2021年模拟电子技术复习试题+答案.pdf

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1、模拟电子期末练习题填空题:1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线:当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开:4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。6、当温度升髙时,晶体三极管集电极电流Ic(增加),发射结压降(减小)。7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共射极)、(共基极)、(共集电极)放大电路。8、为了稳左三

2、极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳左交流输出电流采用(电流)负反馈。9、负反馈放大电路的放大倍数A尸(A/(1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数A|=(1/F)。10、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。12、为了消除乙类互补功率放大器输岀波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。13、反向电流是由(少数)载流子形成,英大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。14、共集电极电路电压放大倍数(小于近似等于1

3、),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在输入级,输岀级或缓冲级。15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。16、晶体三极管具有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)17、为了稳左三极管放大电路和静态工作点,采用(直流)负反馈,为了减小输出电阻采用(电压)负反馈。18、共模信号是大小(相等,极性(相同)的两个信号。19、乙类互补功放存在(交越)失真,可以利用(甲乙)类互补功放来克服。20、要保证振荡电路满足相位平衡条件,必须具有(正反馈)网络。21、杂质半导体有(N)型和(P)型之分。22、PN结最重要的特性是(单向导电性),它是一切半导体器

4、件的基础。23、PN结的空间电荷区变厚,是由于PN结加了(反向)电压,PN结的空间电荷区变窄,是由于PN结 加的是(正向)电压。24、放大电路中基极偏麗电阻Rb的作用是(为发射结提供正向偏置,同时提供一个静态基极电流IB)o 调节基极偏流 IB25、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位(相同),有奇数级组成的多级放大电路中,输入和输出电压的相位(相反)。26、电压负反馈稳泄的输岀量是(电压),使输岀电阻(减小),电流负反馈稳左的输出量是(电流),使输出电阻(增大)。27、稳压二极管是利用二极管的(反向击穿)特性工作的。28、甲类功放的最大缺点是(效率较低);29、多级放大

5、电路的耦合方式有(直接耦合)、(阻容耦合)、(变压器耦合)。精品w o r d 学习资料 可编辑资料-精心整理-欢迎下载-第 1 页,共 19 页30、如果想要改善电路的性能,使电路的输岀电压稳定而且对信号源的影响减小,应该在电路中引入(电压串联负)反馈。31、有源滤波器的功能是(用于小信号处理),按电路的幅频特性可分为低通滤波、高通滤波、(带通滤 波)、(带阻滤波)和全通滤波五种。32、正弦波振荡电路可以产生振荡的条件是(振幅平衡和相位平衡)。二、选择题I、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在(B)状态,但其两端电压必须(C)它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于(F)状态。A、正偏B

6、、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分別是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是(C),该管是(D)型。A、(B、C、E)B、(C、B、E)C、(E、C、B)D、(NPN)E、(PNP)3、对功率放大器的要求主要是(B)、(C)、(E)A、U0高B、P0大C、功率大D、Ri大E、波形不失真4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为(B),此时应该(E)偏置电阻。A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小5、差分放大电路是为了(C)而设置的。A、稳泄Au B、放大信号C、抑制零点漂移6、共集电极放大电路的负反馈组态是(A)。A、压串负

7、B、流串负C、压并负7、差分放大电路 RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ的(B)倍。A、1 B、2 C、38、为了使放大器带负载能力强,一般引入(A)负反馈。A、电压B、电流C、串联9、分析运放的两个依据是(A)、(B)。A、U=U+B、ZI+N)C、U0=Ui D、Au=l 10、为了减小输出电阻,应在放大电路中引入(B);为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入(C)。A、电流负反馈B、电压负反馈C、直流负反馈D、交流负反馈II、通用型集成运放的输入级多采用(D)。A、共基接法B、共集接法C、共射接法D、差分接法12、两个“相同的晶体管组成复合管后,英电流放大系数约为(B)。

8、A、尸B、俨c、邛 D、1+“13、在A、B、C三种电路中输岀电阻最小的电路是(B):既能放大电流,又能放大电压的电路是(C):输入电阻最大的电路是(B)0 A、共基放大电路B、共集放大电路C、共射放大电路14、当NPN型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为W(A)W(A)Vo A、B、C、=D.15、硅二极管的正向导通压降比错二极管的(A)。A、大B、小C、相等16、为了增大输出电阻,应在放大电路中引入(A):为了展宽频带,应在放大电路中引入(D)。A、电流负反馈B、电压负反馈C、直流负反馈D、交流负反馈17、直流稳压电源中整流电路的任务是(A)A、将交流变为直流B、将正弦波变为方波C、将高

9、频变为低频三、判断题(1)在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地“。(x)(2)电压负反馈稳泄输出电压,电流负反馈稳定输岀电流。(的(3)使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。J)(4)产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。(4)(5)利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。(?)精品w o r d 学习资料 可编辑资料-精心整理-欢迎下载-第 2 页,共 19 页文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q

10、9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L

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16、2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5(6)本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。(7)(7)未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。(X)(8)集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。(勺)(9)只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。(x)(10)直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。(Q)(11)只要满足相位平衡条件,电路就会产生正弦波振荡。(x)(12)引入直流负反馈可以稳定静态工

17、作点。(7)(13负反馈越深,电路的性能越稳定。(x)(14)零点漂移就是静态工作点的漂移。(巾(15)放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。(巾(16)镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。(7)(17)半导体中的空穴带正电。(的(18)P型半导体带正电,N型半导体带负电。(X)(19)实现运算电路不一定非引入负反馈。(X)(20)凡是引入正反馈的集成运放,一定工作在非线性区。(x)(21)放大电路的输岀信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的。(4)(22)电路中只要引入负反馈就可以改善电路的性能。(x)(23)现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100,

18、将它们连成两极放大电路,其电压放大倍数为10000。(x)(24)集成运放工作在非线性区的两个特点是虚短和虚断。(巾(25)振荡电路中只要引入了负反馈,就不会产生振荡信号。(J四、分析计算题1、已知电路如下图示:为理想二极管,试分析:二极管导通还是截止?UA0二?VI、V2为理想二极管。求:1)哪只二极管导通2)UAO=?3、图示电路中二极管均为理想二极管,请判断它们是否导通,并求出幽。0精品w o r d 学习资料 可编辑资料-精心整理-欢迎下载-第 3 页,共 19 页文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV

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30、文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:C

31、E6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1

32、S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5五、在图示电路中,已知晶体管静态时B?E间电压为 UBEQ,电流放大系数为伏B-E间动态电阻为。填空:静态时?IBQ的表达式为_,ICQ的表达式为 _?UCEQ的表达式为_:电压放大借数的表达式为 _,输入电阻的表达式为_,输出电阻的表达式为_:若减小 RB,则Ic(腐八、在图示电路中,要求Ri-lOOkQ,比例系数为11,试求解R的阻值。十、在一个放大电路中,三只三极

33、管三个管脚、的电位分别如表所示,将每只管子所用材料(Si 或Gc)、类型(NPN或PNP)及管脚为哪个极(c、b或c)填入表内。管号T.T2TJ管号TiT2T3六、在图示电路中,已知晶体管静态时UBEQ=0.7V,电流放大系数为0=10 0,氐=1 kQ,RBI=5 kQ,RB2=15 kQ?RE=2.3 kQ,Rc=Ri=3 kQ,Vcc=12Vo(1)估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。(2)估算信号源内阻为Rs=lkQ时,rl 的数值。七、设图示各电路均引入了深度交流负反馈,试判断各电路引入了哪种组和的交流负反馈,并分别估算它们的电压放大倍数*因将 _,R將_ 九、求

34、解图示电路的运算关系式。精品w o r d 学习资料 可编辑资料-精心整理-欢迎下载-第 5 页,共 19 页文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7

35、H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q

36、5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:

37、CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I

38、1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9

39、HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q

40、7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5管脚电位(V)0.76.23电极名称0610533.7材料

41、类型十一、在图示电路中,已知晶体管静态时UBEQ=0.7V,电流放大系数为0=80,小c=l?2kQ,RB=500 kQ,Rc=Ri.=5kQ,Vcc=12Va(1)估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输岀电阻。(2)估算信号源内阻为Rs=1.2kQ时,rl 的数值。十二.基本题:1.如图所示电路中D为理想元件,已知”i=:5sinGrV,试对应m画出轴的波形图。2.测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示。试分析管子的工作状态(截止、饱和、放大)。4._ 如图所示电路中,反馈元件心构成级间负反馈,其组态为_ 其作用是使输入电阻 _.放大电路的通频带变_ o三、如图所示电路中,戸=1

42、00,试汁算:1.放大电路的静态工作点:2.画出放大电路的微变等效电路:3?求电压放大倍数Au、输入电阻R和输岀电阻四、判断如图所示电路中引入了何种反馈,并在深度负反馈条件下计算闭环放大倍数。精品w o r d 学习资料 可编辑资料-精心整理-欢迎下载-第 6 页,共 19 页文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7

43、H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q

44、5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:

45、CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I

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49、 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5题四图模拟电子技术模拟试题十三精品w o r d 学习资料 可编辑资料-精心整理-欢迎下载-第 7 页,共 19 页文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV1L1Q7O10M3 ZO4E7H3O10Q5文档编码:CE6S2I1S5Q9 HV

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