩阵结构示意图存储矩阵结构示意图 W3W2W1W0D3D2D1D0字字线线位线位线字线与位线的交叉字线与位线的交叉点即为点即为存储单元存储单元。每个存储单元可以每个存储单元可以存储存储 1 位二进制数。位二进制数。交叉处的圆点交叉处的圆点 “”表示存储表示存储“1”；交；交叉处无圆点表示存储叉处无圆点表示存储“0”。当某字线被选中时，当某字线被选中时，相应存储单元数据从位相应存储单元数据从位线线 D3 D0 输出。输出。10 1 110 1 1从位线输出的每组二进制代码称为一个字。一个从位线输出的每组二进制代码称为一个字。一个字中含有的存储单元数称为字长，即字长字
12、中含有的存储单元数称为字长，即字长=位数。位数。W31.存储矩阵的结构与工作原理存储矩阵的结构与工作原理 3.存储单元结构存储单元结构2.存储单元结构存储单元结构 (1)固定固定 ROM 的存储单元结构的存储单元结构 二极管二极管 ROM TTL-ROM MOS-ROM Wi Dj Wi Dj VCC Wi Dj+VDD 1接半导体管后成为储接半导体管后成为储 1 单元；单元；若不接半导体管，则为储若不接半导体管，则为储 0 单元。单元。(2)PROM 的存储单元结构的存储单元结构 PROM 出厂时，全部熔丝都连通，存储单元的内容为出厂时，全部熔丝都连通，存储单元的内容为全全 1(或全或全 0
13、)。用户可借助编程工具将某些单元改写为。用户可借助编程工具将某些单元改写为 0 (或或 1),这只要将需储这只要将需储 0(或或 1)单元的熔丝烧断即可。单元的熔丝烧断即可。熔丝烧断后不行复原，因此熔丝烧断后不行复原，因此 PROM 只能一次编程。只能一次编程。二极管二极管 ROM TTL-ROM MOS-ROM Wi Dj Wi Dj VCC Wi Dj+VDD 1熔丝熔丝熔丝熔丝熔丝熔丝(3)可擦除可擦除 PROM 的存储单元结构的存储单元结构 EPROM 利利用用编编程程器器写写入入数数据据，用用紫紫外外线线擦擦除除数数据据。其其集集成成芯芯片片上上有有一一个个石石英英窗窗口口供供紫紫外
14、外线线擦擦除除之之用用。芯芯片片写写入入数数据据后后，必必需需用用不不透透光光胶胶纸纸将将石石英英窗窗口口密密封封，以以免免破坏芯片内信息。破坏芯片内信息。E2PROM 可可以以电电擦擦除除数数据据，并并且且能能擦擦除除与与写写入入一一次次完成，性能更优越。完成，性能更优越。用一个特殊的浮栅用一个特殊的浮栅 MOS 管替代熔丝。构成管替代熔丝。构成EPROM和和EEPROM3 34m4mN+N+SiO2P型硅衬底型硅衬底SGD控制栅控制栅(多晶硅多晶硅)浮栅浮栅(多晶硅多晶硅)构成EPROM存储单元的叠层栅MOS管剖面示意图SiO2PS1G1D1擦写栅擦写栅(多晶硅多晶硅)浮栅浮栅(多晶硅多晶
15、硅)构成EEPROM存储单元的浮置栅型场效应管示意图 N+N+SiO2极薄层极薄层G1D1S10+21V(a)剖面示意图(b)浮栅俘获电子示意图刚才介绍了刚才介绍了ROM中的存储距阵，中的存储距阵，下面将学习下面将学习ROM中的地址译码器。中的地址译码器。(二二)地址译码器地址译码器二、二、地址译码器地址译码器从从 ROM 中中读读出出哪哪个个字字由由地地址址码码确确定定。地地址址译译码码器器的的作作用用是是：依依据据输输入入地地址址码码选选中中相相应应的的字字线，使该字内容通过位线输出。线，使该字内容通过位线输出。例如，某例如，某 ROM 有有 4 位地址码，则可选择位地址码，则可选择 24
16、=16 个字。个字。设输入地址码为设输入地址码为 1011，则字线，则字线 W11 被选中，该被选中，该 字内容通过位线输出。字内容通过位线输出。存储矩阵中存储矩阵中存储单元的存储单元的编址方式编址方式单译码编址方式单译码编址方式双译码编址方式双译码编址方式适用于小适用于小容量存储器。容量存储器。适用于大适用于大容量存储器。容量存储器。又称单译码编址方式或单地址寻址方式又称单译码编址方式或单地址寻址方式D1D7地地址址译译码码器器0,01,031,031,10,11,1A0A1A431,70,71,7W0W1W31D0单地址译码方式单地址译码方式 32 8 存储器的结构图存储器的结构图1.单地
17、址译码方式单地址译码方式一个一个 n 位地址码的位地址码的 ROM 有有 2n 个字，对应个字，对应 2n 根字线，选中字线根字线，选中字线 Wi 就选中了该字的全部位。就选中了该字的全部位。32 8 存储矩阵排成存储矩阵排成 32 行行 8 列，每一行对应一个字，每一列，每一行对应一个字，每一列对应列对应 32 个字的同一位。个字的同一位。32 个字须要个字须要 5 根地址输入线。当根地址输入线。当 A4 A0 给出一个地址信号时，便可选中相应字的全部存储单元。给出一个地址信号时，便可选中相应字的全部存储单元。例如，当例如，当 A4 A0=00010 时，选中字线时，选中字线 W2，可将，可
18、将(0，0)(0，7)这这 8 个基本存储单元的内容同时读出。个基本存储单元的内容同时读出。基本单元为基本单元为 存储单元存储单元A5A7行行地地址址译译码码器器W0W1W15W31W16W17A0A1A3W255W240W241X0X1X15A4双地址译码方式双地址译码方式 256 字存储器的结构图字存储器的结构图A2列列地地址址译译码码器器A6Y1Y15Y0又称双译码编址方式或双地址寻址方式又称双译码编址方式或双地址寻址方式地址码分成行地址码和列地址码两组地址码分成行地址码和列地址码两组2.双地址译码方式双地址译码方式基本单元基本单元为字单元为字单元例如例如 当当 A7 A0=000111
19、11 时，时，X15 和和 Y1 地址线均地址线均 为高电平，字为高电平，字W31 被选中，其存储内容被读出。被选中，其存储内容被读出。若接受单地址译码方式，则需若接受单地址译码方式，则需 256 根内部地址线。根内部地址线。256 字存储器须要字存储器须要 8 根地址线，分为根地址线，分为 A7 A4 和和 A3 A0 两两组。组。A3 A0 送入行地址译码器，产生送入行地址译码器，产生 16 根行地址线根行地址线(Xi)；A7 A4 送入列地址译码器，产生送入列地址译码器，产生 16 根列地址线根列地址线(Yi)。存储。存储矩阵中的某个字能否被选中，由行、列地址线共同确定。矩阵中的某个字能
20、否被选中，由行、列地址线共同确定。10.3.3、集成、集成 EPROM 举例举例 27 系系列列 EPROM 是是最最常常用用的的 EPROM，型型号号从从 2716、2732、2764 始始终终到到 27C040。存存储储容容量量分分别别为为 2K 8、4K 8始始终终到到 512K 8。下下面面以以 Intel 2716 为例，介绍为例，介绍EPROM功能及运用方法。功能及运用方法。VCCIntel 2716A8A9VPPOEA10CSD7D6D5D4D3A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GND123456789101112242322212019181716151413 A10
21、 A0 为地址码输入端。为地址码输入端。D7 D0 为数据线，工作时为为数据线，工作时为数据输出端，编程时为写入数据数据输出端，编程时为写入数据输入端。输入端。VCC 和和 GND：+5 V 工作电源工作电源和地。和地。VPP 为编程高电平输入端。编程时加为编程高电平输入端。编程时加+25 V 电压，工作时加电压，工作时加+5 V 电压。电压。一、一、Intel 2716Intel 2716的的引脚图引脚图及其功能及其功能 CS 有两种功能：有两种功能：(1)工作时为片选使能端，低电工作时为片选使能端，低电 平有效。平有效。CS=0 时，芯片被时，芯片被 选中，处于工作状态。选中，处于工作状态
22、。(2)编程时为编程脉冲输入端。编程时为编程脉冲输入端。OE 为允许数据输出端，低电为允许数据输出端，低电平有效。平有效。OE=0 时，允许读出数时，允许读出数据；据；OE=1 时，不能读出数据。时，不能读出数据。存储容量为存储容量为 2 K 字字 二、二、由由 CS、OE 和和 VPP 的不同状态，确定的不同状态，确定 2716 的下列的下列 5 种工作方式种工作方式 1 1、读方式：读方式：当当 CS=0、OE=0，并有地址码输入时，并有地址码输入时，从从 D7 D0 读出读出该地址单元的数据。该地址单元的数据。2 2、维持方式：当维持方式：当 CS=1 时，数据输出端时，数据输出端 D7
23、 D0 呈高阻呈高阻 隔离态隔离态，此时芯片处于维持状态，电源电，此时芯片处于维持状态，电源电 流下降到维持电流流下降到维持电流 27 mA 以下。以下。3 3、编程方式：编程方式：OE=1，在，在 VPP 加入加入 25 V 编程电压，在地址编程电压，在地址 线上输入单元地址，数据线上输入要写入的线上输入单元地址，数据线上输入要写入的 数据后，在数据后，在 CS 端送入端送入 50 ms 宽的编程正脉宽的编程正脉 冲冲，数据就被写入到由地址码确定的存储单数据就被写入到由地址码确定的存储单 元中。元中。4 4、编程禁止：编程禁止：在编程方式下，如果在编程方式下，如果 CS 端不送入编程正脉端不
24、送入编程正脉 冲，冲，而保持低电平，则芯片不能被编程，此时为编而保持低电平，则芯片不能被编程，此时为编程禁止方式，数据端为高阻隔离态。程禁止方式，数据端为高阻隔离态。5 5、编程检验：编程检验：当当 VPP=+25 V，CS 和和 OE 均为有效电平时，均为有效电平时，送入地址码，可以读出相应存储单元中的送入地址码，可以读出相应存储单元中的 数据，以便检验。数据，以便检验。由于由于 PROM 的地址译码器能译出地址码的的地址译码器能译出地址码的全部最小项，全部最小项，而而PROM 的存储矩阵构成了可编的存储矩阵构成了可编程或门阵列，因此，通过编程可从程或门阵列，因此，通过编程可从 PROM 的
25、位的位线输出端得到随意标准与线输出端得到随意标准与-或式。由于全部组或式。由于全部组合逻辑函数均可用标准与合逻辑函数均可用标准与-或式表示，故理论或式表示，故理论上可用上可用 PROM 实现随意组合逻辑函数。实现随意组合逻辑函数。1.为什么为什么用用 PROM 能实现组合逻辑函数？能实现组合逻辑函数？10.3.4 用用PROM 实现组合逻辑函数实现组合逻辑函数 为了便于用为了便于用 可编程可编程ROM 实现组合逻辑函实现组合逻辑函数，首先须要理解数，首先须要理解 可编程可编程ROM 结构的习惯画结构的习惯画法。法。2.PROM 结构的习惯画法结构的习惯画法AB与与门门和和或或门门的的习习惯惯画
26、画法法CY&ABCY1ABCY&ABCY1A1A0地址译码器地址译码器(为与阵列为与阵列)D3D2D1D0W3W2W1W0&A1 A0=m3A1 A0=m2A1 A0=m1A1 A0=m01存储矩阵存储矩阵(为或阵列为或阵列)1&A1地址译码器地址译码器(为与阵列为与阵列)W3W2W1W0D3=m3+m2+m0D3=m2+m1D3=m3+m0D3=m3+m2&1&1A0 m3 m2 m1 m01111存储矩阵存储矩阵(为或阵列为或阵列)PROM 结结构构的的习习惯惯画画法法3.用用 可编程可编程ROM 实现组合逻辑函数实现组合逻辑函数 例例 试用试用 可编程可编程ROM 实现下列逻辑函数实现下
27、列逻辑函数解：解：(1)将函数化为标准与将函数化为标准与-或式或式(2)确定存储单元内容确定存储单元内容由函数由函数 Y1、Y2 的标准与的标准与-或式知：或式知：与与 Y1 相应的存储单元中，字线相应的存储单元中，字线 W1、W4、W5、W6 对应的存储单元应为对应的存储单元应为 1；对应对应 m1、m4、m5、m6与与 Y2 相应的存储单元中，字线相应的存储单元中，字线 W3、W5、W6、W7 对应的存储单元应为对应的存储单元应为 1。(3)画出用画出用 可编程可编程ROM 实现的逻辑图实现的逻辑图A11B1C1&1m0m1m2m3m4m5m6m7地地址址译译码码器器Y1Y210.4 快闪
28、存储器快闪存储器 快闪存储器快闪存储器(Flash Memory)，简称闪存。它具有，简称闪存。它具有EPROM的的结构简洁、编程牢靠的优点，同时又具有结构简洁、编程牢靠的优点，同时又具有E2PROM的在电路中的在电路中电擦除特性，与电擦除特性，与E2PROM相比较，集成度有较大幅度的提高。相比较，集成度有较大幅度的提高。快闪存储器中的叠栅快闪存储器中的叠栅MOS管和符号管和符号 快闪存储器的存储单元快闪存储器的存储单元 快闪存储器的两种构造形式快闪存储器的两种构造形式 NAND闪存的应用闪存的应用主要集中在大容量闪存主要集中在大容量闪存盘盘(U盘盘)的制造方面的制造方面 NOR闪存主要用来闪
29、存主要用来存储程序代码等必需干存储程序代码等必需干脆依据实际物理地址访脆依据实际物理地址访问的信息，容量在问的信息，容量在16MB以下以下 驾驭驾驭 RAM 的类型、结构和工作原理的类型、结构和工作原理 了解集成了解集成 RAM 的运用的运用驾驭驾驭RAM 和和 ROM 的异同的异同10.5 随机存取存储器随机存取存储器 驾驭驾驭 RAM 的扩展方法的扩展方法10.5.1 RAM 的结构、类型和工作原理的结构、类型和工作原理 地地址址译译码码器器存储矩阵存储矩阵读读/写控制电路写控制电路2n m RAM 的结构图的结构图 A0A0An-1I/O0I/O1I/Om-1R/WCSRAM 与与 RO
30、M 的比较的比较 相相同同处处 都含有地址译码器和存储矩阵都含有地址译码器和存储矩阵 寻址原理相同寻址原理相同 相相异异处处 ROM 的存储矩阵是或阵列，的存储矩阵是或阵列，是组合逻辑电路是组合逻辑电路。ROM 工作时工作时只能读出不能写入。掉电后数据只能读出不能写入。掉电后数据 不会丢失不会丢失。RAM 的存储矩阵由触发器或动态存储单元构的存储矩阵由触发器或动态存储单元构 成，成，是时序逻辑电路是时序逻辑电路。RAM 工作时工作时能读出，能读出，也能写入也能写入。读或写由读。读或写由读/写控制电路进行控制。写控制电路进行控制。RAM 掉电后数据将丢失掉电后数据将丢失。RAM 分类分类静态静态
31、 RAM(即即 Static RAM，简称，简称 SRAM)动态动态 RAM(即即 Dynamic RAM，简称，简称 DRAM)DRAM 存存储储单单元元结结构构简简洁洁，集集成成度度高高，价价格格便便宜宜，广广泛泛地地用用于于计计算算机机中中，但但速速度度较较慢，且须要刷新及读出放大器等外围电路。慢，且须要刷新及读出放大器等外围电路。DRAM 的的存存储储单单元元是是利利用用 MOS 管管具具有有极极高高的的输输入入电电阻阻，在在栅栅极极电电容容上上可可暂暂存存电电荷荷的的特特点点来来存存储储信信息息的的。由由于于栅栅极极电电容容存在漏电，因此工作时须要周期性地对存储数据进行刷新。存在漏电
32、，因此工作时须要周期性地对存储数据进行刷新。SRAM 存储单元结构较困存储单元结构较困难，集成度较低，但速度快。难，集成度较低，但速度快。基本基本R-S触发器触发器、MOS静态存储单元静态存储单元存储单元存储单元 六管CMOS静态存储单元VDDDDTjTj YjT1T3QQT5T2T4T6Xi位位 线线位位 线线当当地地址址码码使使得得XiXi和和YjYj均均为为高高电电平平常常，表表示示选选中中该该单单元元，即即可可以以对对它进行读写操作。它进行读写操作。由由于于数数据据由由触触发发器器记记忆忆，只只要要不不断断电电，信信息就可以永久保存。息就可以永久保存。接接受受CMOSCMOS管管，所所
33、以以静态功耗微小。静态功耗微小。单管NMOS动态存储单元xiTCSC0D位位线线由由一一个个门门控控管管T T和和一一个个存存储储信息的电容信息的电容CSCS组成。组成。由由于于分分布布电电容容 C0 C0 CSCS，所所以以位位线线上上的的读读出出电电压压信信号号很很小小，需需用用高高灵灵敏敏度度读读出出放放大大器器进进行行放放大大；且且每每次次读读出出后后必必需需马马上上对对该该单单元元进进行行刷刷新新，以以保保留留原原存存信息。信息。动态存储单元的结构比静态存储单元简洁，可达到更高的集动态存储单元的结构比静态存储单元简洁，可达到更高的集成度；但成度；但DRAM不如不如SRAM运用便利，且
34、存取时间较长。运用便利，且存取时间较长。、MOS动态存储单元动态存储单元10.5.2 集成集成 RAM 举例举例 A0 A9 为地址码输入端。为地址码输入端。4 个个 I/O 脚为双向数据线，用脚为双向数据线，用于读出或写入数据。于读出或写入数据。VDD 接接+5 V。R/W 为读为读/写控制端。当写控制端。当 R/W=1 时，从时，从 I/O 线读出数据；线读出数据；当当 R/W=0 时，将从时，将从 I/O 线输入线输入的数据写入的数据写入RAM。VDDIntel 2114A7A8A9I/OI/OI/OI/OR/WA6A5A4A3A0A1A2CSGND1234567891817161514
35、131211101 K 4 位位 SRAM Intel 2114 引脚图引脚图信号与信号与 TTL 电平兼容。电平兼容。CS 为片选控制端，低电平有为片选控制端，低电平有效。效。CS=1 时，读时，读/写控制电路处写控制电路处于禁止状态，不能对芯片进行读于禁止状态，不能对芯片进行读/写操作。当写操作。当 CS=0 时，允许芯片时，允许芯片读读/写操作。写操作。存储矩阵有存储矩阵有 1 K 个字，每个字个字，每个字 4 位。位。1K=1024=210，故需，故需 10 根地址输入线。根地址输入线。RAM的位扩展10.5.3 RAM 的扩展的扩展 5V、位扩展位扩展D15D9D8D7D1D011R
36、/WCS1A0A12适用于字数够用，但每字的位数（字长）不够的情况。适用于字数够用，但每字的位数（字长）不够的情况。如：如：8K8 8K168K8 8K16I/O7I/O1I/O0VDDOEGNDR/WA12A0CS1CS2I/O7I/O1I/O0VDDOEGNDR/WA12A0CS1CS26264 6264 R/W、字扩展字扩展适用于位数（字长）够用，但字数不够的情况。适用于位数（字长）够用，但字数不够的情况。如：如：8K8 32K88K8 32K81111Y0Y1Y2Y3D0D7A0A12A13A14A1A012T4139SR410k45VD1D24.5V锂电池锂电池增加地址线。增加地址线
37、。I/O7I/O0VDDOEGNDR/W A12A0CS1CS26264I/O7I/O0VDDOEGNDR/W A12A0CS1CS26264I/O7I/O0VDDOEGNDR/W A12A0CS1CS26264I/O7I/O0VDDOEGNDR/W A12A0CS1CS26264 RAM的字扩展断断电电爱爱护护3 3、字位同时扩展字位同时扩展 当存储器的字长和字数都不能满足实际应用的要求时，则当存储器的字长和字数都不能满足实际应用的要求时，则须要对存储器的字和位同时扩展。须要对存储器的字和位同时扩展。RAM的位、字同时扩展的位、字同时扩展3.位、字同时进行扩展：位、字同时进行扩展：依据字和位
38、扩展的原理，将两种方法结合便可实依据字和位扩展的原理，将两种方法结合便可实现，一般是先进行位扩展，然后进行字扩展。现，一般是先进行位扩展，然后进行字扩展。位扩展位扩展方法如下：方法如下：1）把若干片位数相同的）把若干片位数相同的RAM芯片地址线共用。芯片地址线共用。2）线共用。线共用。3）每个）每个RAM片的片的I/O端并行输出。端并行输出。字扩展字扩展方法如下：方法如下：1）将）将RAM地址共用，地址共用，I/O端共用。端共用。2）线共用。线共用。3）根据需要增加适当的地址线去控制）根据需要增加适当的地址线去控制半半导导体体存存储储器器由由很很多多存存储储单单元元组组成成，每每个个存存储储单
39、单元元可可存存储储一一位位二二进进制制数数。依依据据存存取取功功能能的的不不同同，半半导导体体存存储储器器分分为为只只读读存存储储器器(ROM)、随随机机存存取取存存储储器器(RAM)和和依依次次存存取取存存储储器器（SAM），ROM和和RAM的的存存储储单单元元结结构构不不同同。ROM 属属于于大大规规模模组组合合逻逻辑辑电电路路，RAM 属于大规模时序逻辑电路。属于大规模时序逻辑电路。本本 章章 小小 结结ROM 用用于于存存放放固固定定不不变变的的数数据据，存存储储内内容容不不能能随随意意改改写写。工工作作时时，只只能能依依据据地地址址码码读读出出数数据据。断断电电后后其其数数据据不不会
40、会丢丢失失。ROM有有固固定定 ROM(又又称称掩掩膜膜 ROM)和和可可编编程程 ROM之之分分。固固定定 ROM 由由制制造造商商在在制制造造芯芯片片时时，用用掩掩膜膜技技术术向向芯芯片片写写入入数数据据，而而可可编编程程 ROM 则则由由用用户户向向芯芯片片写写入入数数据据。可可编编程程 ROM 又又分分为为一一次次可可编编程程的的 PROM 和和可可重重复复改改写写、重重复复编编程程的的 EPROM 和和 E2PROM。EPROM 为为电电写写入入紫紫外外擦擦除除型型，E2PROM 为为电电写写入入电电擦擦除除型型，后后者者比比前前者者快快捷捷便便利利。可可编编程程 ROM 都都要要用
41、用专专用用的的编编程程器器对对芯芯片进行编程。片进行编程。快快闪闪存存储储器器(Flash Memory)，简简称称闪闪存存。它它具具有有EPROM的的结结构构简简洁洁、编编程程牢牢靠靠的的优优点点，同同时时又又具具有有E2PROM的的在在电电路路中中电电擦擦除除特特性性，与与E2PROM相比较，集成度有较大幅度的提高。相比较，集成度有较大幅度的提高。NOR闪闪存存通通常常带带有有SRAM接接口口，有有足足够够多多的的地址引脚，可以干脆访问其中的每一个字。地址引脚，可以干脆访问其中的每一个字。NAND闪闪存存接接受受吩吩咐咐、地地址址和和数数据据复复用用的的接接口口形形式式，NAND闪闪存存接
42、接受受类类似似磁磁盘盘数数据据管管理理的的形形式式来访问。来访问。RAM 由由存存储储矩矩阵阵、译译码码器器和和读读/写写限限制制电电路路组组成成。它它可可以以读读出出数数据据或或改改写写存存储储的的数数据据，其其读读、写写数数据据的的速速度度很很快快。因因此此，RAM 多多用用于于须须要要常常常常更更换换数数据据的的场场合合，最最典典型型的的应应用用就就是是计计算算机机中中的的内内存存。但但是是，RAM 断电后数据将丢失。断电后数据将丢失。RAM 可可位位扩扩展展或或字字扩扩展展，也也可可位位、字字同同时时扩扩展展。通通过过扩扩展展，可可由由多多片片小小容容量量的的 RAM 构成大容量的存储器。构成大容量的存储器。RAM 有有静静态态 RAM和和动动态态 RAM 之之分分。静静态态 RAM(即即SRAM)的的存存储储单单元元为为触触发发器器，工工作作时时不不需需刷刷新新，但但存存储储容容量量较较小小。动动态态 RAM(即即 DRAM)的的存存储储单单元元是是利利用用 MOS 管管具具有有极极高高的的输输入入电电阻阻(1010 )、在在栅栅极极电电容容上上可可暂暂存存电电荷荷的的特特点点来来存存储储信信息息的的，由由于于栅栅极极电电容容存存在在漏漏电电，因因此此工工作作时时须须要要周周期期性性的的对对存储数据进行刷新。存储数据进行刷新。