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1、资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除word 可编辑大学物理下练习题一、选择题（每题 1 分，共 41 分）1关于电场强度定义式E=F/q0，下列说法中哪个是正确的？（B）(A)场强 E 的大小与试验电荷q0的大小成反比；(B)对场中某点，试验电荷受力F 与 q0的比值不因q0而变；(C)试验电荷受力F 的方向就是场强E 的方向；(D)若场中某点不放试验电荷q0，则 F=0，从而 E=0.2下列几个说法中哪一个是正确的？（C）（A）电场中某点场强的方向，就是将点电荷放在该点所受电场力的方向。（B）在以点电荷为中心的球面上，由该点电荷所产生的场强处处相同。（C）场强方向可由E=F/q 定出，其
2、中q 为试验电荷的电量，q 可正、可负，F 为试验电荷所受的电场力。(D)以上说法都不正确。3图 1.1 所示为一沿x 轴放置的“无限长”分段均匀带电直线,电荷线密度分别为(x 0)，则 xOy 平面上(0,a)点处的场强为:（A）(A)ia02.(B)0.(C)ia04.(D)(40jia.4.边长为 a 的正方形的四个顶点上放置如图1.2 所示的点电荷,则中心 O 处场强（C）(A)大小为零.(B)大小为 q/(20a2),方向沿 x 轴正向.(C)大小为2022aq,方向沿 y 轴正向.(D)大小为2022aq,方向沿 y 轴负向.5.如图 1.3 所示.有一电场强度E 平行于 x 轴正
3、向的均匀电场，则通过图中一半径为R 的半球面的电场强度通量为（D）(A)R2E.(B)R2E/2.(C)2 R2E.(D)0.6.下列关于高斯定理理解的说法中，正确的是：（B）（）当高斯面内电荷代数和为零时，高斯面上任意点的电场强度都等于零+(0,a)x y O 图 1.1 O q a 2q q 2q x y 图 1.2E O 图 1.3x y 资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除word 可编辑（）高斯面上电场强处处为零，则高斯面内的电荷代数和必为零。（）如果高斯面上电场强度处处都不为零，则高斯面内电荷代数和一定不为零（D）闭合曲面上各点的电场强度仅由曲面内的电荷决定7.如图 1.4 所示
4、，一个带电量为q 的点电荷位于一边长为l 的正方形abcd 的中心线上，q距正方形l/2,则通过该正方形的电场强度通量大小等于：（B）(A)02q.(B)06q.(C)012q.(D)024q.8.如图 1.5 所示，在点电荷+q的电场中，若取图中M 点为电势零点，则P 点的电势为（B）(A)q/40a.(B)q/80a.(C)q/40a.(D)q/80a.9.如图 1.6 所示，CDEF 为一矩形，边长分别为l 和 2l，在 DC 延长线上CA=l 处的 A 点有点电荷q，在 CF 的中点 B 点有点电荷q，若使单位正电荷从C 点沿 CDEF 路径运动到F点，则电场力所作的功等于：（D）(A
5、)515420lq.(B)55140lq.(C)31340lq.(D)51540lq.10.如图所示，在带电体旁，有不带电的导体空腔,为导体空腔内一点，则：（B,D）（）带电体在产生的电场强度为零（）带电体与导体壳外表感应电荷在产生的合场强为零（）带电体与导体壳内表面感应电荷在产生的合场强为零。（D）若以空腔表面为势能零点，则C点电势为零。11.三块互相平行的导体板，相互之间的距离d1和 d2比板面积线度小得多,外面两板用导线连接.中间板上带电，设左右两面上电荷面密度分别为1和2，如图 1.7 所示.则比值1/2为（C）(A)d1/d2.(B)1.a b c d q 图 1.4l l/2 M
6、a a+q P 图 1.5q l l l l+q A B C D E F 图 1.6 d1 d2 1 2 图 1.7 文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 Z
7、F7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9
8、A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文
9、档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM
10、7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10
11、J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 H
12、W8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除word 可
13、编辑(C)d2/d1.(D)d22/d12.12.一根载有电流I的无限长直导线，在 A处弯成半径为R的圆形，由于已知线外有绝缘层，在 A处两导线并不短路，则在圆心处磁应强度B的大小为：(C)(A)(0+1)I/(2R)(B)0I/(2R)(C)0I(1+)/(2R)(D)0I(1+)/(4R)13.载有电流为I的无限长导线，弯成如图形状，其中一段是半径为R的半圆，则圆心处的磁感应强度B的大小为：(D )(A)0I/(4a)+0I/(4a)(B)0I/(4a)+0I/(4a)+20I/(8a)(C)(D)0I/(4a)-0I/(4a)+20I/(4a)14.在磁感强度为B 的均匀磁场中作一半径为
14、r 的半球面S，S 边线所在平面的法线方向单位矢量 n 与 B 的夹角为，如图 1.8 所示.则通过半球面S的磁通量为：（A）(A)r2B.(B)2 r2B.(C)r2Bsin.(D)r2Bcos.15.如图六根互相绝缘导线，通以电流强度均为I，区域、均为正方形，那么指向纸内的磁通量最大的区域是：(A )(A)区域 (B)区域 (C)区域 (D)区域(E)最大不止一个区域.16.有一半径为R 的单匝圆线圈，通以电流I.若将该导线弯成匝数N=2 的平面圆线圈，导线长度不变，并通以同样的电流，则线圈中心的磁感强度和线圈的磁矩分别是原来的:（A）(A)4 倍和 1/2 倍.(B)4 倍和 1/8 倍
15、.(C)2 倍和 1/4 倍.(D)2 倍和1/2 倍.17.用相同的导线组成的一导电回路，由半径为R的圆周及距圆心为R/2 的一直导线组成如图，若直导线上一电源，且通过电流为I，则圆心处的磁应强度B的大小为：(C)(A)0I/(2R)S B n 图 1.8 IIIARO IaaOROR/2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W
16、2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P
17、3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10
18、U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码
19、:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9
20、E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K
21、7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D
22、6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除word 可编辑 (B)0 (C)30I/(2R)(D)0I/(2R)(1+3/)18.四条无限长直导线，分别放在边长为b的正方形顶点上，如图所示，分别载电流为I，2I，3I，4I，方向垂直于图面向外，若拿走载电流为4I的导线，则此时正方形中心O点处的磁场感应强度大小与原来相比将：(C)(A)变大 (B)变小 (C)不变(D)无法断定19.在图 1.9(a)和 1.9(b)中各有一半径相同的圆形回路L1和 L2，圆周内有电流I2和 I
23、2，其分布相同，且均在真空中，但在图1.9(b）中，L2回路外有电流I3，P1、P2为两圆形回路上的对应点，则：(C)(A)1dLlB=2dLlB,21PPBB.(B)1dLlB2dLlB,21PPBB.(C)1dLlB=2dLlB,21PPBB.(D)1dLlB2dLlB,21PPBB.20.如图 1.10,在一圆形电流I所在的平面内,选取一个同心圆形闭合回路L,则由安培环路定理可知(A)(A)0dLlB,且环路上任意点B 0.(B)0dLlB,且环路上任意点B=0.(C)0dLlB,且环路上任意点B 0.(D)0dLlB,且环路上任意点B=0.21.一铜板厚度为b=1.00mm,放置待测的
24、匀强磁场B 中,磁场方向垂直于导体的平面,如图1.11.当铜板中的电流为56A 时,测得铜板上下两侧边的电势差为U=1.10 105V.已知铜板中自由电子数密度n=4.20 1028m3,电子电量 e=1.60 1019C，则待测磁场B 的大小为(C)(A)0.66T.(B)2.64T.(C)1.32T.(D)13.2T.图 1.9 P1 I1 I2 L1(a)I3 L2 P2 I1 I2(b)I L O 图 1.10b U B I 图 1.11 I2I4I3IO文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A
25、3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2
26、ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C
27、9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2
28、文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:C
29、M7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E1
30、0J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7
31、HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除word 可编辑22.如图半径为R的带电圆盘，电荷面密度为，圆盘以角速度，绕过盘心，并垂直盘面的轴旋转，则中心O处的磁感应强度大小为：(A)(A)0R/2 (B)0R/4 (C)0R/6 (D)0R/8 23.在以下矢量场中，属于保守力场的是：(A)(A)静电场
32、 (B)稳恒磁场 (C)涡流电场 (D)变化磁场24.如图两个导体回路平行，共轴相对放置，相距为D，若沿图中箭头所示的方向观察到大回路中突然建立了一个顺时针方向的电流时，小回路的感应电流方向和所受到的力的性质是：(C)(A)顺时针方向，斥力 (B)顺时针方向，吸力 (C)逆时针方向，斥力 (D)逆时针方向，吸力25.在一自感线圈中通过的电流I随时间t的变化规律如图(a)所示，若以I的正向作为的正方向，则代表线圈内自感电动势随时间t变化应为(b)图中的：(D)26.下列说法中唯一错误的说法是：(D)(A)涡旋电场是无源场 (B)涡旋电场的力线是闭合线 (C)涡旋电场在导体中形成持续电流 (D)涡
33、旋电场的场强依赖于导体的存在27.电磁波的电场强度E、磁场强度H 和传播速度u 的关系是:(B)OtOt(A)(B)OtOt(C)(D)OIt(a)(b)OR文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E
34、10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7
35、 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6
36、A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2
37、 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3
38、C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U
39、2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2资料收集于
40、网络，如有侵权请联系网站删除word 可编辑(A)三者互相垂直，而且E 和 H 相位相差/2.(B)三者互相垂直，而且E、H、u 构成右手螺旋直角坐标系.(C)三者中 E 和 H 是同方向的，但都与u 垂直.(D)三者中 E 和 H 可以是任意方向，但都必须与u 垂直.28.在杨氏双缝实验中，入射光波长为，屏上形成明暗相间的干涉条纹，如果屏上P 点是第一级暗条纹的中心位置，则S1、S2至 P 点的光程差=r2-r1为：(4)(1)(2)3/2(3)5/2(4)/2 29.在双缝实验中，用厚度为6 m 的云母片，覆盖其中一条缝，从而使原中央明纹的位置变为第七级明纹，若入射光波长为5000Ao，则
41、云母片的折射率为：(3)(1)0.64(2)1.36(3)1.58(4)1.64 30.在双缝实验中，两缝相距2mm，双缝到屏距离约1.5m，现用=5000A 的单色平行光垂直照射，则中央明纹到第三级明纹的距离是：(3)(1)0.750mm(2)2.625mm(3)1.125mm(4)0.563mm 31.在双缝干涉实验中，屏幕E 上的 P 点处是明条纹，若将缝S2盖，并在S1、S2连线的垂直平分面处放一反射镜M，如图所示，则此时：(2)(1)P 点处仍为明条纹(2)P 点处为暗条纹(3)不能确定P点处是明条纹还是暗条纹(4)无干涉条纹32.在折射率为1.5 的玻璃表面镀有氟化镁薄膜，可使反射
42、光减弱，透射光增强，氟化镁的n=1.38，当用波长为的单色平行光垂直照射时，使反射光相消的氟化镁薄膜的最小厚度为：(4).(1)/2(2)/2n(3)/4(4)/4n 33.如图，用单色光垂直照射在观察牛顿环的装置上，当平凸透镜垂直向上缓慢平移而远离平面玻璃时，可以观察到这些环状干涉条纹：(2)(1)向左平移(2)向中心收缩(3)向外扩张(4)静止不动(5)向左平移S S1 S2MP文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6
43、A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2
44、 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3
45、C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U
46、2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:
47、CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E
48、10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7
49、 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2文档编码:CM7E9E10J6K7 HW8D6A3K9W2 ZF7P3C9A10U2资料收集于网络，如有侵权请联系网站删除word 可编辑34.一束波长为的单色平行光垂直照射到宽的a 的单缝 AB 上，若屏上的P为第三级明纹，则单缝 AB 边缘 A、B 两处光线之间的光程差为：(4)(1)3(2)6(3)5/2(4)7/2 35.一单色光垂直照射宽为a 的单缝，缝后放一焦距为f 的薄凸透镜，屏置于焦平面上，若屏上第一级衍射明纹的宽度为x，则入射光波长为：(A)(
50、1)a x/f(2)x/af(3)f x/a(4)a/f x 36.根据惠更斯-菲涅耳原理，若已知光在某时刻的波阵面为S，则 S 的前方某点P 的光强度决定于波阵面S上所有面积元发出的子波各自传到P点的：(4)(1)振动振幅之和(2)光强之和(3)振动振幅之和的平方(4)振动的相干叠加37.一束由自然光和线偏光组成的复合光通过一偏振片,当偏振片转动时,最强的透射光是最弱的透射光光强的16 倍,则在入射光中,自然光的强度I1和偏振光的强度I2之比 I1:I2为(A)(A)2:15.(B)15:2.(C)1:15.(D)15:1.38.杨氏双缝实验中,设想用完全相同但偏振化方向相互垂直的偏振片各盖