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1、 u-boot在S3C2440上的移植问题及解决方法集锦（一）一、移植环境 主 机：VMWare6.5-Fedora 9 开发板：自制开发板 CPU：S3C2440； SDRAM：HY57VFTP-H； NOR flash：SST_39VF1601（2M）； NAND flash：K9F1G08U0B（128M）； 网卡芯片：DM9000EP 编译器：arm-linux-gcc-4.3.2 u-boot：u-boot-2009.08 linux kernel：linux-2.6.30 busybox：busybox-1.13.3二、博客地址 如有错误，欢迎指正。三、参考资料 主要参考了黄刚的博
2、客 ，他的博客写得相当不错，将嵌入式开发各个阶段的知识以边做边学的方式，辅以图片、解释，清晰地呈现给读者，能够让读者把握主线，对嵌入式开发有整体的了解。强烈推荐！ 四、问题及解决方法 1、NAND flash（K9F1G08U0B）的寻址方案 开始照着黄刚的博客进行u-boot移植，u-boot从NOR flash启动比较顺利，但是从NAND flash启动时，就遇到问题了，u-boot不能完全启动！通过在程序中插入点led灯的方法，将问题定位在了NAND flash的读取函数nand_read_ll中对NAND flash单元进行寻址的几条指令上。这时，问题大概有眉目了，黄刚所用的开发板是友
3、善之臂的mini2440，上面的NAND flash的型号是K9F1208，容量为64M，与我所用的芯片不一样。下面比较一下这两款芯片的寻址方案：图1 K9F1208寻址方案图2 K9F1G08寻址方案 黄刚博客中K9F1208的寻址代码是： NFADDR = i & 0xFF; NFADDR = (i 9) & 0xFF; NFADDR = (i 17) & 0xFF; NFADDR = (i 25) & 0xFF; 而我的K9F1G08的寻址代码则是： NFADDR = 0; NFADDR = 0; NFADDR = (i 11) & 0xFF; NFADDR = (i 19) & 0xF
4、F; NFADDR = (i 27) & 0xFF; 但是，这里又出现三个问题了：（1） K9F1G08的寻址方案只有4个周期，而我的代码却有5个周期；（2） 为什么前两个周期我给的值都是0；（3） 按照芯片手册，第3-5个周期起，移位操作应该分别为(i 12)、(i 20)、(i 28)，那为什么却是上面那样的呢？一开始，我也是挺纳闷的，但是通过查找资料与不断试验，终于弄懂了这些原因。 （1） 5个周期主要是为了兼容NAND flash容量大于128M的芯片。下面贴上K9F2G08的寻址方案，可以看出，它有5个寻址周期。而我们的K9F1G08在执行寻址代码的时候，会忽略掉周期大于4的部分，也
5、就是说，只有前面4个周期才是有效的，才是它用来寻址的，第5个周期的数据就算写给它了，它也不会拿去用。图3 K9F2G08寻址方案 （2） NAND flash进行读操作是以页为单位，前2个周期的值表示页内偏移量，因此，前两个周期传给NAND flash的值为0，表示读操作是从每页的起始单元（及页内偏移量为0）开始的。 （3） 这个问题纠结了半天，按照芯片手册，K9F1G08一页的大小是2KB，A0 -A10 就刚好能够完全寻址了。那么，这个A11 又是干什么的呢？网上有一种说法，NAND flash的每一页除了2KB的数据区，还有64 Bytes的OOB数据，这样每一页就有2112 Bytes
6、的单元，A0 -A10 就不够了，而A0 -A11 能够寻址的单元数是4096，能够包含这64 Bytes的OOB数据。但是，我试过将偏移量改成(i 12)、(i 20)、(i 28)，但是这样无法读出NAND flash中的数据，那么，这种说法是站不住脚的。网上还有一种说法，OOB数据是用另外的指令去读的，而芯片手册上可能是三星公司的笔误，虽然这种说法看似可能性较小，但是我觉得这个是目前为止解释最合理的一种，大公司也难免会有失误嘛。 2、将u-boot拷到其它目录，不能正常编译 我将u-boot拷到另一台主机上，并且换了一个目录，原来是在/opt/ARM/下，到新主机中，放到了/root/目
7、录下，我在新主机中输入make指令，重新编译，在编译的过程中，出现错误 No rule to make target *, needed by /opt/ARM/*。分析原因，是因为这个u-boot保留了原来的一些编译信息，它还是从就主机的那个目录下去寻找文件。于是，我执行make clean，make两条指令，还是报之前的错误。看来make clean将编译信息清除得还不够彻底。看来，只有用杀手锏了-make distclean，make my2440_config，make三条指令，编译成功了！ 下面，比较一下make clean，make distclean两条指令有什么不同。 make
8、 clean清除上次make命令所产生的object文件（后缀为“.o”的文件）及可执行文件；make distclean要清除所有生成的文件。 3、NAND 128MiB 3,3v 8-bit: MTD Erase failure: -22 我在超级终端中，用saveenv命令将环境变量保存到NAND flash中时，提示了上面的错误信息。分析一下，意思是对NAND flash进行擦除操作时出现了错误。NAND flash在写操作之前会进行一次擦除操作，并且以块为单位进行擦除。我所使用的K9F1G08块的大小为128KB，而黄刚使用的K9F1208块的大小为64KB。因此，将 include
9、/configs/my2440.h 中将环境变量区域的偏移位置及大小改成以下的值： #define CONFIG_ENV_IS_IN_NAND 1 #define CONFIG_ENV_OFFSET 0x40000 /将环境变量保存到nand中的0x40000位置，必须在块的起始位置 #define CONFIG_ENV_SIZE 0x20000 /环境变量区的大小，必须为块大小的整数倍 ， 否 则会提示下面的信息，将擦除整个块 Warning: Erase size 0x smaller than one erase block 0x Erasing 0x instead 在后面对NAND flash进行分区的时候也要考虑这个问题，否则依然会出现这个错误。