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1、金属前介质层（PMD） 金属间介质层（IMD）W塞 （W PLUG）钝化层（Passivation） Cassette 装晶片的晶舟 CD：critical dimension 关键性尺寸，临界尺寸 Chamber 反应室 Chart 图表 Child lot 子批 chiller 制冷机 Chip (die) 晶粒 Chip：碎片或芯片。 clamp 夹子 CMP 化学机械研磨 Coater 光阻覆盖（机台） Coating 涂布，光阻覆盖 Computer-aided design（CAD）：计算机辅助设计。 Contact Hole 接触窗 Control Wafer 控片 Correl
2、ation：相关性。 Cp：工艺能力，详见process capability。 Critical layer 重要层 CVD 化学气相淀积 Cycle time 生产周期 Defect density：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。 Defect 缺陷 DEP deposit 淀积 Depth of focus（DOF）：焦深。 Descum 预处理 Developer 显影液；显影（机台） developer：）显影设备； ）显影液 Development 显影 DG dual gate 双门 DI filter 离子交换器 DI water 去离子水 Diffusion 扩散 disk
3、靶盘 disk/flag faraday 束流测量器 Doping 掺杂 Dose 剂量 Downgrade 降级 DRC design rule check 设计规则检查 Dry Clean 干洗 Due date 交期 Dummy wafer 挡片 E/R etch rate 蚀刻速率 EE 设备工程师 ELS extended life source 高寿命离子源 enclosure 外壳 acceptor 受主，如B，掺入Si中需要接受电子 Acid：酸 actuator激励 ADI After develop inspection显影后检视 AEI After etching ins
4、pection蚀科后检查 AFM atomic force microscopy 原子力显微 ALD atomic layer deposition 原子层淀积 Align mark(key)：对位标记 Alignment 排成一直线，对平 Alloy：合金 Aluminum：铝 Ammonia：氨水 Ammonium fluoride：NHF Ammonium hydroxide：NHOH Amorphous silicon：-Si，非晶硅（不是多晶硅） amplifier 放大器 AMU 原子质量数 Analog：模拟的 analyzer magnet 磁分析器 Angstrom：A（E-
5、m）埃 Anisotropic：各向异性（如POLY ETCH） Antimony(Sb)锑 arc chamber 起弧室 ARC： anti-reflect coating 防反射层 Argon(Ar)氩 Arsenic trioxide(AsO)三氧化二砷 Arsenic(As)砷 Arsine(AsH) ASHER 一种干法刻蚀方式 Asher：去胶机 ASI 光阻去除后检查 ASIC 特定用途集成电路 Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比） ATE 自动检测设备 Back end：后段（CONTACT以后、PCM测试前） Backside Etch 背面蚀刻
6、Backside 晶片背面 Baseline：标准流程 Beam-Current 电子束电流 Benchmark：基准 BGA ball grid array 高脚封装 Bipolar：双极 Boat：扩散用（石英）舟 BPSG 含有硼磷的硅玻璃 Break 中断，stepper机台内中途停止键 cassette 晶片盒 metal n 金属 Metal Via 金属接触窗 MFG 制造部 Mid-Current 中电流 Module 部门 nanometer (nm) n ：纳米 nanosecond (ns) n ：纳秒 NIT SiN 氮化硅 nitride etch n ：氮化物刻蚀
7、nitrogen (N ) n： 氮气，一种双原子气体 Non-critical 非重要 NP n-doped plus(N+) N型重掺杂 n-type adj ：n型 NW n-doped well N阱 OD oxide definition 定义氧化层 ohms per square n：欧姆每平方 方块电阻 OM optic microscope 光学显微镜 OOC 超出控制界线 OOS 超出规格界线 orientation n： 晶向，一组晶列所指的方向 Over Etch 过蚀刻 Over flow 溢出 overlap n ： 交迭区 Overlay 测量前层与本层之间曝光的准
8、确度 OX SiO 二氧化硅 P poly 多晶硅 PA; passivation 钝化层 Parent lot 母批 Particle 含尘量/微尘粒子 PH photo 黄光或微影 phosphorus (P) n ：磷 ，一种有毒的非金属元素 photomask n ：光刻版，用于光刻的版 photomask, negative n：反刻 photomask, positive n：正刻 Pilot 实验的 PVD 物理气相淀积 PW p-doped well P阱 quad rupole lens 磁聚焦透镜 quartz carrier n 石英舟。 Queue time 等待时间内
9、层介电层（ILD）、内金属介电层（IMD）ICP inductive couple plasma 感应等离子体 ID 辨认，鉴定IGBT 绝缘门双极晶体管 images：去掉图形区域的版 implant 注入 Implant 植入 impurity n 掺杂 impurity：杂质 inductive coupled plasma(ICP)：感应等离子体 inert gas：惰性气体 initial oxide：一氧 insulator：绝缘 isolated line：隔离线 junction 结 junction spiking n 铝穿刺 kerf 划片槽 landing pad n P
10、AD Layer 层次 LDD lightly doped drain 轻掺杂漏 liner drive 直线往复运动 lithography n 制版 loadlock valve 靶盘腔装片阀 Local defocus 局部失焦因机台或晶片造成之脏污 LOCOS local oxidation of silicon 局部氧化 Loop 巡路 Lot 批 LP(低压)淀积多晶硅（LPPOLY） mainframe 主机 maintainability, equipment 设备产能 maintenance n 保养 majority carrier n 多数载流子 Mask (reticl
11、e) 光罩 masks, device series of n 一成套光刻版 material n 原料 matrix n 矩阵 mean n 平均值measured leak rate n 测得漏率 median n 中间值 memory n 记忆体 Merge 合并 End Point 蚀刻终点 e-shower 中性化电子子发生器 ET etch 蚀刻 Exhaust 排气（将管路中的空气排除） Exposure 曝光 extrantion electrode 高压吸极 FAB 工厂 fab：常指半导体生产的制造工厂。 FIB focused ion beam 聚焦离子束 Field O
12、xide 场氧化层 filament 灯丝 film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。 flat aligener 平边检测器 flat：平边 flatband capacitanse：平带电容 flatband voltage：平带电压 Flatness 平坦度 flow coefficicent：流动系数 flow velocity：流速计 flow volume：流量计 flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数 Focus 焦距 forbidden energy gap：禁带 Foundry 代工 four-point probe：四点探针台 FSG 含有氟的硅玻璃 function
13、al area：功能区 Furnace 炉管 gate oxide：栅氧 glass transition temperature：玻璃态转换温度 GOI gate oxide integrity 门氧化层完整性 gowning：净化服 gray area：灰区 gyro drive 两方向偏转 hard bake：后烘 ，坚烘,soft bake (软烘) HCI hot carrier injection 热载流子注入 HDP：high density plasma 高密度等离子体 heat exchange 热交换机 High-Voltage 高压 host：主机 Hot bake 烘烤
14、 hot carriers：热载流子 hydrophilic：亲水性 hydrophobic：疏水性 Ground Bounce 地弹反射 GUI,Graphical User Interface 图形用户界面 Harmonica 射频微波电路仿真 HFSS 三维高频结构电磁场仿真 HMDS (六甲基二硅胺)：涂胶前处理，增加圆片衬底与光刻胶的粘附性IC Integrate Circuit 集成电路 Image Fiducial 电路基准 Impedance 阻抗 In-Circuit-Test 在线测试 Initial Voltage 初始电压 Input Rise Time 输入跃升时间
15、Inverter - 逆变器 Jumper 跳线 LCD Liquid Crystal Display 液晶显示 LCM Liquid Crystal Module 液晶模块 LED Light Emitting Diode 发光二极管 Linear Design Suit 线性设计软件包 Local Fiducial 个别基准 manufacturing 制造业 MCMs,Multi-Chip Modules 多芯片组件 MDE,Maxwell Design Environment Merge 合并 MFG 制造部 Nonlinear Design Suit 非线性设计软件包 NVT：N M
16、OS 调阈值电压ODB+ Open Data Base 公开数据库 OEM 原设备制造商 OLE Automation 目标连接与嵌入 On-line DRC 在线设计规则检查 ONO：氧化层-氮化层-氧化层介质；用作电容介质Optimetrics 优化和参数扫描 OSD On Screen Display 在屏上显示 Overshoot 过冲 PAC感光化合物 Panel fiducial 板基准 显影前烘焙 (PEB)Parameter参数 PCB PC Board Layout Tools 电路板布局布线 PCB Printed Circuit Board 印刷电路板 BIST,Buil
17、t-in Self Test 内建的自测试 Bus Route 总线布线 Carbide碳 circuit diagram 电路图 Circuit 电路基准 Clementine 专用共形开线设计 Cluster Placement 簇布局 CM 合约制造商 COF Chip On FPC 将IC固定于柔性线路板上 COG Chip On Glass 将芯偏固定于玻璃上 Common Impedance 共模阻抗 component video - 分量视频 Composite video - 复合视频 Concurrent 并行设计 Constant Source 恒压源 Cooper Po
18、ur 智能覆铜 Crosstalk 串扰 CRT Cathode Radial Tude 阴极射线管 DC Magnitude 直流幅度 Delay 延时 Delays 延时 Design for Testing 可测试性设计 Designator 标识 DOF焦深 Depth Of Focus，区分IDOF、UDOF前者只有中心，后者包括四角DFC,Design for Cost 面向成本的设计 DFR,Design for Reliability 面向可靠性的设计 DFT,Design for Test 面向测试的设计 DPI Dot Per Inch 点每英寸 DSM,Dynamic S
19、etup Management 动态设定管理 DVI Digital Visual Interface （VGA）数字接口 Dynamic Route 动态布线 Electro Dynamic Check 动态电性能分析 Electromagnetic Disturbance 电磁干扰 Electromagnetic Noise 电磁噪声 EMC,Elctromagnetic Compatibilt 电磁兼容 EMI,Electromagnetic Interference 电磁干扰 Emulation 硬件仿真 Ensemble 多层平面电磁场仿真 ESD 静电释放 Expansion膨胀
20、Fall Time 下降时间 False Clocking 假时钟 FEP 氟化乙丙烯 FFT,Fast Fourier Transform 快速傅里叶变换 Float License 网络浮动 Frequency Domain 频域 Gaussian Distribution 高斯分布 Global flducial 板基准 pn junction n：pn结 Pod 装晶舟与晶片的盒子 Polymer 聚合物 POR Process of record post accel 后加速器 Plasma 电浆 PMD premetal dielectric 电容 PP p-doped plus(
21、P+) P型重掺杂 PR Photo resisit 光阻 PR photo resist 光阻pure water n 纯水。半导体生产中所用之水。PVD 物理气相淀积 PW p-doped well P阱 quad rupole lens 磁聚焦透镜 quartz carrier n 石英舟。 Queue time 等待时间 QTIME-DUMMY：从此步骤到下一个步骤一共停留的时间范围（超出范围会出问题）显影前烘焙 (PEB)：降低或消除驻波效应 R/C runcard 运作卡SOG是一种相当简易的平坦化技术。因为介电层材料是以溶剂的形态覆盖在硅片表面，因此SOG对高低起伏外观的“沟填能
22、力”非常好，可以避免纯粹以CVD法制作介质层时所面临的孔洞问题 Spacer ：SPACER工艺是通过LPTEPS ETCH BACK ，在PLOY侧壁形成两个侧壁突出的工艺，用于源漏区注入的自对准和减少由于源漏横向扩散形成的沟道效应。LPTEOS主要用于SPACER及电容氧化层。 TEOS = Si（O C2H5）4名称：正硅酸乙脂，又称四乙氧基硅烷TM top mental 顶层金属层 Undershoot 下冲 Uniform Distribution 均匀分布 Variant 派生 VDMOS( Vertical conduction Double scattering Metal O
23、xide Semiconductor)垂直导电双扩散型晶体管VGA Video Graphic Anay 视频图形陈列 VIA-Vendor Integration Alliance 程序框架联盟 Victim 被干扰对象 Video On Demand 视频点播 Virtual System Prototype 虚拟系统原型 WEE 周边曝光 Wizard 智能建库工具,向导 Yield 良率Trichloromethane (TCA)(CLCCH) 有毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。这种混合物不溶于水但溶于酒精和大气。 AAS atomic absorptions spectrosco
24、py 原子吸附光谱 Acceptance testing (WAT wafer acceptance testing) ACCESS：一个EDA（Engineering Data Analysis）系统 Active device：有源器件，如MOS FET（非线性，可以对信号放大） Alloy 融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值 AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率） ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻） Au
25、todoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层） CD： （Critical Dimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。 Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。 Chemical vapor deposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。 Chemical-mechanical polish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。 CIM：computer-integrated manufact
26、uring的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。 Circuit design ：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。 Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。 CMOS：complementary metal oxide semiconductor的缩写。一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。 Compensation doping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。 Conductivity type：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流
27、子是空穴。 Contact：孔。在工艺中通常指孔，即连接铝和硅的孔。 Control chart：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。Cpk：工艺能力指数，详见process capability index。 Si（O C2H5）4 SiO2 +4C2H4 +2H2O它的设备结构和LPSi3N4基本类似。Under Etch 蚀刻不足 USG undoped 硅玻璃 vacuum 真空。 vaporizer 蒸发器 W (Tungsten) 钨 watt(W) 瓦。能量单位。 WEE 周边曝光 well 阱。 wet chemical etch 湿法化学腐蚀。 wre
28、nch 扳手 专业术语 A/D 军 AnalogDigital, 模拟/数字 AC Magnitude 交流幅度 AC Phase 交流相位 Accuracy 精度 Activity Model Activity Model 活动模型 Additive Process 加成工艺 Adhesion 附着力 Aggressor 干扰源 Analog Source 模拟源 AOI,Automated Optical Inspection 自动光学检查 ASIC特殊应用集成电路 Assembly Variant 不同的装配版本输出 Attributes 属性 AXI,Automated X-ray I
29、nspection 自动X光检查 Backlight - 背光 PDP Plasma Display Panel 等离子显示屏 Period 周期 Periodic Pulse Source 周期脉冲源 Phase Alrernating Line PAL制式（逐行倒相制式） Physical Design Reuse 物理设计可重复 PI,Power Integrity 电源完整性 Piece-Wise-linear Source 分段线性源 POD 装晶舟和晶片的盒子 Preview 输出预览PSG 硼硅玻璃 Pulse Width 脉冲宽度 Pulsed Voltage 脉冲电压 Qui
30、escent Line 静态线 Radial Array Placement 极坐标方式的元件布局 Reflection 反射 Refractive折射 Reticle 光罩 Reuse 实现设计重用 Rise Time 上升时间 Rnging 振荡,信号的振铃 Rounding 环绕振荡 Rules Driven 规则驱动设计 Runcard 运作卡 Sax Basic Engine 设计系统中嵌入 Scratch 刮伤 SDE,Serenade Design Environment SDT,Schematic Design Tools 电路原理设计工具 SDG：源漏栅，如SDG曝光，就是经
31、过一次性曝光得到源漏栅Setting 设置 Settling Time 建立时间 Shape Base 以外形为基础的无网格布线 Shove 元器件的推挤布局 SI,Signal Integrity 信号完整性 Simulation 软件仿真 Sketch 草图法布线 Skew 偏移 Slew Rate 斜率 Solvent 溶剂 SPC,Statictical Process Control 统计过程控制 Spin 旋转 Split/Mixed Layer 多电源/地线的自动分隔 Sputter 溅射 SSO 同步交换 Strip 湿式刻蚀法的一种 Symphony 系统仿真 TCP Tap
32、e Carrier Package 柔性线路板 TFT Thin Film Transistor 薄膜晶体管 Time domain 时域Timestep Setting 步进时间设置Cycle time：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。 Damage：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。 Depletion implant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。） Depletion layer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电
33、荷密度的区域。 Depletion width：耗尽宽度。中提到的耗尽层这个区域的宽度。 Deposition：淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。 design of experiments (DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。 develop：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程） diborane (BH)：乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产中的硼源 dichloromethane (CHCL)：二氯甲，一种无色，不可燃，不可
34、爆的液体。 dichlorosilane (DSC)：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。 die：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。 dielectric：）介质，一种绝缘材料； ）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。 diffused layer：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。 disilane (SiH)：乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能
35、产生高火焰，暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。 drive-in：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。 dry etch：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。 effective layer thickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。 EM：electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。 epitaxial layer：外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导 体材料，这一单晶
36、半导体层即为外延层。 equipment downtime：设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。 ESD electrostatic discharge/electrostatic damage 静电离子损伤 etch：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。 exposure：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。 feature size：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。 field-effect transistor（FET）：场效应管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。 grazing incidence in
37、terferometer：切线入射干涉仪 heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法 high-current implanter：束电流大于ma的注入方式，用于批量生产 hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉%的大于um的颗粒 HMDS Hexamethyldisilazane,经去水烘烤的晶片，将涂上一层增加光阻与晶片表面附着力的化合物，称HMDS oxidation n ：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应 PE process engineer; plasma enhance 、工
38、艺工程师 、等离子体增强 pilot n ：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子 plasma n ：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体 plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n： 等离子体化学气相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺 plasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀积，淀积TEOS的一种工艺 pocked bead n：麻点，在X下观察到的吸附在低压表面的水珠 polarization n：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语 polycide n：多晶硅 /金属硅化
39、物， 解决高阻的复合栅结构 polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高浓度掺杂（E）的硅，能导电。 prober n 探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备。 process control n 过程控制。半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力。 proximity X-ray n 近X射线：一种光刻技术，用X射线照射置于光刻胶上方的掩 膜版，从而使对应的光刻胶暴光。 quantum device n 量子设备。一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性。 rapid thermal processing (RTP) n 快速热
40、处理(RTP)。 recipe n 菜单。生产过程中对圆片所做的每一步处理规范。 scanning electron microscope (SEM) n 电子显微镜(SEM)。 SEM：scanning electron microscope 扫描式电子显微镜 semiconductor n 半导体。电导性介于导体和绝缘体之间的元素。 sheet resistance (Rs) (or per square) n 薄层电阻。一般用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。 silicon on sapphire(SOS)epitaxial wafer外延是蓝宝石衬底硅的原片 small scale in
41、tegration(SSI)小规模综合，在单一模块上由到个图案的布局。 source code原代码，机器代码编译者使用的，输入到程序设计语言里或编码器的代码。 spectral line 光谱线，光谱镊制机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。 spin webbing 旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物。 sputter etch 溅射刻蚀，从离子轰击产生的表面除去薄膜。 stacking fault堆垛层错，原子普通堆积规律的背离产生的次空间错误。 steam bath蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其他温度热源的暴光。 step response time瞬态特性时间，
42、大多数流量控制器实验中，普通变化时段到气流刚 到达特定地带的那个时刻之间的时间。 stress test 应力测试，包括特定的电压、温度、湿度条件。 surface profile表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓（没有特指的情况下）。 symptom征兆，人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。 tack weld间断焊，通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊（用于连接盖子）。 temperature cycling温度周期变化，测量出的重复出现相类似的高低温循环。 TEOS (CHCHO)Si 四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常温下液态。作LPCVD /PECVD生长SiO的原料。
43、又指用TEOS生长得到的SiO层。 testability易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它的。 thermal deposition热沉积，在超过度的高温下，硅片引入化学掺杂物的过程。 thin film超薄薄膜，堆积在原片表面的用于传导或绝缘的一层特殊薄膜。 toluene(CHCH) 甲苯。有毒、无色易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。 total fixed charge density(Nth) 下列是硅表面不可动电荷密度的总和：氧化层固定电荷密度(Nf)、氧化层俘获的电荷的密度(Not)、界面负获得电荷密度(Nit)。 trench 沟道，深腐蚀区域，用于从另一区域
44、隔离出一个区域或者在硅晶片上形成存储电容器。 tungsten hexafluoride(WF) 氟化钨。无色无味的气体或者是淡黄色液体。在CVD中WF用于淀积硅化物，也可用于钨传导的薄膜。 vapor pressure 当固体或液体处于平衡态时自己拥有的蒸汽所施加的压力。蒸汽压力是与物质和温度有关的函数。 via 通孔。使隔着电介质的上下两层金属实现电连接。 wafer flat 从晶片的一面直接切下去，用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向，也可用于在处理和雕合过程中的排列晶片。 wafer process chamber(WPC) 对晶片进行工艺的腔体。 window 在隔离晶片中
45、，允许上下两层实现电连接的绝缘的通道。 CCFL(CCFT) Cold Cathode Fluorescent Light/Tude 冷阴极荧光灯 COB Chip On Board 通过绑定将IC裸偏固定于印刷线路板上 CVT,Component Verification and Tracking 元件确认与跟踪 DFM,Design for Manufacturing 面向制造过程的设计 DFX,Design for X 面向产品的整个生命周期或某个环节的设计 Duty - 占空比，高出点亮的阀值电压的部分在一个周期中所占的比率 EDIF,The Electronic Design Interchange Format 电子设计交互格式 EIA,Electronic Industries Association 电子工业协会 EL Elextro Lumine